Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2022, № 5, стр. 42-50

Влияние ионно-лучевой обработки на структуру и свойства пленок оксида титана

А. К. Габова a, П. Н. Крылов a*, Р. М. Закирова a, И. В. Федотова a

a Удмуртский государственный университет
426034 Ижевск, Россия

* E-mail: ftt@udsu.ru

Поступила в редакцию 12.07.2021
После доработки 19.09.2021
Принята к публикации 25.09.2021

Полный текст (PDF)

Аннотация

Исследовано влияние температуры конденсации и ионно-лучевой обработки, чередующейся с высокочастотным магнетронным напылением, на структуру и оптические свойства тонких пленок оксида титана. Пленки однородные по составу и имеют зернистую структуру, ионно-лучевая обработка изменяет форму зерен с вытянутой на округлую. Рентгенодифракционные исследования показали, что фазовый состав пленок представлен двумя модификациями оксида титана – рутилом и анатазом. Установлено, что рост температуры конденсации и интенсивности ионно-лучевой обработки влияет на фазовый состав пленок и на показатель преломления. При низкой температуре конденсации преимущественная фаза – рутил, при увеличении температуры конденсации появляется фаза анатаза. Рост плотности тока ионно-лучевой обработки приводит к уменьшению доли анатаза. Уменьшение показателя преломления пленок оксида титана с ростом температуры конденсации связано с появлением фазы анатаза. Ионно-лучевая обработка также уменьшает ширину запрещенной зоны от 3.40 до 3.30 эВ.

Ключевые слова: тонкие пленки, оксид титана, анатаз, рутил, реактивное магнетронное напыление, ионно-лучевая обработка.

ВВЕДЕНИЕ

Пленки оксида титана играют ключевую роль в ряде электронных устройств, таких как мемристоры, фотовольтаические ячейки, накопители энергии, прозрачные электроды, газовые сенсоры и так далее [1]. Имеются работы по исследованию фотоэлектрохимического преобразования солнечной энергии с использованием диоксида титана [2, 3]. На основе оксида титана возможно создание фотокатализаторов для очистки воды и воздуха, так как согласно [4], на поверхности TiO2 практически любые органические соединения могут быть окислены до CO2 и H2O. Вопросы очистки воздуха и воды, а также возможного применения диоксида титана в безртутных УФ-источниках рассматривали в [5].

Диоксид титана относится к семейству оксидов переходных металлов. Широко известны три природные полиморфные модификации диоксида титана: анатаз, рутил и брукит [6]. Для фотокатализа, сенсорики, солнечной энергетики, прозрачной электроники, самоочищающихся покрытий требуются пленки с определенными свойствами. Например, TiO2 в форме брукита находит широкое применение в электрохимических электродах, конденсаторах и солнечных батареях [7]. Кристаллическая модификация анатаза наиболее активно применяется в качестве фотокатализаторов [8].

Целью настоящей работы было изучение структуры и оптических свойств тонких пленок оксида титана, полученных высокочастотным магнетронным распылением при разной температуре осаждения, а также влияния на структуру и свойства пленок TiO2 ионно-лучевой обработки, чередующейся с распылением при температуре осаждения 300°С.

МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

Пленки оксида титана получали высокочастотным магнетронным распылением мишени титана ВТ1-0 в среде аргона с кислородом на модернизированной установке УРМ 3.279.029. Выбор установки был обусловлен размещением на одном уровне двух смотровых окон, технологического окна и системы вращения держателей подложек. В одно из смотровых окон камеры, так чтобы центр плоскости распыляемой мишени совпадал с внутренней поверхностью камеры, был установлен планарный магнетрон. В противоположном смотровом окне камеры размещали пучковый источник ионов “Радикал М-100”. Напуск рабочей газовой смеси (Ar + O2) проводили через ионный источник. Источники типа “Радикал” формируют не моноэнергетический пучок, средняя энергия ионов в котором составляет 25–50% от энергии, соответствующей напряжению разряда [9]. Для данного источника в зоне обработки диаметром 90 мм неравномерность травления составляет ±5%. Согласно [10] при напряжении разряда 1–3 кВ средняя энергия ионов составляет 300–500 эВ, что обеспечивает обработку большинства материалов без радиационных повреждений и аморфизации поверхности.

