Приборы и техника эксперимента, 2021, № 2, стр. 19-24

КРЕМНИЕВЫЙ 4π-СПЕКТРОМЕТР ЭЛЕКТРОНОВ β-РАСПАДА С ЭНЕРГИЕЙ ДО 3 МэВ

И. Е. Алексеев b, С. В. Бахланов a, А. В. Дербин a*, И. С. Драчнев a, И. М. Котина a, В. Н. Муратова a, Н. В. Ниязова a, Д. А. Семенов a, М. В. Трушин a, Е. В. Унжаков a, Е. А. Чмель a

a Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова Национального исследовательского центра “Курчатовский институт”
188300 Гатчина, Ленинградской обл., Орлова роща, Россия

b Радиевый институт им. В.Г. Хлопина
194021 Санкт-Петербург, 2-й Муринский просп., 28, Россия

* E-mail: derbin_av@pnpi.nrcki.ru

Поступила в редакцию 18.07.2020
После доработки 11.08.2020
Принята к публикации 21.08.2020

Полный текст (PDF)

Аннотация

Бета-спектрометр состоит из двух Si(Li)-детекторов с толщиной чувствительной области более 8 мм и обладает 4π-геометрией. Спектрометр полного поглощения позволяет провести прямое измерение β-спектров, не требующее поправок функции отклика на обратное рассеяние электронов от поверхности кристалла. Для измерения β-спектров при переходах на возбужденные состояния дочерних ядер используется дополнительный BGO-детектор, регистрирующий γ-кванты и включенный в совпадения с парой Si(Li)-детекторов.

ВВЕДЕНИЕ

Прецизионное знание формы β-спектров ряда изотопов является обязательным условием определения осцилляционных параметров в экспериментах с реакторными нейтрино и с искусственными источниками нейтрино. Положительный результат эксперимента LSND [1], который появился почти 20 лет назад, результаты калибровок радиохимических Ga–Ge-детекторов солнечных нейтрино [2, 3] и новые расчеты спектра реакторных нейтрино, известные как “реакторная аномалия” [4], поставили вопрос о существовании стерильного нейтрино, связанного, в основном, с массовым состоянием нейтрино, отстоящим от трех известных массовых состояний на величину $\delta m_{{14}}^{2}$ ~ 1 эВ2 и с эффективным углом смешивания sin2(2θs) ~ 0.1.

Помимо ряда реакторных и ускорительных экспериментов по поиску осцилляций нейтрино в стерильное состояние существуют проекты с использованием искусственных источников нейтрино. Среди искусственных излучателей электронных антинейтрино наиболее перспективным является источник 144Ce–144Pr, использовать который планировалось с детекторами KamLand [5] и Borexino [6]. К сожалению, наиболее продвинутый проект Borexino_SOX_Ce был остановлен, в том числе и по причинам, не имеющим отношения к технической стороне планируемого эксперимента.

Одна из конкретных задач, которая должна быть решена в эксперименте с источником 144Ce–144Pr, состоит в прецизионном измерении β-спектров данных ядер с целью определения интенсивности и формы спектра антинейтрино. Это очень важная задача, поскольку требуемая чувствительность эксперимента к осцилляционным параметрам $\delta m_{{14}}^{2}$ и sin2(2θs) может быть достигнута при условии, что коэффициент, связывающий тепловую мощность и активность источника, и ожидаемая скорость счета реакции обратного β-распада, которая определяется спектром антинейтрино, будут определены с необходимой (лучше, чем 1.5% для проекта Borexino_SOX) точностью.

Измерения β-спектров ядер 144Се–144Pr и 210Bi с использованием кремниевого полупроводникового β-спектрометра в классической схеме “мишень–детектор” были проведены нами ранее в работах [79].

