Журнал неорганической химии, 2019, T. 64, № 7, стр. 736-740
Фазообразование в тройной системе Nd2S3–Ga2S3–EuS
И. Б. Бахтиярлы 1, *, Р. Д. Курбанова 1, А. С. Абдуллаева 1, **, А. Б. Алиев 1, Ф. М. Мамедова 1
1 Институт катализа и неорганической химии им. академика М. Нагиева НАН Азербайджана
Az1143 Баку, пр-т Г. Джавида, 113, Азербайджан
* E-mail: ibbakhtiyarli@mail.ru
** E-mail: iradam@rambler.ru
Поступила в редакцию 13.06.2018
После доработки 29.11.2018
Принята к публикации 17.12.2018
Аннотация
Методами физико-химического анализа исследована тройная система Nd2S3–Ga2S3–EuS. Построена проекция поверхности ликвидуса и определены границы области стеклообразования. Установлено, что тройная система состоит из десяти полей первичной кристаллизации отдельных фаз и области стеклообразования. Изучен термолиз синтезированных стекол и сняты их ИК-спектры. Установлено, что во время термолиза в инертной атмосфере при температуре 1010 K стекло (Ga2S3)0.70(Nd2S3)0.25(EuS)0.05 размягчяется и далее при 1110 K кристаллизуется. Убыль массы доказывает, что наблюдаемые в интервале температур 1145–1225 K экзотермические эффекты связаны со стадийным разложением стекла.
ВВЕДЕНИЕ
В настоящее время халькогенидные стеклообразные полупроводники находят все более широкое применение в технике и представляют большой научный и практический интерес, так как обладают уникальными оптическими, фотоэлектрическими и электрическими свойствами, такими как высокая инфракрасная прозрачность, высокий показатель преломления, светочувствительность, возможность их легирования. Это позволяет широко применять их в фотонике, приборах с оптической памятью, средах для регистрации и хранения оптической голографической информации, в интегральной оптике в качестве микроинтерферометров, коммутаторах, оптических усилителях в телекоммуникационных системах, оптических элементах для инфракрасной (ИК) оптики, нелинейных оптических элементах фоторезисторов в микроэлектронике и т.п. [1–9].
Цель настоящей работы – установление области стеклообразования в тройной системе Nd2S3–Ga2S3–EuS и изучение некоторых физико-химических свойств полученных полупроводниковых халькогенидных стекол.
Халькогенидные стекла, активированные ионами лантаноидов, по своим свойствам опережают многие аналоги, используемые при создании оптических приборов. В настоящее время активно ведется поиск материалов с большой твердостью, малой хрупкостью, высокой термостойкостью и более широкой областью прозрачности. K ним в первую очередь относятся полуторные сульфиды лантаноидов.
В данной работе, которая продолжает наши исследования по изучению тройной системы Nd2S3–Ga2S3–EuS, изложены результаты химического взаимодействия между халькогенидами Nd2S3, Ga2S3 и EuS.
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
Бинарные системы Nd2S3–Ga2S3, Ga2S3–EuS и Nd2S3–EuS, составляющие тройную систему, изучены в работах [10–12]. В результате проведенных нами исследований по внутренним разрезам, а также данных по бинарным системам была построена проекция поверхности ликвидуса тройной системы Nd2S3–Ga2S3–EuS [13–16].
В качестве исходных компонентов использовали β-Ga2S3, α-Nd2S3 и EuS. Синтез β-Ga2S3 проводили сплавлением Ga марки Ql-00 и серы особой чистоты (В-6) в эвакуированных кварцевых ампулах при 1425 K в однотемпературной наклонной печи. Синтез считался завершенным только при отсутствии возгона серы. После синтеза применяли отжиг для приведения полученного β-Ga2S3 в равновесное состояние. β-Ga2S3 кристаллизуется в моноклинной сингонии с параметрами решетки: а = 11.140, b = 6.41, с = 7.038 Å, β = 121.22°, пр. гр. Сс, Z = 4 [17–20]. α-Nd2S3 и EuS представляют собой коммерческие реактивы. α-Nd2S3 кристаллизуется в ромбической сингонии с параметрами решетки: а = 7.442, b = 15.519, с = 4.029 Å, пр. гр. Pnma, Z = 4; EuS – в кубической сингонии с параметрами: а = 5.970 Å, пр. гр. Fm3m [21, 22].
Синтез стекла проходил при давлении, приближенном к атмосферному. Поскольку проводили открытый синтез, давление паров помещенной в реактор серы приблизительно равнялось атмосферному. Избыточная сера выпаривалась через открывающуюся крышку реактора. Поэтому мы имеем основание говорить, что давление паров серы приблизительно близко к атмосферному.