Перед осаждением проводили ионную очистку подложек в рабочей смеси при давлении 0.1 Па, напряжении ионного источника 1.5 кВ и токе разряда 100 мА. Предельный вакуум составлял 1 × × 10–3 Па. Давление газовой смеси при напылении пленок поддерживали 0.42 Па, мощность высокочастотного магнетронного разряда 520 Вт, температура подложек 100, 150, 200, 250 и 300°С. В качестве подложек использовали кварц, ситалл, стекло и пластины NaCl, отколотые от объемного кристалла.

Предварительные исследования влияния газовой среды на прозрачность пленок оксида титана показали, что оптимальным составом рабочей смеси для их получения является газовая среда с содержанием кислорода 7 об. %. При большем содержании O2 скорость напыления сильно падала, а при меньшем осажденные пленки становились непрозрачными.

С целью выявления влияния ионно-лучевой обработки на структуру и свойства пленок оксида титана были получены образцы при 300°C и токе ионного источника 10, 20, 30, 40 и 50 мА. Для данных значений тока разряда источника ионов плотность тока j составляла 5–70 мкА/см2 (соответственно 5, 20, 35, 50 и 70 мкА/см2). В этом случае в процессе осаждения подложки поочередно проходили область распыления мишени и область воздействия ионного источника. Среднее увеличение толщины пленки TiO2 за один проход без ионно-лучевой обработки составило ~7.2 Å. Ионная обработка может приводить к изменению энергии адатомов на подложке и растущей пленке, а также к частичному стравливанию растущей пленки, поэтому при плотностях тока 5 и 20 мкА/см2 увеличивается скорость роста пленок до 8.0 Å на обработку, а при плотностях тока 35–70 мкА/см2 скорость роста пленок уменьшается до 6.5 Å на обработку.

Структурные исследования пленок оксида титана проводили с использованием рентгеновского дифрактометра ДРОН-3.0 (излучение FeKα) в диапазоне брэгговских углов 25°–90° с шагом 0.1° и временем набора импульсов в одном положении 40 с. Средние размеры областей когерентного рассеяния (ОКР) оценивали по формуле Селякова–Шеррера [11]. Для измерения толщины использовали микроинтерферометр МИИ-4.

Оптические свойства образцов исследовали на спектрофотометре СФ-56 в интервале длин волн 190–1100 нм. По методикам [12, 13] была определена дисперсия показателей преломления пленок. Сначала по огибающим были определены показатели преломления n и поглощения k, затем найденные значения были аппроксимированы функциями Коши n(λ) и k(λ). По максимумам и минимумам спектров пропускания определили толщину пленок. Полученные значения подставили в уравнения для коэффициента пропускания системы пленка–подложка и скорректировали так, чтобы рассчитанные и экспериментальные спектры пропускания отличались менее, чем на 5%. Вычисляли функцию невязки:

$\sum\limits_i {{{{\{ {{T}^{{{\text{meas}}}}}({{\lambda }_{i}}) - {{T}^{{{\text{theor}}}}}({{\lambda }_{i}},d,n({{\lambda }_{i}}),\alpha ({{\lambda }_{i}}))]}}^{2}}} ,$
где T meas – пропускание экспериментального спектра, T theor – рассчитанное пропускание, λi – длина волны, d – толщина пленки, ni) – показатель преломления, α(λi) – коэффициент поглощения.

Во всех расчетах значение функции невязки было менее 0.3. Ширину запрещенной зоны определяли с использованием метода Тауца [14, 15]. Исследования морфологии пленок оксида титана проводили в просвечивающем электронном микроскопе (ПЭМ) ЭМ-125К.

РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ

На рис. 1 представлены толщины пленок TiO2, полученные при измерении на микроинтерферометре. Данные значения согласуются с толщинами пленок, рассчитанными по оптическим спектрам пропускания. Измерения толщины пленок оксида титана показали, что с увеличением температуры конденсации толщина пленок изменяется незначительно в пределах погрешности и составляет 370 ± 20 нм (рис. 1а). С увеличением плотности тока ионного источника до 20 мкА/см2 толщина пленок увеличивается от 380 до 445 нм, а при дальнейшем увеличении плотности тока ионной обработки уменьшается до 350 нм.

Рис. 1.

Зависимость толщины пленок TiO2T от температуры осаждения T (а) и плотности тока ионно-лучевой обработки j (б).

Изменение толщины пленок TiO2, осажденных при разных температурах подложек и плотности тока ионной обработки, можно связать с изменением энергии адатомов на подложке и растущей пленке. Согласно [16] при низких температурах преобладает механизм поверхностной диффузии, а при высоких – механизм диффузии в паровой фазе. В зависимости от механизма массопереноса использование одного и того же источника адсорбируемого вещества может приводить к различному распределению зародышей по размерам. Если реализуется механизм поверхностной диффузии на подложке, постоянный во времени источник атомов приведет к тому, что формируется мелкоблочная пленка с близкими размерами кристаллитов [17]. При механизме диффузии через газовую фазу и при постоянном источнике вещества островки будут успевать поглощать все вещество с подложки, пересыщение будет падать. Зародыши в этом случае будут расти преимущественно в высоту [17], плотность частиц во времени будет убывать [18]. Можно предположить, что ионно-лучевая обработка при небольшой плотности тока так же, как и повышение температуры конденсации, приводит к газофазному механизму переноса и к образованию “столбчатой” островковой структуры. Подобный механизм роста пленок BaSrTiO3 наблюдали в [19]. А уменьшение толщины пленок TiO2, осажденных с более интенсивной ионно-лучевой обработкой, может быть связано с тем, что при данных режимах происходит стравливание пленки TiO2.

На рис. 2 представлены ПЭМ-изображения пленок оксида титана, из которых видно, что пленки сплошные, однородные по составу и имеют зернистую структуру. В случае пленок TiO2, полученных при разных температурах конденсации и без ионно-лучевой обработки, зерна имеют вытянутую форму. Размеры зерен оценивали методом случайных секущих. Средний размер зерен пленок оксида титана, полученных без ионно-лучевой обработки, составлял 7 × 14 нм. Ионно-лучевая обработка приводит к округлению зерен. При малой плотности тока ионно-лучевой обработки зерна еще сохраняют вытянутую форму, которая становится округлой при больших плотностях тока. Размеры зерен пленок оксида титана, полученных при плотности тока 20 мкА/см2, составляли уже ~5 × 11 нм, а при 70 мкА/см2 ~8 × × 8 нм. То есть при ионно-лучевой обработке с малой плотностью тока и без нее пленки оксида титана имеют “столбчатую” структуру. C увеличением плотности тока возникает больше активных центров адсорбции и усиливается подвижность адатомов на растущей пленке. В результате зерна не успевают формироваться в “столбчатую” структуру, а размеры самих зерен уменьшаются.

Рис. 2.

ПЭМ-изображения тонких пленок TiO2, синтезированных при температуре конденсации 300°C без ионно-лучевой обработки (а), при плотности тока ионно-лучевой обработки 20 (б) и 70 мкА/см2 (в). На вставках выделены области, содержащие зерна характерных форм.

Рентгенодифракционные исследования показали, что синтезированные пленки оксида титана поликристаллические и содержат две модификации диоксида титана – анатаз (JCPDS № 21-1272) и рутил (JCPDS № 21-1276). При температуре конденсации 100 и 150°C состав пленок TiO2 представлен фазой рутила. При температуре конденсации 200°C появляется фаза анатаза. С увеличением температуры до 300°C интенсивность дифракционных отражений, относящихся к анатазу, увеличивается, а к рутилу – уменьшается (рис. 3a, 4a).

Рис. 3.