В данной статье описаны основные характеристики специально разработанного полупроводникового β-спектрометра на основе Si(Li)-детекторов, обладающего 4π-геометрией. Спектрометр регистрирует полную энергию электрона и решает проблему обратного рассеяния электронов от поверхности кристалла, вероятность которого, в зависимости от энергии электрона и угла падения, может достигать десятков процентов. Предварительные результаты измерения β-спектров 144Ce–144Pr с парой Si(Li)-детекторов c толщиной i-области 5 мм опубликованы в работе [10].

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА

Кремнийлитиевые детекторы были специально изготовлены для этого эксперимента из монокристаллического кремния p-типа проводимости с удельным сопротивлением 4 кОм · см и временем жизни носителей 800 мкс по стандартной технологии, хорошо отработанной в ПИЯФ. Характеристики таких детекторов описаны в работах [89, 11].

Два Si(Li)-детектора с толщиной чувствительной области >8 мм, которая превышает пробег электронов с энергией 3 МэВ, были изготовлены в форме “грибка” с внешним диаметром 27 и 23 мм, высотой 9 мм и диаметром чувствительной области 20 и 18 мм. Детекторы имели разные внешние диаметры для удобства сборки спектрометра из двух Si(Li)-детекторов, состыкованных вплотную.

Характеристики изготовленных детекторов были проверены в отдельном вакуумном криостате с помощью γ- и рентгеновского излучений и конверсионных и оже-электронов от источника 207Bi. Энергетическое разрешение FWHM, измеренное для конверсионных электронов с энергией 482 кэВ, составило 2.0 кэВ для обоих детекторов. Определенная толщина нечувствительного слоя Si(Li)-детектора, вклад в которую дают напыленные слои палладия и золота и поверхностный слой кремния, составляет около 500 нм по кремнию. При прохождении такой толщины электроны с энергиями 20 кэВ и 3 МэВ теряют около 1 кэВ и 0.1 кэВ соответственно.

Сравнение измеренных интенсивностей рентгеновских Kα1-, Kα2- и Kβ123-пиков свинца с результатами расчетов по методу Монте-Карло с использованием пакета Geant4 позволило установить толщину чувствительной i-области детектора. Определенная таким образом толщина у обоих детекторов превышает 8.5 мм, что обеспечивает, без учета обратного рассеяния, полное поглощение электронов с энергией <3.3 МэВ. Нечувствительная область с тыльной стороны диффузного литиевого контакта составила около 0.4 мм.

В центре одного из детекторов вышлифована лунка ∅5 и глубиной 1 мм. Изучаемый β-источник (144Се, 210Pb) наносится в лунку непосредственно на золотое покрытие Si(Li)-детектора. На детектор с лункой без какого-либо промежутка накладывается второй детектор, и на образовавшийся общий n+-контакт подается напряжение смещения (рис. 1).

Рис. 1.

Схема β-спектрометра с двумя Si(Li)-детекторами. 144Се – измеряемый источник, ПУ – предусилители, Uсм – напряжение смещения.

Вся конструкция располагается внутри вакуумного криостата и охлаждается до температуры жидкого азота. Оба Si(Li)-детектора имеют свой зарядочувствительный предусилитель с резистивной обратной связью и охлаждаемым полевым транзистором. Для обработки сигналов используются два комплекта электроники. В стандарте CAMAC спектрометрические каналы содержат усилитель БУИ-3К и 12-разрядный аналого-цифровой преобразователь (а.ц.п.) поразрядного взвешивания на 4000 каналов. В стандарте VME/VXI сигналы после предусилителей оцифровываются 8-канальным 14-разрядным а.ц.п. V1725C фирмы CAEN с частотой выборки 250 МГц. Использование двух комплектов электроники позволяет сравнить эффективность отбора совпадающих сигналов и энергетическое разрешение аналогового и цифрового трактов.

