Неорганические материалы, 2019, T. 55, № 8, стр. 818-827
Кремниевый угол тройной системы Yb–Pt–Si при 850°С
С. Е. Сафронов 1, *, А. В. Грибанов 1, **, С. Ф. Дунаев 1
1 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
119991 Москва, Ленинские горы, 1, Россия
* E-mail: supernov87@gmail.com
** E-mail: avgri@mail.ru
Поступила в редакцию 02.11.2018
После доработки 14.02.2019
Принята к публикации 18.02.2019
Аннотация
Изучено взаимодействие компонентов системы Yb–Pt–Si в области высокого содержания кремния. 22 сплава были приготовлены стандартной электродуговой плавкой в атмосфере аргона и отожжены при температуре 850°С. Для физико-химического анализа образцов использованы методы: электронной микроскопии, локального рентгеноспектрального анализа, рентгеновской дифракции и дифференциального термического анализа. Подтверждено существование 4 известных тройных интерметаллических соединений: YbPtSi, YbPt2Si2, Yb3Pt4Si6, Yb2Pt3Si5. Кроме того, обнаружены 3 новые фазы: YbPtSi2, Yb33Pt17Si50, Yb11Pt33Si56. Определен структурный тип соединения YbPtSi2. Приведены статистические кристаллографические данные тройных фаз. Построены фазовые равновесия в исследованной области на изотермическом сечении Yb–Pt–Si при 850°С.
ВВЕДЕНИЕ
Многие интерметаллические соединения (ИМС) редкоземельных элементов (РЗЭ) являются сильно коррелированными электронными системами, так как они демонстрируют такие физические свойства, как поведение Кондо-решеток, тяжелофермионное состояние, необычную сверхпроводимость, неферми-жидкостное поведение, флуктуации валентности [1, 2]. Среди них наиболее интенсивно изучаются соединения церия, так как именно они чаще других обладают уникальными физическими характеристиками вследствие сильных электронных корреляций. Известно, что электронные структуры атомов церия и иттербия являются “зеркальными” по отношению друг к другу: один неспаренный f-электрон у церия и одна дырка на f-подуровне у иттербия. Это обстоятельство стало основой для теоретических прогнозов о возможных необычных свойствах тройных соединений с Yb, подобных свойствам цериевых ИМС. Поэтому из соединений с другими РЗЭ значительный интерес представляют именно ИМС с участием иттербия. Сделанные для них ранее прогнозы во многом подтверждены экспериментально: соединения иттербия демонстрируют флуктуации валентности, поведение Кондо-решеток, неферми-жидкостное поведение и квантовые критические явления. А после открытия в 2008 г. сверхпроводимости в соединении YbAlB4 [3] интерес к ним значительно вырос. Позднее были обнаружены и другие соединения иттербия со сверхпроводимостью: YbGa1.1Si0.9 [4] и YbC6 [5].
Однако синтез и изучение ИМС, содержащих иттербий, значительно затруднены из-за высокого давления его паров, что зачастую не позволяет получать сплавы заданного химического состава, в том числе и однофазные образцы, пригодные для физических измерений. Поэтому, несмотря на повышенный интерес к соединениям иттербия, для многих тройных систем с его участием доступная информация весьма ограничена и часто нуждается в дополнительной проверке.
Для исследования нами выбрана тройная система Yb–Pt–Si, так как для аналогичной системы с церием (Ce–Pt–Si) установлено образование большого числа тройных ИМС с разнообразными кристаллическими структурами, большинство из которых обладали необычными физическими свойствами [6].
В настоящее время в литературе описаны кристаллические структуры и физические свойства 7 тройных ИМС системы Yb–Pt–Si: YbPt2Si2, Yb2Pt3Si5, YbPt2Si, YbPt3Si, Yb3Pt23Si11, Yb3Pt4Si6, YbPtSi [7–16].