Дифрактограммы пленок TiO2, полученных: а – при разной температуре осаждения: 1 – 100, 2 – 150, 3 – 200, 4 – 250, 5 – 300°C; б – при разной плотности тока ионно-лучевой обработки: 1 – 0; 2 – 5; 3 – 20; 4 – 35; 5 – 50; 6 – 70 мкА/см2. Снизу приведены штрих-диаграммы, характерные для фаз анатаза (А) и рутила (R).

Рис. 4.

Зависимость отношения интенсивностей IA101/IR110 пленок оксида титана, от температуры осаждения Т (а) и плотности тока ионно-лучевой обработки j (б).

Фазовый состав пленок диоксида титана, полученных с ионно-лучевой обработкой, представлен модификациями анатаза и рутила, причем рутил дает слабое дифракционное отражение, соответствующее межплоскостному расстоянию d = 3.25 Å. При плотности тока ионно-лучевой обработки 5–20 мкА/см2 интенсивности дифракционных отражений IA, принадлежащих анатазу, большие. При увеличении плотности тока до 35–70 мкА/см2 интенсивность дифракционных отражений, относящихся к анатазу, уменьшается (рис. 3б, 4б). Для качественной оценки содержания анатаза и рутила в пленках сравнивали наиболее интенсивные отражения анатаза 101 и рутила 110. Отношения интенсивностей IA101/IR110 при небольшой плотности тока (5, 20 мкА/см2) больше, чем без ионно-лучевой обработки, а рост плотности тока (35, 50 и 70 мкА/см2) приводит к уменьшению IA101/IR110. Такое поведение коррелирует с изменением толщины пленок TiO2. Из дифрактограмм видно, что ионно-лучевая обработка приводит к уширению дифракционных линий анатаза и снижению их интенсивности, а ширина дифракционных линий рутила от плотности тока ионно-лучевой обработки не меняется.

Средние размеры ОКР $\left\langle D \right\rangle $ оксида титана для пленок, осажденных при 100°C, составляют ~10 нм. С ростом температуры конденсации средний размер ОКР увеличивается. В пленках TiO2, полученных при разных температурах конденсации, средние размеры ОКР анатаза больше, чем у рутила (табл. 1). Ионно-лучевая обработка приводит к уменьшению размеров ОКР анатаза. Значительное уменьшение $\left\langle {{{D}_{A}}} \right\rangle $ приходится на небольшие значения плотности тока ионно-лучевой обработки (20–35 мкА/см2), дальнейшее увеличение плотности тока ионного источника приводит уже к небольшому уменьшению размеров ОКР. Результаты коррелируют с анализом ПЭМ-изображений.

Таблица 1.  

Средние размеры ОКР пленок оксида титана, полученных при разной температуре конденсации и разной плотности тока ионно-лучевой обработки

Тконд, °С DA〉, нм DR〉, нм j, мкА/см2 DA〉, нм
100 10    5 41
150 15 13 20 34
200 36 16 35 13
250 50 20 50 12
300 50 33 70 12

Согласно [20, 21] анатаз при повышении температуры до ~1000 К трансформируется в рутил (процесс рутилизации TiO2). В [22] указано, что анатаз и брукит метастабильны и переходят в рутил при температуре порядка 400°C. Ширина температурного перехода зависит от параметров образца, в том числе от размера кристаллитов и наличия примесей [23]. Авторы [24] также отмечают, что ключевую роль в стабилизации метастабильных фаз диоксида титана играет размерный фактор (величина избыточной поверхностной энергии). Наночастицы TiO2 с кристаллической структурой анатаза и/или брукита трансформируются в рутил после достижения определенных размеров [25]. Чем меньше исходный размер частиц анатаза, тем ниже температура перехода. Анатаз обладает большей термодинамической стабильностью по сравнению с рутилом, когда размер частиц TiO2 не превышает 35 нм [24]. А фаза рутила становится стабильнее фазы анатаза при достижении размера частиц более 14 нм [25].