Синтез образцов из области стеклообразования, состоящих из компонентов Nd2S3, Ga2S3 и EuS, проводили под давлением паров серы при 1425 K в стеклографитовом тигле, помещенном в кварцевый реактор, в течение 2.5 ч. Последующую закалку осуществляли при температуре от 1425 K посредством погружения в воду комнатной температуры [19]. Один из полученных образов показан на рис. 1.
Дифференциальный термический анализ (ДТА) проводили на приборе синхронного термического анализа Юпитер STA 449 F3 (Netzsch, Германия), позволяющем определять термические эффекты с точностью 0.10–0.15 K/град.
Рентгенофазовый анализ осуществляли на дифрактометре D2Phаser (Bruker, Германия); микротвердость образцов измеряли на микротвердомере ПМТ-3, оптимальная нагрузка образца – 20 г.
Микроструктурный анализ проводили на микроскопе МИМ-7. Пикнометрическим методом определяли плотность образцов при температуре 300 K (наполнитель – толуол).
ИК-спектры поглощения исходных компонентов и образцов стекол сняты на спектрометре Spekord M в области 200–3000 см–1 при 295 K.
РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ
В результате проведенного исследования установлено, что проекция поверхности ликвидуса тройной системы состоит из 10 полей первичной кристаллизации отдельных фаз и 16 кривых моновариантного равновесия, по которым происходит совместная кристаллизация двух фаз. Установлен характер химического взаимодействия, протекающего по кривым моновариантного равновесия и в нонвариантных точках. Система характеризуется семью нонвариантными равновесиями, где точки Е1–Е6 являются тройными эвтектиками, а точка Р – тройной перитектикой [16].
На основании экспериментальных данных, полученных методами физико-химического анализа, определена область стеклообразования в тройной системе Nd2S3–Ga2S3–EuS и уточнены ее границы (рис. 2). Как видно из проекции поверхности ликвидуса, ограниченная область стеклования соединяет бинарные разрезы Nd2S3–Ga2S3 и Ga2S3–EuS, пересекая два вторичных подчиненных треугольника, и охватывает часть полей кристаллизации Nd6Ga4S14, NdGaS3 и Ga2S3.
На рис. 2 кривые m1m2–$m_{1}^{'}$$m_{2}^{'}$ ограничивают область стеклообразования в тройной системе Nd2S3–Ga2S3–EuS. Темный фон соответствует прозрачным устойчивым стеклам, а заштрихованный – непрозрачным устойчивым стеклам. На дифрактограмме непрозрачных стекол, в отличие от прозрачных, наблюдаются неупорядоченные интенсивные дифракционные полосы, что подтверждает наличие центров кристаллизации в данном образце (рис. 3).
На дифрактограмме (рис. 3) сплавов в области прозрачного стекла, например сплава состава (Ga2S3)0.70(Nd2S3)0.25(EuS)0.05, дифракционные эффекты не наблюдаются, а в области непрозрачного стекла состава (Ga2S3)0.65(Nd2S3)0.15(EuS)0.20 дифракционная картина подтверждает наличие в нем центров кристаллизации (степень кристалличности 41.7% по данным прибора).
Исследование термической стабильности полученных образцов стекол проводили методом ДТА.
На рис. 4 представлена термограмма стекла состава (Ga2S3)0.70(Nd2S3)0.25(EuS)0.05. При нагревании в инертной атмосфере размягчение стекла происходит при 1010 K, а кристаллизация – при 1110 K. Экзоэффекты в интервале температур 1145–1225 K указывают на стадийное разложение стекла.
Цвет тройных стекол в области, богатой Nd2S3, с увеличением содержания EuS темнеет, изменяясь от светло-кофейного до темно-кофейного. Эти стекла устойчивы при комнатной температуре к кислороду воздуха, воде и органическим растворителям. Они частично разлагаются под действием щелочей и кислот.
На рис. 5 показаны ИК-спектры поглощения исходных компонентов и образцов стекол. В ИК-спектрах Ga2S3, Nd2S3 и EuS, идентичных в области 220–360 см–1, присутствуют интенсивные полосы, относящиеся к валентным колебаниям связей M–S. Однако в спектрах Ga2S3 и EuS эти полосы появляются в более высокочастотной области – 260–480 см–1. Колебания EuS фиксируются при 178 и 266 см–1. Из рис. 5 видно, что полоса при 400 см–1 для сульфида галлия и стекла одинаковая, однако интенсивность полосы при 500 см–1 в спектрах образца уменьшается, что, по-видимому, обусловлено ослаблением ковалентности связей M–S.