Взаимодействие компонентов тройной системы Yb–Pt–Si в полном концентрационном интервале при 600°С изучалось О.Л. Борисенко в 1993 г. [17]. Однако из-за сложности приготовления сплавов иттербия и относительного несовершенства примененных методик анализа полученные тогда результаты можно считать предварительными и требующими уточнения. Современные усовершенствованные методы синтеза и анализа дают возможность получить более точную информацию о химических составах, кристаллических структурах и свойствах тройных ИМС. Подобные случаи, когда дополнительные исследования значительно улучшили первичные данные, можно проиллюстрировать на примерах систем Ce–Pt–Si и Ce–Rh–Si, которые также исследовались дважды [6, 18].
Целью данной работы стало изучение взаимодействия компонентов в системе Yb–Pt–Si при 850°С в области высокого содержания кремния, определение химических составов, кристаллических структур тройных ИМС и построение части изотермического сечения диаграммы состояния. Выбор температуры отжига 850°С основан на результатах наших пробных исследований сплавов этой системы.
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
Методом электродуговой плавки чистых элементов (Yb > 99.9 мас. %, Pt > 99.99 мас. %, Si > > 99.999 мас. %) на водоохлаждаемом медном поддоне были приготовлены 22 сплава с массой около 1 г. Из-за высокого давления паров иттербия плавку образцов выполняли приблизительно в 30 этапов с добавлением чистого иттербия для компенсации потерь.
Для приведения сплавов в состояние равновесия они отжигались в вакуумированных кварцевых ампулах при 850°С в течении 60–90 дней, после чего закаливали в холодную воду.
Так как электродуговая плавка образцов с иттербием сопряжена со значительными трудностями, нами была предпринята попытка получения сплавов из чистых элементов методом механохимического синтеза, а именно, сплавов с составами, соответствующими известным соединениям YbPt2Si2 и Yb3Pt4Si6. Для этого необходимые навески компонентов в виде небольших кусочков подвергались шаровому помолу. Затем полученные порошки прессовались в таблетки, которые отжигались наряду с другими сплавами.
Подготовленные сплавы в литом и отожженном состояниях изучались методами сканирующей электронной микроскопии (СЭМ), локального рентгеноспектрального (ЛРСА) и рентгенофазового (РФА) анализов.
Шлифы сплавов для СЭМ и ЛРСА готовились по стандартным методикам с использованием абразивных бумаг разной зернистости с окончательной полировкой на алмазных пастах. Анализ проводился в электронном микроскопе Carl Zeiss LEO EVO 50XVP, оснащеннoм энергодисперсионным анализатором Oxford INCA Energy 450. Замеры концентраций компонентов были получены при ускоряющем напряжении от 20 кВ и токе зонда 100 мкА. Точность определения концентраций компонентов составляла 1 ат. %.
РФА выполняли в автодифрактометре STOE STADI P на медном монохроматизированном излучении CuKα1 (λ = 1.540598 Å) в интервале 2θ 5°–90°. Для определения параметров элементарных ячеек применяли комплекс программ STOE WinXpow [19]. Уточнение кристаллографических параметров атомов методом Ритвельда по порошковым рентгенограммам проводилось с помощью комплекса программ FullProf Suite [20, 21].
В дополнение к РФА для изучения кристаллической структуры применяли метод рентгеноструктурного анализа (РСА). Монокристаллы для исследования отбирали с поверхности литого образца. РСА был осуществлен на автодифрактометре Bruker APEX-II. Регистрация отражений монохроматизированного MoKα-излучения (λ = = 0.71073 Å) осуществлялась с применением CCD-детектора. Матрица ориентации и параметры элементарной ячейки определялись с помощью программы Bruker SAINT [22].
Дифференциальный термический анализ (ДТА) проводился на сканирующем калориметре NEITZCH Leading Thermal Analysis STA 449 F1 Jupiter Platinum RT в атмосфере гелия высокой чистоты. Масса навески образца составляла 80 мг. ДТА-кривые получены в интервале температур от 25 до 1450°С при скорости нагрева 20°С/мин. Точность определения температуры превращения составила ±1°С.
РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ
Изотермическое сечение и фазовые равновесия. Предварительные исследования участков 2 и 3 тройной системы Yb–Pt–Si, отмеченных на рис. 1, показали, что участок 2 отличается большей сложностью фазовых равновесий, а приготовление сплавов из области концентраций участка 3 (концентрация иттербия более 34 ат. %) методом электродуговой плавки сопровождается значительными потерями иттербия.
В данной статье мы представляем результаты, полученные при исследовании участка 1 системы Yb–Pt–Si.
Фазовые равновесия в кремниевом углу тройной системы Yb–Pt–Si при 850°С показаны на рис. 2.
На основании полученных данных подтверждено образование известных из литературы соединений PtSi, YbSi2 – x, Yb2Pt3Si5, Yb3Pt4Si6, YbPt2Si2, YbPtSi [8, 14, 15, 23–25]. Кроме них, обнаружены новые тройные силициды YbPtSi2, Yb11Pt33Si56, Yb33Pt17Si50. Установлено, что соединения Yb2Pt3Si5, Yb3Pt4Si6, YbPt2Si2, YbPtSi2 при 850°С являются фазами фиксированного состава, а для трех других ИМС возможно существование областей гомогенности.
Определение структур. Составы и основные кристаллохимические параметры фаз, образующих трехфазные равновесия в исследуемой области диаграммы при 850°С, показаны в табл. 1.
Таблица 1.
Фаза | Пр. гр. | Стр. тип | Параметры ячейки, нм | Источник | ||
---|---|---|---|---|---|---|
a | b | c | ||||
Si | Fd3m | C (алмаз) | 0.54306 | [25] | ||
PtSi | Pnma | MnP | 0.5577 | 0.3587 | 0.5916 | [25] |
YbSi2 – x | hP3–P6/mmm | AlB2 | 0.3781 | 0.4101 | [23] | |
τ1, YbPtSi | Pnma | TiNiSi | 0.683535(11) | 0.421898(8) | 0.736841(13) | HP |
0.6844 | 0.4314 | 0.7410 | [8] | |||
τ2, YbPtSi2 | Immm | YIrGe2 | 0.419384(8) | 1.57949(3) | 0.842082(16) | HP |
τ3, Yb11Pt33Si56 | Ромб. | 0.89744(7) | 0.79085(11) | 0.68392(7) | HP | |
τ4, YbPt2Si2 | P4/nmm | CaBe2Ge2 | 0.410211(4) | 0.995333(17) | HP* | |
0.41235(5) | 0.98851(13) | HP** | ||||
0.41221 | 0.99091 | [9] | ||||
0.40959 | 0.99834 | [15] | ||||
τ5, Yb33Pt17Si50 | Гекс. | 0.85201(6) | 1.60458(1) | HP | ||
τ6, Yb2Pt3Si5 | Ibam | U2Co3Si5 | 0.99902(3) | 1.13203(3) | 0.593017(13) | HP |
1.0005 | 1.1334 | 0.5952 | [15] | |||
τ7, Yb3Pt4Si6 | P21/m | Y3Pt4Ge6 | 0.84417(7) | 0.42043(8) β = 99.496(8)° |
1.27638(2) | HP |
0.84560 | 0.42109 β = 99.537° |
1.27864 | [14] |
Ввиду сложности синтеза сплавов в табл. 2 представлены уточненные в STOE параметры ячейки тройных фаз для всех образцов.
Таблица 2.