В схему измерений включен сцинтилляционный 3'' BGO-детектор с целью выделения β-распадов ядер (144Ce–144Pr) на возбужденные уровни дочерних ядер. Выбор сравнительно небольшого BGO-детектора обусловлен желанием иметь высокую эффективность регистрации γ-квантов при низком уровне фона случайных совпадений. BGO-детектор располагался на расстоянии 25 мм от общей поверхности Si(Li)-детекторов, фактически от измеряемого источника, обеспечивая, таким образом, геометрическую эффективность для вылетающих γ-квантов 20%. Данные о зарегистрированных событиях представляют собой последовательные записи временных и амплитудных сигналов с двух Si(Li)-детекторов и BGO-детектора. Сборка Si(Li)- и BGO-детекторов окружена небольшим слоем пассивной защиты (около 30 г/см2) для уменьшения фона естественной радиоактивности.

Выбранная схема включения детекторов на (анти)совпадения позволяет провести прямое измерение β-спектров, не требующее сложных дополнительных поправок на обратное рассеяние электронов от поверхности детектора. Отличие функции отклика спектрометра от гауссовой функции связано с потерями энергии электроном в конечной толщине мишени и нечувствительном слое детектора, а также с вылетом тормозного излучения электронов за пределы детектора.

Изготовление тонких мишеней – это отдельная тема, выходящая за рамки данной статьи. Отметим, что наличие в изучаемом источнике дополнительной α-активности позволяет более надежно определить толщину (или распределение толщины) источника.

Вклад радиационных потерь увеличивается с ростом энергии электрона. В кремнии для электронов с энергиями 1 и 3 МэВ они составляют 0.8% и 2.3%. Дифференциальные радиационные потери dE/dx также растут от 1.5% до 4.7% соответственно. Поправки спектра на вылет тормозного излучения могут быть вычислены путем Монте-Карло-симуляций с использованием спектра событий, совпадающих с сигналом BGO-детектора.

ПОЛУЧЕННЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

После установки Si(Li)-детекторов в криостат энергетическая калибровка была выполнена с помощью источника 207Bi, который устанавливался на бериллиевое окно вакуумного криостата. Хотя калибровка проводилась при нанесенном источнике 144Се, на измеренном спектре хорошо видны пики полного поглощения рентгеновских (75–85 кэВ) и γ-квантов (570 кэВ, 1063 кэВ), а также резкие края комптоновского рассеяния (рис. 2). Эти особенности спектра использовались для энергетической калибровки детекторов.

Рис. 2.

Калибровочные спектры (1 и 2) пары Si(Li)-детекторов, измеренные с внешним источником 207Bi (2 – спектры детектора с лункой). На верхней вставке показана низкоэнергетическая часть спектра, а на нижней – часть спектра, обусловленная комптоновским рассеянием γ-квантов с энергией 570 кэВ и 1063 кэВ.

На рис. 3 показан спектр совпадающих событий пары Si(Li)-детекторов. Наклонные линии соответствуют суммарной энергии края комптоновского рассеяния γ-квантов с энергиями Еγ = = (570, 1063 и 1770) кэВ. Максимальная энергия электрона, в случае рассеяния γ-кванта назад, составляет EC = 2$Е_{\gamma }^{2}$/(2Еγ + me), для указанных энергий γ-квантов EС = (394, 857 и 1547) кэВ. Совпадения сигналов Si(Li)-детекторов, в основном, вызваны комптоновскими электронами, прошедшими из верхнего детектора в нижний. Прямоугольниками выделены события, когда γ-кванты с энергиями 570 кэВ и 1064 кэВ, испущенные в каскаде, испытали комптоновское рассеяние в двух разных детекторах.

Рис. 3.

Двумерный спектр совпадающих событий пары Si(Li)-детекторов, измеренный с 207Bi (Е1 – энергия детектора с лункой). Наклонные линии соответствуют рассеянию γ-квантов с энергиями 570, 1064 и 1770 кэВ назад. Прямоугольниками выделены события от каскада γ-квантов.