Авторами [6] выявлено формирование рутила при 220°C (493 К) в тонких пленках оксида титана, синтезированных из паровой фазы в результате реакции TiCl4 и H2O на стеклянной подложке методом молекулярного наслаивания в газовой фазе. Вероятную причину формирования рутила при такой температуре авторы объясняют резко неравновесными условиями. Таким образом, формирование фазы рутила при низких температурах в рассматриваемом случае можно связать с сильно неравновесными условиями осаждения оксида титана.

Спектрофотометрический анализ показал, что полученные пленки TiO2 прозрачны в диапазоне 400–1100 нм, коэффициент пропускания составляет в среднем ~75–80%. Во всех спектрах наблюдаются интерференционные полосы, что указывает на равномерное распределение пленок по толщине [26]. На рис. 5 показана дисперсия показателей преломления пленок. Согласно [27] методы характеризации оптических свойств, основанные на анализе коэффициентов отражения/пропускания, чувствительны к морфологии поверхности образца и технологии его изготовления.

Рис. 5.

Дисперсия показателя преломления n пленок TiO2, полученных при разных температурах осаждения (а) (1 – 100; 2 – 250; 3 – 300°C) и разной плотности тока ионно-лучевой обработки (б) (1 – 0; 2 – 5; 3 – 20; 4 –50 мкА/см2).

Ширина запрещенной зоны пленок, полученных при различных температурах, соответствует 3.40 ± 0.02 эВ. Ширина запрещенной зоны пленок, полученных с ионно-лучевой обработкой, уменьшается с увеличением плотности тока обработки от 3.40 ± 0.02 до 3.30 ± 0.02 эВ. В табл. 2 приведены ширины запрещенной зоны различных модификаций оксида титана, полученных в [2830]. Справочные значения ширины запрещенной зоны справедливы для относительно больших кристаллов, а в случае наноструктур вследствие квантово-размерных эффектов ширина запрещенной зоны изменяется [31, 32]. Согласно [33] в случае фазы анатаза при размерах частиц около 10 нм сильно возрастает эффективная масса электрона в зоне проводимости, что приводит к уширению запрещенной зоны примерно на 0.1 эВ. В фазе рутила квантово-размерные эффекты менее значимы вследствие больших значений эффективных масс носителей заряда [32].

Таблица 2.  

Ширина запрещенной зоны различных модификаций оксида титана

Ширина запрещенной зоны, эВ Литературный источник
Анатаз Рутил Брукит
3.23–3.59 3.02–3.24 [28]
3.2 3.0 3.2 [29]
  3.60   3.39   3.30 [30]

В рассматриваемом случае ширина запрещенной зоны пленок, полученных при различных температурах, практически не меняется. Пленки представлены фазой рутила (температура конденсации 100 и 150°C) с незначительной долей анатаза (температура конденсации 200°C). И хотя при температуре конденсации 300°C интенсивность дифракционных отражений, относящихся к анатазу, увеличилась, но выросли и размеры ОКР. Изменение ширины запрещенной зоны пленок при увеличении плотности тока ионной обработки связаны с уменьшением доли фазы анатаза и увеличением доли фазы рутила.