Фаза | Параметры ячейки, нм | ||
---|---|---|---|
a | b | c | |
YbPtSi | 0.68340(6) | 0.42195(5) | 0.73677(6) |
YbPtSi2 | 0.41886(12) | 1.5784(2) | 0.84117(13) |
YbPtSi2 | 0.41906(2) | 1.57849(8) | 0.84134(3) |
YbPtSi2 | 0.4191(3) | 1.5799(5) | 0.84174(12) |
YbPtSi2 | 0.41934(3) | 1.57947(14) | 0.84197(7) |
YbPtSi2 | 0.41942(8) | 1.5802(3) | 0.84205(16) |
YbPtSi2 | 0.4197(3) | 1.5798(7) | 0.8421(3) |
Yb11Pt33Si56 | 0.89693(8) | 0.79042(10) | 0.68362(5) |
Yb11Pt33Si56 | 0.89723(16) | 0.7910(2) | 0.68342(12) |
Yb11Pt33Si56 | 0.89738(11) | 0.79093(14) | 0.68337(10) |
Yb11Pt33Si56 | 0.89744(7) | 0.79085(11) | 0.68392(7) |
YbPt2Si2 | 0.41013(3) | 0.99565(11) | |
YbPt2Si2* | 0.41014(4) | 0.9932(2) | |
YbPt2Si2 | 0.41037(4) | 0.9958(2) | |
YbPt2Si2 | 0.41050(6) | 0.9929(5) | |
YbPt2Si2* | 0.41254(3) | 0.98612(10) | |
Yb33Pt17Si50 | 0.80528(19) | 1.6050(10) | |
Yb33Pt17Si50 | 0.80522(6) | 1.6041(2) | |
Yb2Pt3Si5* | 0.9977(2) | 1.13049(14) | 0.59038(9) |
Yb2Pt3Si5 | 0.99782(13) | 1.13085(8) | 0.59204(4) |
Yb2Pt3Si5 | 0.9982(3) | 1.1311(3) | 0.59266(13) |
Yb2Pt3Si5 | 0.99821(14) | 1.13110(14) | 0.59278(6) |
Yb2Pt3Si5 | 0.9983(3) | 1.1313(2) | 0.59243(9) |
Yb2Pt3Si5 | 0.99847(19) | 1.13166(15) | 0.59283(8) |
Yb2Pt3Si5 | 0.9985(3) | 1.1314(4) | 0.5924(3) |
Yb2Pt3Si5 | 0.99892(14) | 1.13203(14) | 0.59262(6) |
Yb2Pt3Si5 | 0.99893(16) | 1.13127(12) | 0.59260(5) |
Yb2Pt3Si5 | 0.99896(4) | 1.13216(4) | 0.59265(2) |
Yb2Pt3Si5 | 0.99896(4) | 1.13216(4) | 0.59265(2) |
Yb2Pt3Si5 | 0.99897(11) | 1.13155(13) | 0.59271(6) |
Yb2Pt3Si5 | 0.9990(3) | 1.13198(19) | 0.59279(9) |
Yb2Pt3Si5 | 0.9991(3) | 1.13183(17) | 0.59295(8) |
Yb3Pt4Si6* | 0.84323(5) | 0.42071(2) | 1.27685(14) |
β = 99.495(13)° | |||
Yb3Pt4Si6 | 0.84404(11) | 0.42044(10) | 1.27658(12) |
β = 99.508(13)° | |||
Yb3Pt4Si6 | 0.84412(6) | 0.42062(8) | 1.27655(8) |
β = 99.529(7)° | |||
Yb3Pt4Si6 | 0.84417(7) | 0.42043(8) | 1.2764(2) |
β = 99.496(8)° | |||
Yb3Pt4Si6 | 0.84459(6) | 0.42081(5) | 1.2771(2) |
β = 99.520(10)° | |||
Yb3Pt4Si6 | 0.84450(12) | 0.42062(7) | 1.27662(16) |
β = 99.473(12)° |
Для ИМС YbPt2Si2, Yb2Pt3Si5, YbPtSi, YbPtSi2 структура была подтверждена методом Ритвельда (табл. 3).
Таблица 3.