На рис. 4 показаны энергетические спектры электронов, возникающие при β-распадах ядер 144Ce–144Pr и зарегистрированные одним и двумя Si(Li)-детекторами. Доля 1 МэВ электронов, испытавших отражение от поверхности детектора, составляет 28%. Эта величина уменьшается до 20% при увеличении энергии электрона до 2.5 МэВ, что определяется конкретной геометрией нанесенного источника. Отметим, что спектр зарегистрированной энергии в случае, если электрон отражается от поверхности (спектр 4  на рис. 4), кардинально отличается от спектра действительной энергии электрона (спектр 3). Полный β-спектр является суммой спектров 2 и 3, таким образом решается проблема функции отклика детектора, связанная с обратным рассеянием электронов от поверхности детектора.

Рис. 4.

Спектры источника 144Ce–144Pr, измеренные 4π-β-спектрометром: 1 – спектр полной зарегистрированной энергии; 2 спектр событий только в одном детекторе; 3 – спектр событий, зарегистрированных двумя детекторами; 4 – спектр совпадающих событий с одного детектора.

Спектр электронов, измеренный с функцией отклика, близкой к гауссовой, позволяет определить спектр антинейтрино исходя из соотношения Qβ = Ee + Eν. Для источника 144Ce–144Pr  это возможно при энергии нейтрино <2.7 МэВ (разности граничных энергий β-спектров 144Pr и 144Ce). При энергиях электронов <300 кэВ измеренный спектр является суммой β-спектров 144Pr и 144Ce и спектр антинейтрино должен быть определен исходя из теоретических поправок к β-спектру и параметров функции форм-фактора, найденных при подгонке спектра 144Pr в интервале 0.3–3.0 МэВ.

Измерения спектров Si(Li)-детекторов в совпадении с сигналом BGO-детектора позволяют выделить β-спектры, соответствующие переходам на возбужденные состояния дочернего ядра. В случае 144Pr это очень важная часть измерений, поскольку β-переход 1 → 0 на уровень ядра 144Nd с энергией 2186 кэВ является разрешенным, его форма хорошо определена и не требует введения функции форм-фактора при подгонке. Соответствие формы измеренного спектра форме разрешенного β‑перехода является важным критерием правильности проведенных измерений, используемой функции отклика и процедуры подгонки.

Уровень 0 (2186 кэВ) ядра 144Nd разряжается при прямом переходе на основное состояние и при переходе через промежуточный уровень 2+ испусканием γ-квантов с энергиями 2186 кэВ (0.69%) и 1489 кэВ и 697 кэВ (0.28%), как показано на вставке рис. 5. На этом же рисунке показан энергетический спектр всех событий BGO-детектора и событий, зарегистрированных в совпадении с сигналом β-спектрометра. В полном спектре хорошо видны пики полного поглощения γ‑квантов с энергиями 1460 кэВ и 2614 кэВ, связанные с распадами изотопов 40К и 208Tl из семейства естественной радиоактивности 232Th.

Рис. 5.

Спектры BGO-детектора: 1 – фоновый спектр; 2 – спектр в совпадении с сигналом Si(Li)-спектрометра.

Спектр совпадающих событий (рис. 5, спектр 2) содержит пики с энергиями 697 кэВ и 2186 кэВ, соответствующие β-переходам на возбужденные уровни ядра 144Nd. Для отбора разрешенных β-переходов на уровень 1 использовалось условие, что энергия γ-квантов, зарегистрированная BGO-детектором, превышает 1 МэВ. Условие выполняется для пика полного поглощения и части спектра комптоновского рассеяния. Данное условие позволяет исключить β-переходы на уровень 2+, которые сопровождаются одним 697-кэВ γ-квантом.

Спектр β-спектрометра, измеренный в совпадении с сигналами BGO-детектора с энергией более 1 МэВ, показан на рис. 6. Он состоит из β-спектра, соответствующего переходу на возбужденный уровень, и спектра случайных совпадений. Спектр хорошо описывается теоретической формой разрешенного β-перехода с граничной энергией 812 кэВ, что подтверждает гауссову форму функции отклика 4π-β-спектрометра. На том же рисунке приведен полный зарегистрированный спектр, который, в основном, связан с β-переходом на основное состояние.

Рис. 6.

