1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Неорганические материалы
  4. T. 58, № 6, 2022

Неорганические материалы, 2022, T. 58, № 6, стр. 589-595

Влияние гамма-радиации на магнитотермоэлектрические свойства экструдированных образцов Bi0.85Sb0.15, модифицированных ZrО2

М. М. Тагиев 1, 2, *, И. А. Абдуллаева 2, 3, Г. Д. Абдинова 2

1 Азербайджанский государственный экономический университет
AZ1001 Баку, ул. Истиглалият, 6, Азербайджан

2 Институт физики Национальной академии наук Азербайджана
AZ1143 Баку, пр. Г. Джавида, 131, Азербайджан

3 Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана
AZ1143 Баку, пр. Б. Вагабзаде, 9, Азербайджан

* E-mail: mail_tagiyev@mail.ru

Поступила в редакцию 07.12.2021
После доработки 09.02.2022
Принята к публикации 10.02.2022

Полный текст (PDF)

Аннотация

Исследованы электрические и тепловые свойства экструдированных образцов Bi0.85Sb0.15, немодифицированных и модифицированных ZrO2, в зависимости от дозы гамма-излучения в интервале температур ∼77—300 К и напряженности магнитного поля (H) до ~74 × 104 А/м. Выяснено, что при малых дозах облучения (1 Мрад) в нелегированных и немодифицированных образцах твердого раствора Bi0.85Sb0.15 возникают радиационные донорные дефекты, рассеивающие носители тока, что приводит к росту электропроводности σ, уменьшению коэффициента термо-ЭДС α и подвижности μ. По мере роста количества дефектов происходит захват носителей тока, что приводит к уменьшению концентрации и росту μ. Рассчитаны электронная и решеточная части теплопроводности и определена их зависимость от дозы облучения.

Ключевые слова: экструзия, модифицирование, подвижность, гамма-облучение, отжиг

ВВЕДЕНИЕ

Твердые растворы системы Bi–Sb, особенно высокопрочные экструдированные материалы на их основе, наиболее эффективны для создания различных низкотемпературных преобразователей энергии [1–7]. Высокие эксплуатационные характеристики обуславливают широкое использование приборов на основе твердых растворов систем Bi–Sb в различных областях техники в условиях воздействия ионизирующих излучений. Обеспечение работоспособности различных преобразователей энергии в условиях воздействия ионизирующих излучений естественного и искусственного происхождения становится все более актуальной проблемой вследствие расширения области применения этих приборов в промышленных, специальных и космических объектах [8–16]. Термоэлектрическая эффективность определяется параметром Z = α2σ/χ, где σ – удельная электропроводность, α – коэффициент термо-ЭДС, χ – коэффициент теплопроводности. В последние годы оптимизация добротности термоэлектриков сводится к варьированию концентрации и подвижности носителей тока, а также решеточной части теплопроводности в используемом материале. [17, 18]. В частности, были высказаны предположения о возможности повышения термоэлектрической эффективности в материалах с двумерными и трехмерными дефектами кристаллической структуры, расстояния между которыми соизмеримы с длиной свободного пробега носителей заряда или длиной волны акустических фононов, ответственных за перенос тепла. Эти предположения основываются на возможности создания условий, при которых в материале происходит более сильное рассеяние тепловых колебаний по сравнению с электронами и дырками. Эффекта можно добиться, например, введя в матрицу вещества мелкодисперсную вторую фазу (аналогично введению второй фазы в материал при его дисперсном упрочнении) [19].

Наиболее перспективна разработка технологии повышения эффективности термоэлектрического материала за счет модифицирования. Метод заключается во введении в полупроводниковую матрицу рассеивающей фазы (модификатора) с коэффициентом термического расширения (КТР), отличным от КТР матрицы. В результате такого различия после охлаждения от температуры прессования, в матрице образуются упругонапряженные зоны. Создание таких напряженных зон в решетке термоэлектрической матрицы приводит к тому, что ее теплопроводность уменьшается больше, чем увеличивается электросопротивление [20]. Поэтому для получения термоэлектрического материала с необходимыми параметрами следует не только установить его оптимальный состав, но и определить оптимальную концентрацию носителей заряда и условия рассеяния носителей заряда и фононов, приводящие к достаточно высокому отношению подвижности к решеточной части теплопроводности μ/χр, а также разработать технологию получения и термообработки [21].