Фаза | YbPt2Si2 | |||||
Пр. гр. | P4/nmm | |||||
Структурный тип | CaBe2Ge2 | |||||
Параметры ячейки, нм | a = 0.410211(4), | c = 0.995333(17) | ||||
Число отражений | 64 | |||||
2θ, град | 10 ≤ 2θ ≤ 90 | шаг 0.01 | ||||
Число уточняемых параметров | 20 | |||||
R-фактор Брэгга | 0.047 | |||||
Rf-фактор | 0.026 | |||||
χ2 | 1.94 | |||||
Атомные параметры | x | y | z | Bизо | μ | N |
Yb1 | 0.25 | 0.25 | 0.7466(3) | 2.59(10) | 0.13(8) | 2 |
Pt1 | 0.25 | 0.25 | 0.3744(2) | 2.77(11) | 0.13(8) | 2 |
Pt2 | 0.75 | 0.25 | 0 | 2.46(11) | 0.11(7) | 2 |
Si1 | 0.25 | 0.25 | 0.1464(14) | 1.6(7) | 0.11(7) | 2 |
Si2 | 0.75 | 0.25 | 0.5 | 5.1(5) | 0.18(12) | 2 |
Фаза | Yb2Pt3Si5 | |||||
Пр. гр. | Ibam | |||||
Структурный тип | U2Co3Si5 | |||||
Параметры ячейки, нм | a = 0.99902(3), | b = 1.13203(3), | c = 0.593017(13) | |||
Число отражений | 175 | |||||
2θ град | 8 ≤ 2θ ≤ 90 | шаг 0.005 | ||||
Число уточняемых параметров | 23 | |||||
R-фактор Брэгга | 0.053 | |||||
Rf-фактор | 0.035 | |||||
χ2 | 6.09 | |||||
Атомные параметры | x | y | z | Bизо | μ | N |
Yb1 | 0.2702(2) | 0.3708(4) | 0 | 1.55(8) | 0.5 | 8 |
Pt1 | 0.11543(18) | 0.1383(3) | 0 | 1.34(8) | 0.5 | 8 |
Pt2 | 0.5 | 0 | 0.25 | 1.40(11) | 0.25 | 4 |
Si1 | 0.3592(13) | 0.1085(15) | 0 | 1.5(4) | 0.5 | 8 |
Si2 | 0 | 0.2739(13) | 0.25 | 2.5(5) | 0.5 | 8 |
Si3 | 0 | 0 | 0.25 | 2.9(7) | 0.25 | 4 |
Фаза | YbPtSi | |||||
Пр. гр. | Pnma | |||||
Структурный тип | TiNiSi | |||||
Параметры ячейки, нм | a = 0.683535(11), | b = 0.421897(8), | c = 0.736840(13) | |||
Число отражений | 113 | |||||
2θ, град | 10 ≤ 2θ ≤ 90 | шаг 0.01 | ||||
Число уточняемых параметров | 17 | |||||
R-фактор Брэгга | 0.067 | |||||
Rf-фактор | 0.036 | |||||
χ2 | 2.38 | |||||
Атомные параметры | x | y | z | Bизо | μ | N |
Yb1 | 0.2015(3) | 0.25 | 0.5840(4) | 0.71(6) | 0.5 | 4 |
Pt1 | –0.0006(4) | 0.25 | 0.1988(4) | 4.50(9) | 0.5 | 4 |
Si1 | 0.819(2) | 0.25 | 0.593(3) | 4.9(4) | 0.5 | 4 |
Фаза | YbPtSi2 | |||||
Пр. гр. | Immm | |||||
Структурный тип | YIrGe2 | |||||
Параметры ячейки, нм | a = 0.419384(8), | b = 1.57949(3), | c = 0.842082(16) | |||
Число отражений | 167 | |||||
2θ, град | 8 ≤ 2θ ≤ 90 | шаг 0.005 | ||||
Число уточняемых параметров | 24 | |||||
R-фактор Брэгга | 0.041 | |||||
Rf-фактор | 0.033 | |||||
χ2 | 6.09 | |||||
Атомные параметры | x | y | z | Bизо | μ | N |
Yb1 | 0 | 0 | 0.2625(3) | 1.60(4) | 0.25 | 4 |
Yb2 | 0 | 0.20152(10) | 0.5 | 1.53(5) | 0.25 | 4 |
Pt1 | 0.5 | 0.14815(5) | 0.24724(17) | 1.44(3) | 0.5 | 8 |
Si1 | 0.5 | 0.0738(7) | 0 | 3.4(3) | 0.25 | 4 |
Si2 | 0.5 | 0.0862(6) | 0.5 | 2.6(3) | 0.25 | 4 |
Si3 | 0.5 | 0.2990(5) | 0.3535(8) | 5.1(2) | 0.5 | 8 |
Параметры асимметрии | 0.148(5) | 0.0391(7) |
YbPt2Si2. Кристаллическая структура соединения YbPt2Si2 изучена методом РСА монокристалла (табл. 4) и подтверждена методом РФА порошка. Полученные данные подтверждают структурный тип CaBe2Ge2 [9, 15].