При указании значений показателя преломления фаз оксида титана в литературе часто не указываются длины волн. Например, согласно [28] показатель преломления анатаза 2.54 и 2.49, показатель преломления рутила 2.79 и 2.903. В [34] индекс преломления n и коэффициент поглощения k пленок, полученных с использованием радиочастотного процесса плазмо-стимулированного химического осаждения из паровой фазы, для 550 нм составил 2.239 и 6.99 × 10–5 соответственно. В [35] в зависимости от технологии получения показатель преломления пленок для длины волны 550 нм менялся от 2.39 до 2.25, коэффициент поглощения 1.63 × 10–4–1.99 × 10–6. В работе также показано увеличение показателя преломления с увеличением скорости потока кислорода. Согласно [36] в зависимости от температуры подложки показатель преломления пленок TiO2 может изменяться в пределах 1.9–2.5 (λ = 550 нм). В обзорной работе [37] представлены зависимости показателя преломления и коэффициента поглощения на длине волны 630 нм от потока O2 при реактивном магнетронном нанесении пленок TiO2. Согласно представленным результатам пленки с составом, близким к стехиометрическому, получены при содержании кислорода в смеси рабочих газов Ar/O2 более 24%. Показатель преломления пленок достигал значения 2.45. Увеличение содержания кислорода в смеси рабочих газов более 30% вело к снижению показателя преломления и резкому увеличению поглощения пленок. Авторами показано, что методом реактивного магнетронного распыления при пониженном давлении возможно воспроизводимое нанесение слоев оксида титана с коэффициентом преломления 2.34–2.38 и коэффициентом поглощения 0.006–0.02. Показатель преломления массивного поликристаллического анатаза равен 2.5 на длине волны 632.8 нм [38]. Показатель преломления пленок, полученных в настоящей работе, был меньше 2.4. Такое различие авторы связали с рядом причин, в том числе с наличием переходного дефектного слоя, формируемого в начале роста пленки, с шероховатостью самой подложки и с пористостью самих пленок. Авторы подытожили, что вся сумма факторов может приводить к наблюдаемой зависимости показателя преломления от толщины пленки, так как их вклад оказывается наиболее существенным в случае тонких пленок, где наблюдаются значительные изменения показателя преломления с толщиной.

Наиболее часто в литературе встречаются значения показателя преломления, определенные при длине волны 550 нм. Также можно отметить, что показатель преломления рутила выше показателя преломления анатаза. В настоящей работе показатели преломления на длине волны 550 нм пленок, полученных при температурах конденсации 100–200, 250 и 300°C, равны, соответственно, 2.52 ± 0.02, 2.48 ± 0.02 и 2.43 ± 0.02. Уменьшение показателя преломления пленок может свидетельствовать о появлении фазы анатаза. Коэффициент поглощения пленок с увеличением температуры конденсации сначала увеличивается от 6.64 × 10–5 до 8.50 × 10–5, затем уменьшается до 7.94 × 10–5. Это можно связать с изменением коэффициента светорассеяния.

Определенных тенденций в изменении показателя преломления на длине волны 550 нм пленок, полученных с ионно-лучевой обработкой, не выявлено. Вначале показатель преломления уменьшается от 2.48 ± 0.02 (плотность тока 5 мкА/см2) до 2.44 ± 0.02 (плотность тока 20 мкА/см2), затем увеличивается до 2.50 ± 0.02 (плотность тока 35–70 мкА/см2). Коэффициент поглощения пленок уменьшается от 6.70 × 10–5 до 13.10 × 10–5, т.е. у этих пленок увеличивается коэффициент светорассеяния.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В настоящей работе тонкие пленки оксида титана осаждали высокочастотным магнетронным распылением при разной температуре. Кроме того, были получены пленки при температуре конденсации 300°C и распылении, чередующемся с ионно-лучевой обработкой.

Просвечивающая электронная микроскопия показала однородность состава и зернистую структуру пленок. Пленки, полученные при разной температуре конденсации, состоят из вытянутых зерен. Введение ионно-лучевой обработки приводит к округлению зерен.

При температуре конденсации 100 и 150°C преимущественная фаза в пленках – рутил. Увеличение температуры конденсации до 200°C и выше приводит к появлению фазы анатаза.

Фазовый состав пленок диоксида титана, полученных с ионно-лучевой обработкой, представлен модификациями анатаза и рутила. Увеличение плотности тока ионно-лучевой обработки приводит к увеличению доли фазы рутила и уменьшению доли фазы анатаза.

Изменения ширины запрещенной зоны, показателя преломления и коэффициента поглощения связаны с изменениями фазового состава, размера нанокристаллитов и коэффициента светорассеяния.

Ширина запрещенной зоны пленок, полученных при различных температурах конденсации, равна 3.4 ± 0.02 эВ. Ширина запрещенной зоны пленок, полученных с ионно-лучевой обработкой, уменьшается с увеличением плотности тока обработки от 3.40 ± 0.02 до 3.30 ± 0.02 эВ.