Приборы на основе твердых растворов системы Bi-Sb часто применяются и в условиях радиации. Образование радиационных дефектов (РД), влияя на физические свойства полупроводника, изменяет и параметры прибора на его основе. Поэтому важно изучение влияния РД, на физические свойства твердых растворов системы Bi–Sb.

Исследование влияния гамма-радиации на электрические свойства экструдированных образцов твердого раствора Bi0.85Sb0.15〈Те〉 показало, что возникающие РД, рассеивая носители тока, значительно влияют на электрические свойства образцов [22].

С целью выяснения особенностей влияния модифицирования и РД на свойства твердых растворов системы Bi–Sb получены экструдированные образцы Bi0.85Sb0.15, модифицированные ZrO2, и исследованы их магнитотермоэлектрические свойства в зависимости от дозы гамма-излучения в интервале температур ∼77—300 К и напряженности магнитного поля до ~74 × 104 А /м. Были исследованы необлученные образцы и те же образцы, облученные дозой гамма-квантов 1, 10 и 50 Мрад.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

Экструдированные образцы Bi0.85Sb0.15〈ZrO2〉 получены в следующей технологической последовательности: синтез из исходных компонентов; механическое измельчение сплава в фарфоровой ступке и отбор фракции с размерами частиц ≤0.5 мм; механическое смешивание порошков сплава и модификатора ZrO2 (1 мас. % ZrO2, получен плазмохимическим методом, средний диаметр частиц ~50 нм, температура плавления ~2950 К), изготовление методом холодного прессования при комнатной температуре и давлении ∼350 МПа брикетов диаметром ∼30 мм для следующего этапа процесса экструзии; экструзия мелкодисперсных заготовок (брикетов).

В работе [23] исследованы гальваномагнитные свойства чистых и легированных теллуром и свинцом твердых растворов Bi0.85Sb0.15 с добавлением модификатора ZrO2 до ~3 мас. %. Показано, что введение ZrO2 свыше 1 мас. % ухудшает термоэлектрические параметры Bi0.85Sb0.15. Поэтому в данной статье мы использовали 1 мас. % ZrO2. Частицы модификатора вводили в матрицу в процессе отжига заготовки при температурах, лежащих между температурами ликвидуса и солидуса матрицы (подплавление). Модификатор равномерно распределяется в жидкой части объема, долю которой можно варьировать температурой отжига в соответствии с диаграммой состояния. Экспериментально установлено, что лучшим с этой точки зрения является отжиг при температурах, обеспечивающих 70–80% объема жидкой фазы. Установлено, что сам процесс подплавления оказывает положительное влияние на свойства термоэлектрического материала.

В качестве исходных компонентов были использованы висмут марки ВИ-0000 и сурьма марки СУ-0000. Синтез проводили прямым совместным сплавлением компонентов в вакууммированных до ∼10–2 Па кварцевых ампулах при ~ 673 К в течение 2 ч. Исходные вещества в стехиометрическом соотношении помещались в кварцевую ампулу, предварительно протравленную в растворе хромпика (K2Cr2O7 + Н2SO4) и промытую дистиллированной водой. В процессе синтеза ампулу с веществом постоянно подвергали качанию, затем закаливали в воду.

Технологические параметры экструзии (температуру, скорость вытяжки и др.) выбирали такими, чтобы формирование брусков проходило в условиях сверхпластичности без макро- и микронарушений. Прочность на изгиб полученных экструдированных образцов в ∼3 раза превышает прочность монокристаллических образцов аналогичного состава. Экструзия проводилась на гидравлическом прессе МС-1000 с диаметра ∼30 мм на диаметр ∼6 мм с применением специальной оснастки. Технологические параметры экструзии составляли: Тэкс = 475 ± 3 К, Рэкс = 480 МПа, скорость перемещение пресса vпр = 0.02 см /мин, степень вытяжки 25.

