Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2019, № 4, стр. 53-55

Динамический потенциал взаимодействия нейтральных атомов с поверхностью кристалла

Е. В. Дергачева 1, В. С. Малышевский 1*, Г. В. Фомин 1

1 Южный Федеральный университет
344006 Ростов-на-Дону, Россия

* E-mail: vsmalyshevsky@sfedu.ru

Поступила в редакцию 14.06.2018
После доработки 05.07.2018
Принята к публикации 05.07.2018

Полный текст (PDF)

Аннотация

Определены параметры динамического потенциала ионно-атомного взаимодействия в аналитическом виде для N–Al в диапазоне значений энергии 10–35 кэВ. Параметры рассчитаны из зависимости угла радужного рассеяния от энергии частиц, падающих на поверхность (111) кристалла алюминия в направлении [1$\overline 1 $0]. Результаты расчета согласуются с имеющимися экспериментальными данными.

Ключевые слова: радужное рассеяние, поверхность, динамический потенциал.

ВВЕДЕНИЕ

Эффект радужного рассеяния при скользящем падении частиц на поверхность кристалла исследуется достаточно давно [17]. Это явление возникает при направленном движении частиц под малым углом вдоль атомных цепочек, когда зависимость азимутального угла рассеяния (т.е. угла в плоскости, расположенной перпендикулярно атомным цепочкам) от прицельного параметра относительно выбранной атомной цепочки имеет экстремумы. Величину угла рассеяния ${{\Theta }_{R}},$ соответствующую максимуму углового распределения рассеянных частиц, называют радужным углом. Интерес к этому эффекту объясняется тем, что по угловым распределениям рассеянных частиц можно судить о структуре поверхности и характере потенциала взаимодействия между рассеиваемыми атомами и поверхностью кристаллов. Следует отметить, что эффекты радужного рассеяния наблюдаются и в экспериментах на прохождение заряженных частиц через кристаллы [8]. Как и при скользящем падении на поверхность кристалла, радужный эффект в этом случае обусловлен немонотонной зависимостью угла рассеяния от прицельного параметра.

В экспериментальных работах [13] выявлен различный характер зависимости углов радужного рассеяния нейтральных атомов поверхностью металлов и диэлектриков от начальной полной энергии. В частности, в [2, 3] установлено, что для атомов азота и кислорода зависимость угла радужного рассеяния от начальной поперечной энергии (или, иначе, от поперечной компоненты скорости, т.е. нормальной к поверхности кристалла) может быть как монотонной при больших энергиях частиц, так и немонотонной при малых энергиях. В случае рассеяния поверхностью кристалла Al увеличение полной кинетической энергии частиц сопровождается уменьшением радужного угла при фиксированном значении начальной поперечной энергии. В случае же рассеяния атомов поверхностью диэлектрика LiF при таких же условиях величина радужного угла не зависит от полной кинетической энергии частиц [2].

О РОЛИ ДИССИПАТИВНЫХ ПРОЦЕССОВ

Наблюдаемые динамические явления в рассеянии могут быть связаны с диссипативными процессами, а именно с зависимостью от кинетической энергии взаимодействия погруженного в электронный газ атома с поверхностью металла. Описанные закономерности можно объяснить влиянием торможения медленных атомных частиц электронами вблизи поверхности металла. Действительно, в цитированных экспериментальных работах скорость рассеиваемых атомных частиц не превышает фермиевскую скорость. В этом случае на характер взаимодействия медленной атомной частицы с электронной подсистемой существенную роль оказывает статистика Ферми электронного газа и величина скорости частицы. При скоростях намного меньше фермиевской передача импульса электронам настолько мала, что только электроны из небольшого слоя вблизи поверхности Ферми могут перейти в свободные состояния. Увеличение скорости и, соответственно, переданного импульса, приводит к увеличению толщины этого слоя и, следовательно, к увеличению числа электронов, вовлеченных в процесс передачи импульса. Поэтому тормозное сечение возрастает вместе со скоростью частицы [9, 10]. Как показано в [4, 5], именно это обстоятельство является причиной уменьшения радужного угла с увеличением скорости налетающей частицы. Атомные столкновения при малых скоростях сталкивающихся частиц можно описывать иным способом, используя зависящие от скорости парные потенциалы [11]. Зависимость потенциалов от скорости появляется при учете в уравнениях Томаса–Ферми–Дирака передачи кинетической энергии электронам сталкивающихся атомов. В этом случае статистика Ферми также определяет доступное число состояний электронной подсистемы, вовлеченной в передачу энергии. Оба подхода в определенной степени эквивалентны, поскольку и в том и другом случае речь идет о передаче энергии электронной подсистеме, а область разрешенных начальных состояний определяется скоростью относительного движения сталкивающихся атомных частиц.