Показатели преломления пленок, полученных при температурах конденсации 100–200, 250 и 300°С, на длине волны 550 нм равны, соответственно, 2.52 ± 0.02, 2.48 ± 0.02 и 2.43 ± 0.02. Показатели преломления пленок, полученных с ионно-лучевой обработкой с плотностями тока 5, 20 и 30–70 мкА/см2, составляют 2.48 ± 0.02, 2.44 ± ± 0.02 и 2.50 ± 0.02 соответственно.

Список литературы

  1. Калыгина В.М., Егорова И.М., Прудаев И.А., Толбанов О.П. // Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 8. С. 1036. https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/43427

  2. Fujishima A., Honda K. // Nature. 1972. V. 238. № 5358. P. 37. https://doi.org/10.1038/238037a0

  3. Schneider J., Matsuoka M., Takeuchi M., Zhang J., Horiuchi Y., Anpo M., Bahnemann D.W. // Chem. Rev. 2014. V. 114. № 19. P. 9919. https://doi.org/10.1021/cr5001892

  4. Пармон В.Н. // Фотокаталитическое преобразование солнечной энергии: Гетерогенные, гомогенные и молекулярные структурно-организованные системы: сб. науч. трудов / Ред. Замараев К.И., Пармон В.Н. Новосибирск: Наука, 1991. С. 7.

  5. Ochiai T., Fujishima A. // J. Photochem. Photobiol. C. 2012. V. 13. № 4. P. 247. https://doi.org/10.1016/j.jphotochemrev.2012.07.001

  6. Беляев А.П., Малыгин А.А., Антипов В.В., Рубец В.П. // ФТТ. 2009. Т. 51. Вып. 3. С. 465. https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/2146

  7. MacWan D.P., Dave P.N., Chaturvedi S. // J. Mater. Sci. 2011. V. 46. № 11. P. 3669. https://doi.org/10.1007/s10853-011-5378-y

  8. Schneider J., Matsuoka M., Takeuchi M., Zhang J., Horiuchi Y., Anpo M., Bahnemann D.W. // Chem. Rev. 2014. V. 114. № 19. P. 9919. https://doi.org/10.1021/cr5001892

  9. Виноградов М.И., Маишев Ю.П. Вакуумные процессы и оборудование ионно- и электронно-лучевой технологии. М.: Машиностроение, 1989. 56 с.

  10. Майшев Ю.П. // Электронная промышленность. 1990. № 5. С. 15.

  11. Уманский Я.С., Скаков Ю.А., Иванов А.Н., Расторгуев Л.Н. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. М.: Металлургия, 1982. 632 с.

  12. Manifacier J.C., Gasiot J., Fillard J.P. // J. Phys. E. 1976. V. 9. № 11. P. 1002. https://doi.org/10.1088/0022-3735/9/11/032

  13. Swanepoel R. // J. Phys. E. 1983. V. 16. P. 1214. http:// iopscience.iop.org/0022-3735/16/12/023

  14. Ganjoo A., Golovchak R. // J. Optoelectr. Adv. Mater. 2008. V. 10. № 6. P. 1328. https://www.researchgate.net/publication/265989649

  15. Венгер Е.Ф., Мельчук А.В., Стронский А.В. Фотостимулированные процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение. Киев: Академпериодика, 2007. 242 с.

  16. Кукушкин С.А., Слезов В.В. Дисперсные системы на поверхности твердых тел. Механизмы образования тонких пленок (эволюционный подход). СПб.: Наука, 1996. 304 с.

  17. Тумаркин А.В., Серенков И.Т., Сахаров В.И. // ФТТ. 2010. Т. 52. № 12. С. 2397. https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/2068

  18. Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Appl. Phys. 1999. V. 86. № 3. P. 1370. https://doi.org/10.1063/1.370896

  19. Тумаркин А.В., Серенков И.Т., Сахаров В.И., Афросимов В.В., Одинец А.А. // ФTТ. 2016. Т. 58. Bsg. 2. С. 354. https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/42723

  20. Тихонов В.А., Лановецкий С.В., Ткачева В.Э. // Вестн. технолог. ун-та. 2016. Т. 19. № 9. С. 148.