Кроме того, в спектрах указанных сульфидов присутствуют слабые полосы в области 540–750 см–1, которые, по-видимому, также относятся к валентным колебаниям M–S. Отметим, что в спектре стекла состава (Ga2S3)0.70(Nd2S3)0.25(EuS)0.05 наблюдается рост интенсивности этих полос и смещение в высокочастотную область по сравнению с таковыми в спектрах индивидуальных сульфидов. Это, по-видимому, также связано с увеличением ковалентности связей и появлением новых связей M–S в стекле.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
По результатам экспериментальных данных, полученных методами физико-химических анализа, определено фазообразование в тройной системе. Построена проекция поверхности ликвидуса. Уточнены поля кристаллизации отдельных фаз, определена область стеклообразования и установлена ее граница. Изучено термическое разложение синтезированных стекол и зарегистрированы их ИК-спектры поглощения.
Список литературы
Кертман А.В. // Соросовский образовательный журнал. 2000. Т. 6. № 2. С. 93.
Tveryanovich Yu.S. // Glass Phys. Chem. 2003. V. 29. № 2. P. 166.
Borisov E.N., Smirnov V.B., Tveryanovich A.S. et al. // J. Non-Cryst. Solids. 2003. P. 326.
Кычкова Н.В. Фазовые равновесия и стеклообразование в системах MS–MF2–Ga2S3 (M = Mg, Ca, Sr, Ba). Дис. … канд. хим. наук. Тюмень, 2006.
Козюхин С.А. Модифицирование халькогенидных стеклообразных полупроводников. Дис. … канд. хим. наук. М., 2007.
Ivanova T.Yu., Man’shina A.A., Kurochkin A.V. et al. // J. Non-Cryst. Solids. 2002. V. 298. P. 7.
Tsendin K.D., Bogolovskiy N.A. // Semiconductors. 2012. V. 46. № 5. P. 559.
Vasilyeva A.S., Borisov E.N., Klotchenkoet S.A. et al. // Glass Phys. Chem. 2014. V. 40. № 4. P. 467.
Man’shina A.A., Kurochkin A.V., Degtyarev S.V. et al. // SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. 2001. V. 4429. P. 80.
Алиев О.М., Алиев О.А., Рустамов П.Г. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1987. № 1. С. 22.
Barnier S., Guittard M. // C. R. Acad. Sci. C. 1976. V. 282. № 10. P. 461.
Русейкина А.В., Андреев О.В. Физико-химический анализ природных и технических систем. Тюмень: Тюменск. гос. ун-т, 2008. С. 127.
Bakhtiyarly I.B., Kerimov R.I., Kurbanova R.D., Akhmedova N.R. // Russ. J. Inorg. Chem. 2014. Т. 59. № 5. P. 524. [Бахтиярлы И.Б., Керимов Р.И., Курбанова Р.Д., Ахмедова Н.Р. // Журн. неорган. химии. 2014. Т. 59. № 5. С. 694.]
Бахтиярлы И.Б., Курбанова Р.Д., Керимов Р.И. и др. // XIX Междунар. конф. “Физика прочности и пластичности материалов”. 8–11 июня 2015. Самара, 2015. С. 224.
Bakhtiyarly I.B., Abdullayeva A.S., Kurbanova R.J. et al. // Azerbaijan Chem. J. 2016. № 3. P. 113.
Керимов Р.И. Фазовые равновесия в тройных системах La2S3–Ga2S3–EuS (La–La, Nd) и физико-химические свойства новых фаз. Дис. … д-ра хим. наук. Баку: ИХП НАНА, 2011. 165 с.
Goodyear I., Steigmann G.A. // Acta Crystallogr. 1963. V. 16. № 10. P. 946.
Drewitt J.W.E., Salmon P.S., Zeidler A. et al. // J. Phys.: Condens. Matter. 2017. V. 29. № 22. P. 225703. https://doi.org/10.1088/1361-648X/aa68c0
Sagadevan S., Chandraseelan E. // Int. J. ChemTech. Res. 2014. V. 6. № 11. P. 4682.
Guoshun Q., Changgui L., Zhuobin L. et al. // Infrared Phys. Technol. 2014. V. 63. P. 184. https://doi.org/10.1016/j.infrared.2014.01.003
Ярембаш Е.И., Елисеев А.А. Халькогениды редкоземельных элементов. М.: Наука, 1975. 257 с.
Бахтиярлы И.Б., Абдуллаева А.С., Мирзоева А.М. и др. // Азерб. хим. журн. 2012. № 3. С. 82.
Дополнительные материалы отсутствуют.
Инструменты
Журнал неорганической химии