На рентгеновской установке XR D8 ADVANCE (Bruker, Germany) была исследована текстура экструдированных образцов методом, описанным в [24]. Рентгеновские дифрактограммы регистрировали при ~300 К с помощью дифрактометра D2 Phaser (Brucker) c использованием излучения CuKα. Полученные дифрактограммы, расшифрованные с использованием программы TOPAS-4.2, подтвердили, что образцы представляют собой порошки твердого раствора Bi0.85Sb0.15, который кристаллизуется в гексагональной сингонии. Межплоскостные расстояния висмута, сурьмы и их твердых растворов по основным линиям близки друг к другу, поэтому определение фазового состава проводилось с использованием эталона – висмута марки Ви-0000.

На дебаеграммах и лауэграммах исследуемых образцов Bi0.85Sb0.15 наблюдаются сильно уширенные симметричные пики для всех кристаллографических направлений, что свидетельствует о большой величине микронапряжений.

Данные, полученные с помощью рентгенофазового анализа, подтверждены электронно-микроскопическими исследованиями, проведенными с помощью растрового электронного микроскопа на шлифах, приготовленных по обычной методике с помощью алмазных паст.

При электроискровой резке за счет плавления полупроводникового материала и закалки жидкой фазы, образования импульсного поля термических напряжений и т.д. на поверхности образцов образуется нарушенный поликристаллический слой, сильно загрязненный продуктами электрода и диэлектрической среды. Поэтому после резки поверхность образцов подвергали электрохимическому травлению в растворе KOH + C4H6O6 + H2O при ~300 К. Время электрохимического травления 20–25 с, плотность тока, проходящего через образец, 0.5 А/см2 [25]. Изготовленные образцы подвергались отжигу при температуре ~503 К в откачанных до ∼10–2 Па кварцевых ампулах.

Образцы были облучены гамма-квантами (гамма-радиация) в изотопном источнике 60Со с различными дозами (1, 10 и 50 Мрад).

Образцы для измерения вырезались из экструдированных прутков методом электроискровой резки и имели форму параллелепипеда с размерами 0.2 × 0.4 × 1.5 см. Нанесение контактов на образцы проводилось сплавом Вуда (25Bi + 50Pb + + 12.5Sn + 12.5Cd мас. %) с температурой плавления ~343 К с использованием флюса (CH5ON3 + + HCl + C3H8O3). Контакты были точечными и имели размеры 0.5 мм.

Исследованы электропроводность (σ), коэффициенты термо-ЭДС (α), Холла (RХ) и теплопроводность (χ) образцов, прошедших отжиг после экструзии при ~503 К в течение 2 ч, как необлученных гамма-квантами, так и после облучения различными дозами в интервалах ∼77—300 К и напряженности магнитного поля (H) до ~74 × 104 А/м.

Магнитотермоэлектрические параметры образцов измеряли методом, описанным в [26], вдоль образца (прутка), т.е. в направлении экструзии, с погрешностью ≈3%.

РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ

Результаты измерений представлены на рис. 1, 2 и в табл. 1. Видно, что в образцах, не содержащих модификатора, облучение дозой 1 Мрад приводит к росту концентрации носителей тока при ~77 К в ~20 раз. Подвижность носителей тока при этом уменьшается в ~12 раз. С ростом дозы облучения до 10 Мрад концентрация носителей тока сильно падает (от 4.96 × 1018 до ~1.0 × 1017 см–3), затем медленно уменьшается при дозе 50 Мрад и достигает значения 0.7 × 1016 см–3. С ростом дозы облучения от 1 до 50 Мрад подвижность носителей тока растет и достигает значения ~3.5 × 105 см2/(В с). В модифицированных образцах Bi0.85Sb0.15 зависимости μ и n от дозы облучения носят несколько иной характер. Добавление модификатора (частиц ZrO2 с размерами ~50 нм) в два раза уменьшает μ, в ∼1.8 раза увеличивает n. Облучение дозой 1 Мрад приводит к падению n (в ~2.1 раза) и росту μ (в ~2.3 раза). Дальнейший рост дозы облучения мало влияет как на концентрацию, так и на подвижность носителей тока. Изменения μ и n соответствующим образом влияют на электропроводность, коэффициенты термо-ЭДС и теплопроводность исследованных образцов.

Рис. 1.