  21. Amores J.M.G., Escribano V.S., Busca G. // J. Mater. Chem. 1995. V. 5. P. 1245. https://doi.org/10.1039/JM9950501245

  22. Diebold U. // Surf. Sci. Rep. 2003. V. 48. № 5–8. P. 53. https://doi.org/10.1016/S0167-5729(02)00100-0

  23. O’Regan B., Grätzel M. // Nature. 1991. V. 353. № 6346. P. 737. https://doi.org/10.1038/353737a0

  24. Zhang H., Banfield J.F. // J. Mater. Chem. 1998. V. 8. № 9. P. 2073. https://doi.org/10.1039/a802619j

  25. Gribb A.A., Banfield J.F. // Am. Mineral. 1997. V. 82. № 7–8. P. 717. https://doi.org/10.2138/am-1997-7-809

  26. Герасименко Ю.В., Логачева В.А., Ховив А.М. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2010. Т. 12. № 2. С. 113. http://www.kcmf.vsu.ru/resources/t_12_2_2010_003.pdf

  27. Биленко Д.И., Сагайдачный А.А., Галушка В.В., Полянская В.П. // ЖТФ. 2010. Т. 80. № 10. С. 89. https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/10130

  28. Hanaor D., Sorrell C. // J. Mater. Sci. 2011. T. 46. № 4. P. 855. https://doi.org/10.1007/s10853-010-5113-0

  29. Логачева В.А., Лукин А.Н., Афонин Н.Н., Сербин О.В. // Оптика и спектроскопия. 2019. Т. 126. № 6. С. 751. https://doi.org/10.21883/OS.2019.06.47769.32-19

  30. Landmann M., Rauls E., Schmidt W.G. // J. Phys.: Condens. Matter. 2012. V. 24. № 19. P. 195503. https://doi.org/10.1088/0953-8984/24/19/195503

  31. Wang Y., Herron N. // J. Phys. Chem. 1991. V. 95. № 2. P. 525. https://doi.org/10.1021/j100155a009

  32. Lee H.-S., Woo C.-S., Youn B.-K., Kim S.-Y., Oh S.-T., Sung Y.-E., Lee H.-I. // Topics in Catalysis. 2005. V. 35. № 3–4. P. 255. https://doi.org/10.1007/s11244-005-3832-2

  33. Reddy K.M., Manorama S.V., Reddy A.R. // Mater. Chem. Phys. 2003. V. 78. № 1. P. 239. https://doi.org/10.1016/S0254-0584(02)00343-7

  34. Хороших В.М., Белоус В.А. // ФIП ФИП PSE. 2009. Т. 7. № 3. С. 223. http://dspace.nbuv.gov.ua/bitstream/handle/123456789/7978/07-Khoroshikh.pdf? sequence=1

  35. Kowalski J., Sobczyk-Guzenda A., Szymanowski H., Gazicki-Lipman M. // J. Achiv. Mater. Manufact. Engin. 2009. V. 37. № 2. P. 298. http://jamme.acmsse.h2.pl/papers_vol37_2/37212.pdf

  36. Гоев А.И., Крючков В.Г., Потелов В.В., Сеник Б.Н., Герасюк А.К. // Прикладная физика. 2007. № 1. С. 152. https://www.elibrary.ru/download/elibrary_ 12880432_96154458.pdf

  37. Золотухин Д.Б., Бурдовицин В.А., Тюньков А.В., Юшков Ю.Г., Окс Е.М., Голосов Д.А., Завадский С.М. // Успехи прикладной физики. 2017. Т. 5. № 5. С. 442. http://advance.orion-ir.ru/UPF-17/5/UPF-5-5-442.pdf

  38. Гончаров А.А., Добровольский А.Н., Костин Е.Г., Петрик И.С., Фролова Е.К. // ЖТФ. 2014. Т. 84. № 6. С. 98. https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/ 27261

Дополнительные материалы отсутствуют.