В связи с наличием в литературе информации о структурном типе ThCr2Si2 для этого соединения [7] (I4/mmm, a = 0.4097 нм, c = 0.9962 нм) был проведен дифференциальный термический анализ. Результаты показали обратимый фазовый переход при 1064(1)°C. Точки плавления нагревом сплава до 1450°C достичь не удалось. После остывания до комнатной температуры кристаллическая структура соединения YbPt2Si2 по-прежнему была примитивной тетрагональной.
Yb33Pt17Si50. Новое соединение с относительно высоким содержанием иттербия имеет состав Yb33Pt17Si50 и находится на границе исследуемой области диаграммы Yb–Pt–Si. Рентгеновские отражения индицируются в гексагональной сингонии с параметрами a = 0.80522(6) нм, с = 1.6041(2) нм, FoM (Figure of Merit) F(30) = 25.5 (0.011, 106). Структурный тип, вероятно, является производным от Lu2CoGa3 и принадлежит семейству структур AlB2 [26].
Таблица 4.
Состав сплава | Yb20Pt40Si40 |
Размер кристалла, нм | 40 × 40 × 40 |
Пр. гр. | P4/nmm (№ 129), |
Начало в центре инверсии | |
Прототип | CaBe2Ge2 |
Символ Пирсона | tP10 |
Параметры элементарной ячейки, нм | a = 0.41235(5) |
c = 0.98851(13) | |
Объем элементарной ячейки, нм3 | 0.16808(5) |
Химическая формула из уточнения | YbPt2Si2 – x (x = 0.19) |
Молекулярная масса, г/моль | 611.0 |
Z | 2 |
Расчетная плотность, г/см3 | 12.239 |
Коэффициент абсорбции, мм–1 | 111.04 |
θ (min, max), град | 2.06, 38.16 |
Отражения в уточнении | 254 ≥ 4σ(Fo) из 318 |
Диапазон hkl | –7 ≤ h ≤ 7 |
–7 ≤ k ≤ 7 | |
–16 ≤ l ≤ 16 | |
Число уточняемых параметров | 16 |
$R = {{\sum \left| {\left| {{{F}_{{\text{o}}}}} \right| - \left| {{{F}_{c}}} \right|} \right|} \mathord{\left/ {\vphantom {{\sum \left| {\left| {{{F}_{{\text{o}}}}} \right| - \left| {{{F}_{c}}} \right|} \right|} {\sum \left| {{{F}_{{\text{o}}}}} \right|}}} \right. \kern-0em} {\sum \left| {{{F}_{{\text{o}}}}} \right|}}$ | 0.038 |
Rинт | 0.030 |
wR2 | 0.101 |
GoF, S = {Σ[w($F_{{\text{o}}}^{2} - F_{c}^{2}$)2]/(n – p)}1/2 | 1.114 |
Коэффициент экстинкции | 0.0069(13) |
Остаточная плотность, e/Å3 (max, min) | 5.32, –4.86 |
Атомная позиция 1 | 2 Yb1 в 2c (0.25, 0.25, z); |
z = 0.75299(9) | |
Заселенность | 1.00 |
Uэкв | 0.0103(3) |
Атомная позиция 2 | 2 Pt1 в 2c (0.25, 0.25, z); |
z = 0.12703(8) | |
Заселенность | 1.00 |
Uэкв | 0.0105(2) |
Атомная позиция 3 | 2 Pt2 в 2b (0.75, 0.25, 0.5) |
Заселенность | 1.00 |
Uэкв | 0.0170(3) |
Атомная позиция 4 | 2 Si1 в 2c (0.25, 0.25, z); |
z = 0.3639(6) | |
Заселенность | 0.898(5) |
Uэкв | 0.0097(18) |
Атомная позиция 5 | 2 Si2 в 2a (0.75, 0.25, 0) |