Спектр разрешенного β-перехода 144Pr (0) → → 144Nd (1) (Qβ = 0.812 МэВ), измеренный в совпадении с сигналом BGO-детектора (внизу), в сравнении с β-спектром для перехода на основное состояние (Qβ = 3.0 МэВ). Штриховой линией показан результат подгонки.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Описаны характеристики нового спектрометра для измерения β-спектров ядер искусственной и естественной радиоактивности с граничной энергией до 3 МэВ. Спектрометр состоит из двух Si(Li)-детекторов с толщиной чувствительного слоя >8 мм и сцинтилляционного кристалла для изучения переходов на возбужденные состояния. Функция отклика спектрометра близка к гауссовой и не содержит части, связанной с обратным рассеянием электронов от поверхности кристалла, что позволяет провести прямое измерение энергии электронов в β-распаде и соответственно определить спектр электронных антинейтрино. В комбинации с сцинтилляционным BGO-детектором спектрометр используется для измерения β-спектров, соответствующих переходам на возбужденные состояния дочерних ядер. Созданный спектрометр уже использовался для измерения β‑спектров ядер 144Ce–144Pr и 210Bi.

Список литературы

  1. LSND Collaboration // Phys. Rev. Lett. 1998. V. 81. P. 1774. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.81.1774

  2. SAGE Collaboration // Phys. Rev. 1999. V. C59. P. 2246. https://doi.org/10.1103/PhysRevC.59.2246

  3. GALLEX Collaboration // Phys. Lett. 1999. V. B447. P. 127. https://doi.org/10.1016/S0370-2693(98)01579-2

  4. Mention G., Fechner M., Lasserre Th., Mueller Th.A., Lhuillier D., Cribier M., and Letourneau A. // Phys. Rev. 2011. V. D83. P.073006. https://doi.org/10.1103/PhysRevD.83.073006

  5. KamLand Collaboration // arXiv:1312.0896v2. https://arxiv.org/pdf/1312.0896.pdf

  6. Borexno Collaboration // JHEP. 2013. V. 08. P. 038. https://doi.org/10.1007/JHEP08(2013)038

  7. Базлов Н.В., Бахланов С.В., Дербин А.В., Драчнев И.С., Еремин В.К., Котина И.М., Муратова В.Н., Пилипенко Н.В., Семенов Д.А., Унжаков Е.В., Чмель Е.А. // ПТЭ. 2018. № 3. С. 5. https://doi.org/10.7868/S0032816218030199

  8. Alekseev I.E., Bakhlanov S.V., Bazlov N.V., Chmel E.A., Derbin A.V., Drachnev I.S., Kotina I.M., Muratova V.N., Pilipenko N.V., Semenov D.A., Unzhakov E.V., Yeremin V.K. // Nucl. Instrum. and Methods. 2018. V. A890. P. 64. https://doi.org/10.1016/j.nima.2018.02.031

  9. Alekseev I.E., Bakhlanov S.V., Derbin A.V., Drachnev I.S., Kotina I.M., Lomskaya I.S., Muratova V.N., Niyazova N.V., Semenov D.A., Trushin M.V., Unzhakov E.V. // arXiv:2005.08481. https://arxiv.org/pdf/2005.08481.pdf

  10. Bakhlanov S.V., Derbin A.V., Drachnev I.S., Kotina I.M., Lomskaya I.S., Muratova V.N., Pilipenko N.V., Semenov D.A., Unzhakov E.V. // J. Phys.: Conf. Ser. 2019. V. 1390. P. 012117. https://doi.org/10.1088/1742-6596/1390/1/012117

  11. Bazlov N.V., Derbin A.V., Drachnev I.S., Gicharevich G.E., Kotina I.M., Konkov O.M., Pilipenko N.V., Chmel E.A., Abolmasov S.N., Terukov E.I., Unzhakov E.V. // J. Phys.: Conf. Ser. 2019. V. 1400. P. 055056. https://doi.org/10.1088/1742-6596/1400/5/055056

Дополнительные материалы отсутствуют.