РЕЗУЛЬТАТЫ КОМПЬЮТЕРНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ

Процесс рассеяния пучка моделировали путем численного интегрирования методом Дормана–Принcа [12] классических нерелятивистских уравнений движения каждой отдельной частицы в поле поверхности кристалла алюминия с учетом двухчастичных потенциалов взаимодействия. Учитывали поле, созданное ближайшим окружением, при выбранном числе атомов и слоев кристаллической поверхности. Положения атомов кристалла соответствовали известной структуре алюминия и дисперсии нормального распределения тепловых смещений. Каждая отдельная частица пучка на протяжении всего пробега (порядка нескольких постоянных решетки) испытывала влияние поля неподвижных атомов, находящихся в случайно смещенных положениях. Потенциал взаимодействия налетающего атома с ориентированной кристаллической поверхностью определяли как суперпозицию потенциалов взаимодействия с отдельными атомами (ионами) поверхности в первом и последующих слоях. Взаимодействие нейтральных атомов N с ионами кристалла Al описывали потенциалом Морзе, который является известной аналитической трехпараметрической аппроксимацией [13]:

(1)
$\begin{gathered} {{V}_{a}}(r) = \\ = \varepsilon \left\{ {\exp \left[ { - 2\alpha (r - \sigma )} \right] - 2\exp \left[ { - \alpha (r - \sigma )} \right]} \right\}. \\ \end{gathered} $

Как показано в [6], аппроксимация Морзе (1) хорошо описывает рассчитанный на основе теории функционала электронной плотности статический потенциал в широком диапазоне прицельных параметров.

На угловое распределение радужного рассеяния влияют структурные особенности, связанные с релаксацией и реконструкцией поверхности. Нормальная релаксация наблюдается в металлах, и в большинстве случаев имеет место уменьшение первого межслоевого расстояния. Это обстоятельство приводит к изменению потенциального рельефа, на котором рассеиваются падающие на поверхность частицы, и к изменению формы их траекторий и угловых распределений. Эти и другие особенности учтены при построении модели взаимодействия и рассеяния атомных частиц поверхностью кристалла [6].

Для фиксации выходных параметров рассеянных частиц использовали полярные координаты в соответствии с [3]. Разработанное приложение позволяет прослеживать отдельные траектории рассеиваемых частиц, а также зависимость выходных параметров от прицельного параметра. Для набора достаточной статистики накапливали данные для 20 000 траекторий.

Рис. 1.

Зависимость угла радужного рассеяния ${{\Theta }_{R}}$ нейтральных атомов азота от поперечной энергии Etr при падении налетающих частиц с энергией 10 (1), 20 (2) и 35 кэВ (3) на поверхность (111) кристалла Al в направлении [1$\overline 1 $0]: штрихпунктирные линии – результаты моделирования; символы – соответствующие экспериментальные данные [3].