Температурные зависимости электропроводности σ (а), коэффициентов термо-ЭДС α (б), Холла (RХ) (в) и теплопроводности χ (г) экструдированных образцов Bi0.85Sb0.15, немодифицированных (1) и модифицированных ZrO2 (2—5), необлученных (1, 2) и облученных дозами 1 (3), 10 (4), 50 Мрад (5).

Рис. 2.

Зависимости электропроводности σ (а), коэффициентов термо-эдс α (б), Холла (RХ) (в) и теплопроводности χ (г) от напряженности магнитного поля (Н) экструдированных образцов Bi0.85Sb0.15 при 77 К (кривые 1–5 те же, что на рис. 1).

Таблица 1.  

Электрические и тепловые параметры экструдированных образцов твердого раствора Bi0.85Sb0.15, немодифицированных и модифицированных ZrO2, до и после обучения

Доза ради-ации, Мрад Состав σ, См/см α, мкВ/К χ, Вт/(м К) RХ × 10–8, см3/Кл µ, см2/(В с) n, см–3 σ, См/см α, мкВ/К χ, Вт/(м К) RХ × 10–8, см3/Кл µ, см2/(В с) n, см–3
77 К 300 К
0 Bi0.85Sb0.15 5250 –182 3.02 –26.5 139 125 0.24 × 1018 7520 –95 5.96 –1.43 10754 4.4 × 1018
Bi0.85Sb0.15 + + 1%ZrO2 4899 –134 2.93 –14.33 70 203 0.44 × 1018 5667 –93 5.29 –1.34 7594 4.7 × 1018
1 Bi0.85Sb0.15 8481 –121 3.07 –1.26 10 686 4.96 × 1018 6524 –89 5.08 –1.26 8220 5 × 1018
Bi0.85Sb0.15 + + 1%ZrO2 5604 –169 2.25 29.2 163 637 0.21 × 1018 6610 –60 7.56 –21 13173 0.3 × 1018
10 Bi0.85Sb0.15 4240 –161 3.06 –60 254 400 0.1 × 1018 6890 –101 6.32 –17.4 119886 0.36 × 1018
Bi0.85Sb0.15 + + 1%ZrO2 4563 –159 4.37 –37 168 831 0.16 × 1018 5503 –102 5.99 –31.5 173345 0.2 × 1018
50 Bi0.85Sb0.15 4552 –188 4 –85 386 920 0.07 × 1018 6448 –90 4.76 –34.3 221166 0.18 × 1018
Bi0.85Sb0.15 + + 1%ZrO2 4703 –161 4.34 –30 141 090 0.2 × 1018 5789 –47 5.41 –21 141876 0.3 × 1018

Из табл. 1 следует, что с ростом дозы облучения растет общая теплопроводность образцов, модифицированных ZrO2. При ~77 К тепловая энергия в твердом растворе Bi0.85Sb0.15 в основном переносится колебаниями решетки и электронами проводимости [27–29]. Исходя из этого по выражениям χр = χ–χэ и χэ = LσТ рассчитаны соответственно электронная (χэ) и решеточная (χр) составляющие теплопроводности. Здесь χ – измеренная теплопроводность, σ – электропроводность при данной температуре Т, L = A(k/e)2 – число Лоренца, k – постоянная Больцмана, е – заряд электрона. Значение А оценено из зависимости А от коэффициента термо-ЭДС [30].

Расчеты показали, что значения χэ при ~77 К для модифицированных необлученных и облученных дозами 1, 10 и 50 Мрад образцов равны 0.67, 0.77, 0.65 и 0.64 Вт/(м К) соответственно. В этом случае значения решеточной составляющей χр для вышеперечисленных образцов равны 2.26, 1.48, 3.74 и 3.69 Вт/(м К) соответственно. То есть при ~77 К в исследованных образцах тепло переносится в основном (~77% для модифицированных и необлученных образцов; ~65, ~86 и ~85% для образцов, модифицированных и облученных 1, 10 и 50 Мрад соответственно) колебаниями решетки. Поэтому с ростом дозы облучения χ растет. Таким образом, при низких температурах с увеличением дозы облучения рост χ в образцах обусловлен ростом χр.