Заселенность | 1.00 |
Uэкв | 0.0126(12) |
Yb11Pt33Si56. Соединение с неизвестным структурным типом и предположительным составом Yb11Pt33Si56 появляется после отжига при 850°С. Это проиллюстрировано на рис. 3 и 4 микроструктурой соответственно литого и отожженного образцов сплава Yb6.7Pt40Si53.3, на микрофотографиях видно, как Si сменяется новой фазой. Более того, изображенные на рис. 5 и 6 образцы состава Yb18.5Pt38.2Si43.3, находящегося в соседнем фазовом треугольнике, демонстрируют такое же изменение. 36 выделенных рефлексов Yb11Pt33Si56 индицируются в ромбической решетке с параметрами a = 0.89744(7) нм, b = 0.79085(11) нм, c = = 0.68392(7) нм. Согласно данным STOE, при уточнении полученных параметров элементарной ячейки в каждой из пр. гр. с 16 по 74 номер подходят только пять: Pmmm FoM F(30) = 79.1 (0.007, 57), P222 FoM F(30) = 79.1 (0.007, 57), P2221 FoM F(30) = 82 (0.007, 55), Pmm2 FoM F(30) = 79.1 (0.007, 57), Pmn21 FoM F(30) = 92 (0.007, 49).
Список литературы
Ott H.R., Walti Ch. Trends in Superconductivity of Heavy-Electron Metals // J. Supercond. Novel Magn. 2000. V. 13. № 5. P. 837.
Арсеев П.И., Демишев С.В., Рыжов В.Н., Стишов С.М. Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления // УФН. 2005. Т. 175. № 10. С. 1125–1139. https://doi.org/10.3367/ UFNr.0175.200510m.1125
Nakatsuji S., Kuga K., Machida Y. Superconductivity and Quantum Criticality in the Heavy-Fermion System β-YbAlB4 // Nat. Phys. 2008. V. 4. P. 603–607.
Imai M., Sato A., Aoyagi T., Kimura T., Matsushita Y., Tsujii N. Superconductivity in the AlB2-Type Ternary Rare-Earth Silicide YbGa1.1Si0.9 // J. Am. Chem. Soc. 2008. V. 130. P. 2886–2887.
Weller T.E., Ellerby M., Saxena S.S., Smith R.P., Skipper N.T. Superconductivity in the Intercalated Graphite Compounds C6Yb and C6Ca // Nat. Phys. 2005. V. 1. P. 39–41.
Gribanov A., Grytsiv A., Royanian E., Rogl P., Bauer E., Giester G., Seropegin Y. On the System Cerium–Platinum–Silicon // J. Solid State Chem. 2008. V. 181. P. 2964–2975.
Rossi D., Marazza R., Ferro R. Ternary RMe2X2 Alloys of the Rare Earths with the Precious Metals and Silicon (or Germanium) // J. Less-Common Met. 1979. V. 66. P. 17–25.
Rossi D., Mazzone D., Marazza R., Ferro R. A Contribution to the Crystallochemistry of Ternary Rare Earth Intermetallic Phases // Z. Anorg. Allg. Chem. 1983. V. 507. P. 235–240.
Hiebl K., Rogl P. Magnetism and Structural Chemistry of Ternary Silicides: (RE,Th,U)Pt2Si2 (RE = Rare Earth) // J. Magn. Magn. Mater. 1985. V. 50. P. 39–48.
Dhar S.K., Sampathkumaran E.V., Nambudripad N., Vijayaraghavan P.R. Heat Capacity and Magnetic Susceptibility of Mixed Valent YbPt2Si2 // Solid State Commun. 1988. V. 67. P. 949–951.
Gribanov A., Grytsiv A.V., Rogl P., Seropegin Y.D., Giester G. Crystal structures of RPt3 −xSi1 −y (R = Y, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb) Studied by Single Crystal X-ray Diffraction // J. Solid State Chem. 2009. V. 182. P. 1921–1928.
Gribanov A., Grytsiv A.V., Rogl P., Seropegin Y.D., Giester G. X-ray Structural Study of Intermetallic Alloys RT2Si and RTSi2 (R = Rare Earth, T = Noble Metal) // J. Solid State Chem. 2010. V. 183. P. 1278–1289.
Kaczorowski D., Gribanov A., Safronov S., Rogl P., Seropegin Y. Formation and Physical Properties of a Novel Compound Yb3Pt23Si11 // J. Alloys Compd. 2011. V. 509. P. 8987–8990.
Gribanov A., Rogl P., Grytsiv A.V., Seropegin Y.D., Giester G. Novel Intermetallic Yb3Pt4Si6 – x (x = 0.3) – A Disordered Variant of the Y3Pt4Ge6-Type // J. Alloys Compd. 2013. V. 571. P. 93–97.
Fikácek J., Prchal J., Sechovský V. Magnetic, Thermal and Transport Properties of YbPt2Si2 and Yb2Pt3Si5 Single Crystals // Acta Phys. Pol. A. 2014. V. 126. P. 310–311.
Opagiste C., Barbier C., Haettel R., Galéra R.M. Physical Properties of the R3Pt23Si11 Compounds with Volatile Rare Earth: Sm, Eu, Tm and Yb // J. Magn. Magn. Mater. 2015. V. 378. P. 402–408.
Борисенко О.Л. Фазовые равновесия и некоторые физико-химические свойства сплавов систем Yb–{Pt,Pb}–{Si,Ge}: Дис. … канд. хим. наук, 02.00.01. М. 1993. С. 134.
Lipatov A., Gribanov A., Grytsiv A., Safronov S., Rogl P., Rousnyak J., Seropegin Y., Giester G. The Ternary System cerium–rhodium–silicon // J. Solid State Chem. 2010. V. 183. P. 829–843.
STOE WINXPOW (Version 1.06). Stoe & Cie GmbH, Darmstadt, Germany. 1999.
Rodriguez-Carvajal J. FULLPROF: a program for rietveld refinement and pattern matching analysis // Abstracts of the Satellite Meeting on Powder Diffraction of the XV Congress of the IUCr. Toulouse, 1990. P. 127.
Roisnel T., Rodriguez-Carvajal J. Materials Science Forum, Proceedings of the European Powder Diffraction Conference (EPDIC7). 2000. P. 118.
Sheldrik G.M. XPRER 6.14, Bruker saint, BRUKER APEX2. 2003.
Palenzona A., Manfrinetti P., Brutti S., Balducci G. The Phase Diagram of the Yb–Si System // J. Alloys Compd. 2003. V. 348. P. 100–104.
Iandelli A., Palenzona A., Olcese G.L. Valence Fluctuations of Ytterbium in Silicon-Rich Compounds // J. Less-Common Met. 1979. V. 64. P. 213–220.
Massalski T.B. Binary Alloy Phase Diagrams, second ed. Materials Park: ASM International, 1990.
Gladyshevskii R.E., Cenzual K., Parthe E. Er2RhSi3 and R2CoGa3 (R – Y, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb) with Lu2CoGa3 Type Structure: New Members of the AlB2 Structure Family // J. Alloys Compd. 1992. V. 189. P. 221−228.
Дополнительные материалы отсутствуют.
Инструменты
Неорганические материалы