Таким образом, путем моделирования траекторий частиц изучены особенности отражения нейтральных атомов азота от поверхности (111) кристалла Al при скользящем падении вдоль оси [1$\overline 1 $0]. Зависимость угла радужного рассеяния от начальной поперечной энергии для атомов азота принципиально отличается от зависимости от полной кинетической энергии атомов. Угол радужного рассеяния при увеличении энергии уменьшается. Сравнение результатов расчетов с экспериментальными данными позволило уточнить параметры аналитической аппроксимации парного потенциала взаимодействия атомных частиц. Зависимость параметров потенциала (1) от полной кинетической энергии E (кэВ) может быть аппроксимирована следующими формулами:

(2)
$\begin{gathered} \varepsilon = {{\varepsilon }_{1}} + {{\varepsilon }_{2}}\exp ({{ - E} \mathord{\left/ {\vphantom {{ - E} {{{\varepsilon }_{3}}}}} \right. \kern-0em} {{{\varepsilon }_{3}}}}), \\ {\sigma } = {{{\sigma }}_{1}} + {{{\sigma }}_{2}}\exp ({{ - E} \mathord{\left/ {\vphantom {{ - E} {{{{\sigma }}_{3}}}}} \right. \kern-0em} {{{{\sigma }}_{3}}}}). \\ \end{gathered} $

Наилучшее согласие с экспериментальными данными [3] достигается при динамических параметрах потенциала Морзе (1), выраженного в эВ, которые приведены в табл. 1. Для сравнения на рис. 1 представлены результаты моделирования зависимости радужного угла от поперечной энергии при различных значениях полной энергии и экспериментальные данные [3].

Таблица 1.  

Константы аналитической аппроксимации потенциала (1) формулами (2) в диапазоне значений энергии 10–35 кэВ (α = 1.0 Å–1)

i 1 2 3
εi 0.189 эВ 0.276 эВ 45.74 кэВ
σi 3.616 Å –1.016 Å 59.74 кэВ

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В работе показана возможность описания особенностей радужного рассеяния атомных частиц поверхностью металлов при скользящем падении с использованием динамического потенциала в аппроксимации Морзе. С помощью компьютерного моделирования рассчитаны параметры парного потенциала взаимодействия ускоренных нейтральных атомов азота из зависимости угла радужного рассеяния от энергии падающих на поверхность кристалла алюминия частиц. Результаты расчета согласуются с имеющимися экспериментальными данными.

Список литературы

  1. Schuller A., Winter H. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. 2007. V. 256. P. 122. doi 10.1016/j.nimb.2006.11.133

  2. Schuller A., Winter H. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. 2009. V. 267. P. 2621. doi 10.1016/j.nimb.2009.05.058

  3. Tiwald P., Lemell C., Schuller A. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. 2011. V. 269. P. 1221. doi 10.1016/j.nimb.2010.11.090

  4. Малышевский В.С., Казаков А.В. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. Вып. 17. С. 98.

  5. Malyshevsky V.S. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. 2013. V. 309. P. 151. doi 10.1016/j.nimb.2013.01.026

  6. Авакян Л.А., Жилина Т.И., Малышевский В.С., Фомин Г.В. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2016. № 1. С. 80.

  7. Babenko P.Yu., Meluzova D.S., Shergin A.P., Zinoviev A.N. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. 2017. V. 406. P. 460. doi 10.1016/j.nimb.2016.12.040

  8. Cosic M., Petrovic S., Neskovic N. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. 2018. V. 422. P. 54. doi 10.1016/j.nimb.2018.02.028

  9. Fermi E., Teller E. // Phys. Rev. 1947. V. 72. P. 399. doi 10.1103/PhysRev.72.399

  10. Ахиезер И.А., Давыдов Л.Н. // УФН. 1979. Т. 129. С. 239. doi 10.3367/UFNr.0129.197910с.0239

  11. Дедков Г.В. // УФН. 1995. Т. 165. С. 919. doi 10.3367/UFNr.0165.199508с.0919

  12. Dormand J.R., Prince P.J. // J. Comp. Appl. Math. 1980. V. 6. № 1. P. 19.

  13. Girifalco L.A., Weizer V.G. // Phys. Rev. 1959. V. 114. P. 687. doi 10.1103/PhysRev.114.687

Дополнительные материалы отсутствуют.