Модифицирование образцов Bi0.85Sb0.15 увеличивает плотность дислокаций и одновременно повышает однородность их распределения по образцу, т.е. происходит упорядочение структуры, способствующее росту подвижности носителей тока и решеточной части теплопроводности.

Изменение общей теплопроводности образцов с ростом Н обусловлено изменением электронной составляющей. При малых дозах (1 Мрад) в образцах возникают РД, приводящие к росту концентрацию и уменьшению подвижности носителей тока. С ростом дозы облучения растет и концентрация РД, происходит как объединение этих дефектов, так и захват существующих свободных носителей на их уровень. В результате этого концентрация носителей и, следовательно, σ образца падают, χр несколько растет, уровень Ферми смещается в глубину запрещенной зоны, подвижность и коэффициент термо-ЭДС растут.

При модифицировании за счет различия КТР модификатора и твердого раствора Bi0.85Sb0.15 в экструдированных образцах образуются упругонапряженные заряженные зоны. Эти зоны, рассеивая носители тока, а также компенсируя часть этих носителей, приводят к некоторому уменьшению как концентрации, так и подвижности свободных носителей заряда. Дефекты, созданные облучением модифицированных кристаллов, захватывая свободные носители, уменьшают их концентрацию и повышают подвижность. При этом изменения σ и α модифицированных образцов хорошо коррелируют с изменениями μ и n.

Доза облучения модифицированных образцов практически не влияет на температурные зависимости σ, α и χ.

Из рис. 2 видно, что при ~77 К зависимости σ(Н) и α(Н) для модифицированных образцов не зависят от облучения. Однако магнитосопротивление в необлученных немодифицированных и модифицированных образцах при слабых магнитных полях (до ~16 × 104 А/м), намного больше, чем в облученных образцах. В необлученных и облученных образцах рассеяние электронов превалирует над рассеянием на дефектах. При воздействии на образец магнитного поля, перпендикулярного к направлению движения электронов и дырок, носители заряда отклоняются под действием сила Лоренца. При этом носители, которые рассеиваются слабее и поэтому имеют большее время свободного пробега в магнитном поле, больше отклоняются, чем сильнорассеивающиеся носители. В магнитном поле в исследуемых образцах происходит перераспределения вкладов различных носителей заряда в общий ток: вклад сильнорассеивающихся носителей увеличивается, слаборассеивающихся уменьшается.

Незначительное изменение α во всех облученных образцах Bi0.85Sb0.15 показывает, что при облучении главным образом меняется подвижность носителей заряда. При помещении образца в магнитное поле вклад в общий ток быстрых носителей увеличивается, т.е. растут средняя энергия носителей тока и α. Концентрация структурных дефектов в необлученных образцах мала, поэтому при ~77 К преобладает рассеяние на акустических фононах и в магнитном поле коэффициент термо-ЭДС сильно возрастает.

Облучение приводит к уменьшению концентрации структурных дефектов в экструдированных образцах Bi0.85Sb0.15, возникающих в результате пластической деформации кристаллической решетки в отдельно взятых зернах, увеличению подвижности электронов и усилению рассеяния носителей тока на колебаниях решетки.

Поперечное магнитосопротивление в слабых полях пропорционально квадрату магнитной индукции В и квадрату подвижности носителей заряда μ [31]:

(1)
$\Delta \rho {\text{/}}{{\rho }_{0}} = {\text{ }}А{{\mu }^{2}}{{B}^{2}},$
где коэффициент А зависит от механизма рассеяния носителей тока. Экспериментальные результаты по зависимости Δρ/ρ0 от B2 хорошо согласуются со значением А = 1.18 для рассеяния электронов на фононах в модифицированных образцах Bi0.85Sb0.15. Об этом свидетельствуют и зависимости коэффициента Холла от напряженности магнитного поля.

Аналогичные зависимости наблюдаются и при высоких (до ~300 К) температурах. Однако вследствие уменьшения подвижности носителей тока с ростом температуры эти зависимости несколько ослабляются.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основе полученных данных предполагается, что при малых дозах облучения (1 Мрад) в нелегированных и немодифицированных образцах Bi0.85Sb0.15 возникают РД, играющие роль донорных центров, в результате чего концентрация свободных электронов и, следовательно, электропроводность растут, а коэффициент термо-ЭДС падает. Эти дефекты, рассеивая носители тока, уменьшают их подвижность. С ростом дозы облучения растет и концентрация дефектов, происходит захват свободных носителей на уровень РД.

Изменение дефектов в экструдированных модифицированных образцах Bi0.85Sb0.15 под воздействием гамма-излучения вызывает изменение спектра локализованных состояний и процесса рассеяния электронов, что приводит к соответствующим изменениям электрических и тепловых параметров.

Показано, что рост общей теплопроводности с увеличением дозы облучения обусловлен ростом решеточной части теплопроводности.

Список литературы

  1. Земсков В.С., Белая А.Д., Рослов С.А. и др. Термоэлектрические свойства твердых растворов Bi–Sb // Изв. АН СССР. Металлы. 1978. № 1. С. 73–76.

  2. Белозерова Л.А. Исследования сплавов Bi-Sb для термоэлектрических охлаждающих устройств // Холодильная техника и технология. 1976. № 23. С. 52–54.

  3. Грабько Д.З., Боярская Ю.С., Дынту М.П. Механические свойства полуметаллов типа висмута. Кишинев: Штиинца, 1982. 136 с.

  4. Банага М.П., Соколов О.Б., Бендерская Т.Э., Дудкин Л.Д., Иванова А.Б., Фридман И.И. Особенности структуры и термоэлектрических свойств экструдированных образцов Bi0.88Sb0.12 // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1986. Т. 22. № 4. С. 619–622.

  5. Тагиев М.М., Агаев З.Ф., Абдинов Д.Ш. Термоэлектрические свойства экструдированных образцов Bi0.85Sb0.15 // Неорган. материалы. 1994. Т. 30. № 3. С. 375–378.

  6. Тагиев M.M. Влияние размеров зерен и примеси свинца на термоэлектрические свойства экструдированных образцов твердого раствора Bi0.85Sb0.15 // Неорган. материалы. 2021. Т. 57. № 2. С. 119–124. https://doi.org/10.31857/S0002337X21020135

  7. Тагиев M.M., Джафарова С.З., Ахмедова А.М., Абдинова Г.Д. Термоэлектрические свойства твердого раствора Bi2Te2.7Se0.3 с различными размерами зерен // Изв. вузов. Физика. 2019. Т. 62. № 3. С. 104–109.

  8. Paulescu M., Vizman D., Lascu M., Negrila R., Stef M. Experimental Study of Proton Irradiation Effect on Silicon Solar Cells // Physics Conf TIM 15–16. Timisoara, 2017. V. 1796 (1). https://doi.org/10.1063/1.4972388

  9. Park S., Bourgoin J.C., Sim H., Baur C., Khorenko V., Cavani O., Bouerois J., Picard S., Boizot B. Space Degradation of 3J Solar Cells: I—Proton Irradiation // Prog. Photovolta ics. 2018. V. 26. № 10. P. 778–788. https://doi.org/10.1002/pip.3016

  10. Козюхин С.А. Химическое модифицирование материалов фазовой памяти на основе сложных халькогенидов // Журн. неорган. химии. 2021. Т. 66. № 2. С. 291–297.

  11. Титов Д.Д., Щербакова Г.И., Гуменникова Е.А., Похоренко А.С., Лысенков А.С., Фролова М.Г., Каргин Ю.Ф. Влияние добавки Sm2O3 на процесс спекания MgAl2O4 из предкерамического Al, Mg-олигомера // Журн. неорган. химии. 2021. Т. 66. № 8. С. 1032–1039.

  12. Грищенко Д.Н., Голуб А.В., Курявый В.Г., Шлык Д.Х., Медков М.А. Биоактивная керамика на основе ZrO2, легированная TA2O5: получение и свойства // Журн. неорган. химии. 2021. Т. 66. № 10. С. 1497–1504.

  13. Oraby O.A., El-Kordy M.F., El-Madany H.T., Fahmy F.H. UA Sat Solar Array Design and Performance Characteristics // Int. J. Sci., Eng. Technol. Res. 2014. V. 3. № 2. P. 167–172.

  14. Volkov A.G., Dyugaeva N.A., Kuvyrkin G.N. et al. Studying the Change in Characteristics of Optical Surfaces of a Spacecraft // Cosmic Res. 2017. V. 55. P. 124–127. https://doi.org/10.1134/S0010952517020071

  15. Lehman J.H., Lee B., Grossman E.N. Far Infrared Thermal Detectors for Laser Radiometry Using a Carbon Nanotube Array // Appl. Opt. 2011. V. 50. № 21. P. 4099–4104. https://doi.org/10.1364/AO.50.004099

  16. Гайдар Г.П. Кинетика электронных процессов в γ‑облученных (60Со) монокристаллах n-Ge // ФТП. 2014. Т. 48. Вып. 9. С. 1171–1175.

  17. Сидоренко Н.А., Дашевский З.М. Эффективные кристаллы Bi-Sb для термоэлектрического охлаждения при температурах Т ≤ 180 К // ФТП. 2019. Т. 53. Вып. 5. С. 693–697.

  18. Иванова Л.Д. Термоэлектрические материалы для различных температурных уровней // ФТП. 2017. Т. 51. Вып. 7. С. 948–951.

  19. Портной К.И., Бабич Б.Н. Дисперсноупрочненные материалы. М.: Металлургия, 1974. 199 с.

  20. Задворный Л.И., Горячев Ю.М. Порошковая металлургия термоэлектрических материалов // Тез. докл. всесоюз. семинара “Полупроводниковые материалы для термоэлектрических преобразователей”. Л.: ЛФТИ, 1985. С. 108–109.

  21. Иоффе А.Ф. Полупроводниковые термоэлементы. М.-Л.: Наука, 1960. 186 с.

  22. Абдуллаева И.А., Абдинова Г.Д., Тагиев М.М., Бархалов Б.Ш. Влияние гамма-излучения на электрические свойства экструдированных образцов Bi85Sb15〈Тe〉 // Неорган. материалы. 2021. Т. 57. № 9. С. 933–939.

  23. Тагиев М.М. Гальваномагнитные свойства легированных твердых растворов Bi0.85Sb0.15, модифицированных ZrO2 // Неорган. материалы. 1999. Т. 35. № 9. С. 1042–1044.

  24. Хейкер Д.М., Зевин Л.С. Рентгеновская дифрактометрия. М.: Физматгиз, 1963. 380 с.

  25. Алиева Т.Д., Абдинов Д.Ш., Салаев Э.Ю. Влияние обработки поверхностей термоэлектрических материалов на свойства термоэлементов, изготовленных из твердых растворов систем Bi2Te3–Bi2Se3 и Bi2Te3–Sb2Te3 // Изв. АН. СССР. Неорган. материалы. 1981. Т. 17. № 10. С. 1773–1776.

  26. Охотин А.С., Пушкарский А.С., Боровикова Р.П., Смирнов В.А. Методы измерения характеристик термоэлектрических материалов и преобразователей. М.: Наука, 1974. 168 с.

  27. Земсков В.С., Бородин П.Г., Белая А.Д., Рослов С.А. Явления переноса в висмуте и твердых растворах висмут-сурьма. М.: Институт металлургии им А.А. Байкова АН СССР, 1978. 52 с.

  28. Тагиев M.M., Агаев З.Ф., Абдинов Д.Ш. Теплопроводность Bi0.85Sb0.15, легированного теллуром // Неорган. материалы. 1994. Т. 30. № 6. С. 776–778.

  29. Агаев З.Ф., Тагиев M.M., Абдинова Г.Д., Багиева Г.З., Абдинов Д.Ш. Теплопроводность экструдированных образцов Bi85Sb15 с примесями Gd и Pb // Неорган. материалы. 2008. Т. 44. № 2. С. 137–139.

  30. Оскотский В.С., Смирнов И.А. Дефекты в кристаллах и теплопроводность. Л.: Наука, 1972. 160 с.

  31. Канилов В.Н., Метов-Деглин Л.П. Критерии оценки химической чистоты и качества кристаллов висмута // ФММ. 1974. Т. 37. № 5. С. 1108–1111.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Неорганические материалы

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал