Радиотехника и электроника, 2023, T. 68, № 4, стр. 353-359

Обратный магнитокалорический эффект в соединении Mn5Si3

А. С. Кузнецов a*, А. В. Маширов a, И. И. Мусабиров b, В. И. Митюк c, М. С. Аникин d, А. П. Каманцев a, В. В. Коледов a, В. Г. Шавров a

a Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
125009 Москва, ул. Моховая, 11, корп. 7, Российская Федерация

b Институт проблем сверхпластичности металлов РАН
450001 Уфа, ул. Степана Халтурина, 39, Российская Федерация

c Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению
Минск, Республика Беларусь

d Уральский федеральный университет
620075 Екатеринбург, просп. Ленина, 51, Российская Федерация

* E-mail: kuznetsovalserg@gmail.com

Поступила в редакцию 22.09.2022
После доработки 12.10.2022
Принята к публикации 18.10.2022

Полный текст (PDF)

Аннотация

Прямым методом проведены исследования магнитокалорического эффекта (МКЭ) для образцов соединения Mn5Si3 в адиабатических условиях в магнитных полях до 2 Тл при криогенных температурах в диапазоне от 25 до 125 K. По результатам измерений показано, что при температурах вблизи метамагнитоструктурного фазового перехода 1-го рода из неколлинеарного антиферромагнитного в коллинеарное антиферромагнитное состояние наблюдаются как обратный, так и прямой МКЭ. Максимальное значение обратного МКЭ составило ∆Tad = –0.27 K при начальной температуре T0 = 55 K в магнитном поле 2 Тл. Прямой МКЭ с максимальным значением ∆Tad = +0.23 K наблюдается при T0 = 70 K в поле 2 Тл.

ВВЕДЕНИЕ

Поиск перспективных материалов, претерпевающих магнитные и магнитоструктурные фазовые переходы (ФП), является актуальным направлением в области твердотельного магнитного охлаждения [1, 2]. Воздействие внешнего магнитного поля на такие материалы вызывает в них магнитокалорический эффект (МКЭ), который представляет собой изменение температуры ∆Tad при нахождении материала в адиабатических условиях или изменение магнитной энтропии ∆Smag ‒ в изотермических. Известно, что МКЭ принимает максимальные значения в области температур ФП и может быть как прямым, так и обратным [1]. Под прямым МКЭ понимают обратимое (в общем случае) увеличение температуры образца и, соответственно, уменьшение энтропии магнитной подсистемы при росте внешнего магнитного поля. Под обратным МКЭ, напротив, уменьшение температуры образца и увеличение энтропии магнитной подсистемы при росте внешнего магнитного поля.

Обратный МКЭ наблюдается в разных семействах материалов и сплавов вблизи температур метамагнитных ФП 1-го рода, таких как ФП, из антиферромагнитного в ферромагнитное упорядочение (АФМ → ФМ) [3, 4], из антиферромагнитного в ферримагнитное (АФМ → ФИМ) [5] и из неколлинеарного АФМ в коллинеарное АФМ упорядочение. Чаще всего одновременно с метамагнитным ФП в таких материалах происходит и структурное превращение. Некоторыми примерами систем таких материалов являются сплавы Гейслера из семейств Ni–Mn–(Sn, In) [611] и Ni–Mn–Co–(Ga, In) [1115], а также семейства сплавов на основе марганца: Mn2– xCrxSb [16, 17], Mn3MC (M = = Ga, Sn) [1820]. Однако все перечисленные системы сплавов демонстрируют ФП 1-го рода преимущественно в области умеренно низких и комнатных температур. Особый интерес представляют материалы, в которых магнитные и магнитоструктурные ФП проявляются при криогенных температурах (ниже 120 К). Прежде всего это связано с их потенциально возможным применением в качестве хладагентов для сжижения газов, таких как гелий, водород, кислород [21, 22]. Кроме того, ранее было показано [2326], что в тех случаях, когда магнитный ФП сопровождается структурным превращением, приложение магнитного поля может совместно с магнитным вкладом вносить сильный решеточный вклад в конечное изменение энтропии материала и тем самым вызывать высокие значения МКЭ.

Одним из таких материалов является соединение Mn5Si3. Согласно литературным сведениям [2735] при комнатной температуре данное соединение имеет гексагональную структуру типа D88 c пространственной группой P63/mcm и двумя локализованными кристаллографическими позициями атомов Mn: 4 (d) и 6 (f) (обозначается как Mn1 и Mn2 соответственно) с парамагнитным (ПМ) фазовым состоянием [27, 28]. Установлено, что соединение Mn5Si3 претерпевает два последовательных ФП при понижении температуры: магнитоструктурный ФП из ПМ-фазы в коллинеарную АФМ-фазу (АФ2) вблизи TN2 ≈ 99 K, и метамагнитоструктурный ФП из коллинеарной АФМ-фазы (АФ2) в неколлинеарную АФМ-фазу (АФ1) вблизи TN1 ≈ 66 K (рис. 1). Ниже температуры TN2, соединение Mn5Si3 претерпевает перестройку в орторомбическую структуру с центросимметричной пространственной группой Ccmm, которая обусловлена коллинеарным расположением магнитных моментов атомов Mn2 с параллельной и антипараллельной ориентацией спинов, а также отсутствием упорядоченного магнитного момента атомов Mn1 [32, 34]. Неколлинеарное поведение магнитной структуры при температуре ниже TN1 объясняется перестроением магнитных моментов Mn2 и их расщеплением на моменты Mn21 и Mn22, а также дополнительным упорядочением магнитных моментов Mn1, которое связывают с магнитоструктурным искажением и топологической фрустрацией [3235]. Вместе с тем неколлинеарное АФ1-упорядочение приводит к дополнительному структурному искажению, и симметрия магнитной структуры становится моноклинной с нецентросимметричной пространственной группой Cc2m [35]. В некоторых работах [27, 28], высказывалось предположение о проявлении слабого ферромагнетизма в высокотемпературной фазе АФ2.

Рис. 1.

Экспериментальные (точки) и расчетные (кривая 1) рентгенограммы образца Mn5Si3; кривая 2 – разность между рентгенограммами; ряд штрихов – угловые положения брэгговских рефлексов основной фазы, в круглых скобках приведены индексы Миллера.

До настоящего времени исследования, посвященные изучению магнитокалорических свойств данного материала, осуществлялись исключительно косвенными методами – путем определения изотермического изменения магнитной энтропии ∆Smag. В представленной работе путем реализации прямого метода измерений, позволяющего непосредственно определить величину адиабатического изменения температуры ∆Tad, проведено исследование образцов соединения Mn5Si3 в магнитных полях до 2 Тл при криогенных температурах в диапазоне от 25 до 125 K.

1. ОБРАЗЦЫ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ

Поликристаллические образцы соединения Mn5Si3 были синтезированы методом дуговой плавки в атмосфере аргона на медном водоохлаждаемом кристаллизаторе вакуумной печи из высокочистых (99.99 ат. %) навесок Mn и Si. Заготовку помещали в рабочую камеру, где выполнялась процедура плавления в атмосфере аргона с пятью переплавами ‒ для достижения лучшей однородности слитка. С целью гомогенизации слиток отжигали в вакууме в течении 50 ч при температуре 1273 K с последующим естественным охлаждением в печи. Фазовый анализ и определение параметров кристаллической решетки выполнены с помощью рентгеноструктурного анализа методом рентгеновской дифракции с применением порошкового дифрактометра D8 Advance (Bruker) с источником излучения CuKα λ = 1.5406 Å. Определение элементного состава сплава выполнено на растровом электронном микроскопе Vega 3 SBH (Tescan) посредством энергодисперсионного анализа X-Act (Oxford Instruments). Для исследования микроструктуры металлографического шлифа был использован детектор обратно-рассеянных электронов (ДОРЭ), также установленный на растровом электронном микроскопе.

Магнитные свойства поликристаллических образцов Mn5Si3 исследовали с помощью системы Cryogenic по индукционной методике. Измерения температурных зависимостей намагниченности M(T) осуществляли в диапазоне температур 4…200 K в постоянных магнитных полях 10 мТл и 1 Тл. Измерения в поле 10 мТл проводили в процессе нагревания образцов, охлажденных до 4 K в трех режимах: охлаждение в отсутствие магнитного поля с последующим нагревом в поле (ZFC), охлаждение в магнитном поле (FC) и нагрев после охлаждения в магнитном поле (FH). Измерения полевых зависимостей намагниченности M(H) были выполнены в магнитных полях до 13.5 Тл в диапазоне температур 10…110 K. Скорость нагрева и охлаждения при измерениях намагниченности составляла 2 K/мин.

Исследование магнитокалорических свойств в образце соединения Mn5Si3 осуществляли с помощью сверхпроводящей криомагнитной системы методом прямого измерения адиабатического изменения температуры ∆Tad дифференциальной микротермопарой при изменении внешнего магнитного поля. Прямой экстракционный метод измерений ∆Tad, реализованный в данной работе, аналогичен методу, о котором сообщалось ранее [36]. Подробное описание данного метода измерений представлено в работе [37]. Кроме того, основываясь на полученных данных для полевых зависимостей намагниченности M(H), проведен косвенный расчет изотермического изменения магнитной энтропии ∆Smag образца соединения Mn5Si3.

2. РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЯ

По результатам фазового анализа экспериментальной рентгенограммы синтезированного сплава (см. рис. 1), полученной при комнатной температуре, установлено, что кристаллическая структура Mn5Si3 с высокой степенью сходимости описывается гексагональной P63/mcm пространственной группой с параметрами решетки a = b = 6.91441 Å, c = 4.81609 Å. Рентгенофазовый анализ образца Mn5Si3 показал, что помимо основной фазы состава Mn5Si3 обнаружена примесная фаза состава, близкого к Mn3Si, содержание которой составило около 2%, что хорошо согласуется с более ранними исследованиями [32, 38]. Анализ элементного состава исследуемого сплава показал, что образец имеет следующее содержание компонентов: Mn63.4Si36.6 (ат. %) (Mn5.07Si2.93). Согласно полученным данным соотношение содержания компонентов сплава соответствует ожидаемому стехиометрическому составу Mn5Si3. При проведении локализованного анализа поверхности металлографического шлифа показано (рис. 2), что основная матрица соответствует фазе Mn5Si3, которая представлена вытянутыми кристаллами длиной не более 1 мм. В основной матрице через ДОРЭ наблюдаются светлые выделения овальной формы длиной менее 10 мкм, которые соответствуют фазе Mn3Si.

Рис. 2.

SEM-изображение микроструктуры образца Mn5Si3 в состоянии после гомогенизационного отжига в течение 50 ч при температуре 1273 K и разном приближении: 100 (а), 50 (б) и 20 мкм (в).

Результаты измерений температурной зависимости намагниченности M(T) для образца Mn5Si3 в постоянном магнитном поле 1 Тл и полевой зависимости M(H) в диапазоне температур 10…110 K представлены на рис. 3а, 3б. Результаты измерения температурных зависимостей намагниченности M(T) в слабом магнитном поле 10 мТл представлены на вставке рис. 3а. В режиме нагрева (FH), кривая намагниченности достигает максимального значения при температуре TN1 = 66.9 K, что соответствует разрушению неколлинеарного антиферромагнетизма и переходу АФ1 → АФ2 [2733]. При температуре TN2 = 101.4 K наблюдается изменение наклона кривой намагниченности, что обусловлено наличием магнитоструктурного ФП АФ2 → ПМ [33, 3841]. Следует отметить, что в режиме охлаждения (FC), наблюдается смещение температурного хода кривой намагниченности с температурным гистерезисом шириной до 9.4 K. Поведение кривых намагничивания (см. рис. 3б) в широком диапазоне полей при температуре ниже 60 K свидетельствует о наличии индуцированного магнитным полем ФП 1-го рода, сопровождающегося температурным гистерезисом магнитных свойств, который, в свою очередь, связывают с магнитострикцией соединения [40, 41]. Обнаружено, что величина критического поля, при котором полностью завершается ФП 1-го рода, уменьшается по мере роста температуры, что хорошо согласуется с более ранними исследованиями [3942]. Используя низкополевую зависимость M(T), полученную согласно протоколу FH, была определена температура метамагнитоструктурного ФП АФ1 → АФ2: TN1 = 66.9 K. Температура Нееля АФ2 → ПМ была определена как TN2 = 101.4 K. Эти значения находятся в достаточно хорошем согласии с опубликованными данными [2733, 41].

Рис. 3.

Зависимости намагниченности образца M соединения Mn5Si3 от температуры в постоянном магнитном поле 1 Тл (а) и в низком магнитном поле 10 мТл (вставка на рис. 3(а)), полученные по протоколам FC (кривая 1) и FH (кривая 2); (б) – полевые зависимости намагниченности при постоянных температурах от 10 до 110 K.

На рис. 4 представлены результаты измерения МКЭ для образца Mn5Si3 при адиабатическом намагничивании в широком диапазоне температур, от 25 до 125 K. Измерения проводили в режиме нагрева и термоциклирования. Диапазон термоциклирования был определен с учетом особенностей метамагнитоструктурного ФП 1-го рода АФ1 → АФ2, чтобы исключить влияние остаточной высокотемпературной фазы АФ2, возникающей в результате первого внесения образца в область магнитного поля. Для этого перед внесением образца в область магнитного поля осуществлялось его охлаждение до температуры ниже ФП из моноклинной в орторомбическую фазу, а затем нагрев до начальной температуры измерений T0.

Рис. 4.

Температурная зависимость адиабатического изменения температуры ∆Tad образца соединения Mn5Si3 в магнитных полях до 2 Тл в режиме нагрева (кривые 1 и 2) и термоциклирования (кривые 3 и 4): µ0H = 1 Тл (1 и 3), µ0H = 2 Тл (2 и 4).

Согласно полученным результатам в области температур ФП АФ1 → АФ2 наблюдались как обратный, так и прямой МКЭ, возникающие при криогенных температурах в магнитных полях до 2 Тл. Максимальное значение обратного МКЭ составило ∆Tad = –0.27 K при начальной температуре T0 = 55 K в магнитном поле 2 Тл. С ростом величины магнитного поля наблюдается смещение максимального обратного значения ∆Tad в область низкотемпературной фазы. Величина обратного МКЭ в образце соединения Mn5Si3, измеренная в данной работе, сопоставима с уже известными значениями обратного МКЭ некоторых интерметаллических соединений на основе редкоземельных металлов: RCu2, R2In (R = Tb, Gd, Dy) [4345], а также значениями МКЭ чистых редкоземельных металлов, например Tm [46].

Возникновение прямого МКЭ с максимальным значением ∆Tad = +0.23 K наблюдается при температуре T0 = 70 K в магнитном поле 2 Тл и, вероятно, связано с влиянием нескольких конкурирующих вкладов: постепенным нарастанием коллинеарной АФМ-фазы, которое обусловлено метамагнитоструктурным ФП 1-го рода АФ1 → АФ2 и эффектами парапроцесса. Стоит отметить, что при нагреве образца выше температуры T0 = 70 K величина ∆Tad вновь претерпевает инверсию знака и становится отрицательной. В нашем случае это может быть связано с подавлением роста высокотемпературной фазы (АФ2) низкотемпературной фазой (АФ1) за счет влияния остаточного магнитного поля, которое продолжало действовать на образец при его выключении из рабочей области сверхпроводящего магнита и составляло около 3% (~ 0.03 Тл) на расстоянии 270 мм.

Из более ранних исследований становится ясно, что неколлинеарная фаза АФ1 в основном ответственна за возникновение обратного МКЭ, который исчезает в высокотемпературной фазе АФ2 [30, 31, 41]. Исследования неупругого рассеяния нейтронов указывают на то, что магнитное поле вызывает флуктуации спина в системе, что оказывает существенное влияние на поведение материала и изменение его магнитной структуры [47].

Изменение магнитной энтропии материала связано с намагниченностью M, абсолютной температурой T и напряженностью магнитного поля H с помощью термодинамического соотношения Максвелла [48]:

(1)
$\begin{array}{*{20}{c}} {\Delta {{S}_{{{\text{mag}}}}}\left( {T,~\Delta H} \right) = \int\limits_0^H {{{{\left( {\frac{{\partial M\left( {T,~H} \right)}}{{\partial T}}} \right)}}_{H}}} dH.} \end{array}$

На рис. 5 представлена температурная зависимость изменения магнитной энтропии ∆Smag, полученная на основании данных полевой зависимости намагниченности M(H) в магнитных полях до 6 Тл с помощью уравнения (1), которое было аппроксимировано следующим образом:

(2)
$\begin{array}{*{20}{c}} {\Delta {{S}_{{{\text{mag}}}}}\left( {{{T}_{{{\text{av}}}}},~\Delta H} \right) = \frac{{\delta H}}{{\delta T}}\sum\limits_{i = 1}^n {M\left( {{{T}_{{i + 1}}},~H} \right)} - M\left( {{{T}_{i}}} \right),} \end{array}$
Рис. 5.

Изотермическое изменение магнитной энтропии ∆Smag соединения Mn5Si3, рассчитанное по результатам измерений полевой зависимости намагниченности M(H) в магнитных полях до 6 Тл.

где δT = Ti – T+ 1 – разница температур нижней (Ti) и верхней (Ti + 1) изотерм намагниченности; n – количество точек, полученное для каждой из двух изотерм при изменении магнитного поля от начального (HI = 0) до конечного (HF) значения при постоянном шаге δH = (HFHI)/(n ‒ 1). Значения ∆Smag получены для средней температуры Tavr= (Ti + Ti+1)/2 между двумя изотермами намагниченности.

Из температурной зависимости видно, что в области ниже точки ФП величина ∆Smag имеет отрицательные значения, что обусловливает обратный МКЭ и подтверждает преобладание фазы АФ1. Следует отметить, что отрицательные значения ∆Smag обнаружены исключительно в области неколлинеарных магнитных структур (T < TN1).

Максимальное значение обратного МКЭ наблюдается в магнитном поле 6 Тл со значением ∆Smag = ‒4.2 Дж/(кг K) при температуре T0 = 55 K. Вероятно, приложение магнитного поля расщепляет некоторые антипараллельные спины Mn1 и Mn2, что приводит к увеличению беспорядка спиновой системы и разрушению неколлинеарного антиферромагнетизма, повышая значения магнитной энтропии, о чем упоминалось ранее [42, 47, 49]. Выше первой точки ФП происходит инверсия знака и ∆Smag становится положительным, что соответствует возникновению прямого МКЭ с максимальным значением ∆Smag = 1.5 Дж/(кг K) при температуре T0 = 65 K в магнитном поле 6 Тл.

Полученные значения обратного МКЭ для образца соединения Mn5Si3 достаточно хорошо согласуются с известными литературными данными. Так, в работе [32] показано максимальное значение ∆Smag ≈ ‒2 Дж/(кг K) при изменении магнитного поля µ0H = 3 Тл по сравнению с ∆Smag = = ‒2.1 Дж/(кг K) в 2 Тл в представленной работе. При изменении µ0H = 5 Тл авторами получено максимальное значение ∆Smag ≈ ‒3 Дж/(кг K) в работе [31] и ∆Smag ≈ ‒4 Дж/(кг K) в [49], тогда как в нашем случае ∆Smag = ‒3.2 Дж/(кг K).

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Проведено исследование магнитных свойств соединения Mn5Si3, по результатам которого обнаружено наличие двух последовательных ФП 1-го рода: метамагнитоструктурный переход АФ1 → АФ2 при температуре TN1 = 66.9 K и магнитоструктурный переход АФ2 → ПМ при температуре TN2 = 101.4 K. Измерение МКЭ в образце соединения Mn5Si3 выполнено на основе сверхпроводящей криомагнитной системы замкнутого цикла прямым методом в адиабатических условиях. Обнаружен обратный МКЭ с максимальным значением ∆Tad = –0.27 K при начальной температуре T0 = 55 K в магнитном поле 2 Тл, которому соответствует изменение энтропии магнитной системы ∆Smag = ‒0.4 Дж/(кг K). Выше температуры ФП 1-го рода АФ1 → АФ2 происходит инверсия знака и ∆Smag становится положительным, что связано с возникновением прямого МКЭ и может быть обусловлено разрушением неколлинеарного упорядочения низкотемпературной фазы и влиянием парапроцесса. Прямой МКЭ достигает максимального значения ∆Tad = +0.23 K при начальной температуре T0 = 70 K в магнитном поле 2 Тл. Данному значению соответствует изменение магнитной энтропии ∆Smag = = ‒0.1 Дж/(кг K).

Список литературы

  1. Tishin A.M., Spichkin Y.I. The Magnetocaloric Effect and its Applications. Bristol: Inst. of Phys. Publ., 2003. https://doi.org/10.1201/9781420033373

  2. Numazawaa T., Kamiya K., Utaki T., Matsumoto K. // Supercond. and Cryogenics. 2013. V. 15. P. 1. https://doi.org/10.9714/psac.2013.15.2.001

  3. Каманцев А.П., Амиров А.А., Кошкидько Ю.С. и др. // ФТТ. 2020. Т. 62. № 1. С. 117. https://doi.org/10.1134/S1063783420010151

  4. Konoplyuk S.M., Mashirov A.V., Kamantsev A.P. et al. // IEEE Trans. 2018. V. MAG-54. № 1. Article No. 2500204. https://doi.org/10.1109/TMAG.2017.2761322

  5. von Ranke P.J., de Oliveira N.A., Alho B.P. et al. // J. Phys.: Cond. Matt. 2009. V. 21. № 5. P. 056004. https://doi.org/10.1088/0953-8984/21/5/056004

  6. Krenke T., Duman E., Acet M. et al. // Nature Mater. 2005. V. 4. P. 450. https://doi.org/10.1038/nmat1395

  7. Han Z.D., Wang D.H., Zhang C.L. et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. № 4. P. 042507. https://doi.org/10.1063/1.2435593

  8. Krenke T., Duman E., Acet M. et al. // Phys. Rev. B. 2007. V. 75. № 10. P. 104414. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.75.104414

  9. Batdalov A.B., Khanov L.N., Mashirov A.V. et al. // J. Appl. Phys. 2021. V. 129. № 12. P. 123901. https://doi.org/10.1063/5.0035280

  10. Chatterjee S., Giri S., Majumdar S., De S. K. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2009. V. 42. № 6. Article No. 065001. https://doi.org/10.1088/0022-3727/42/6/065001

  11. Файзулин Р.Р., Маширов А.М., Бучельников В.Д. и др. // РЭ. 2016. Т.61. № 10. С.994. https://doi.org/10.7868/S0033849416100107

  12. Entel P., Sokolovskiy V.V., Buchelnikov V.D. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2015. V. 385. P. 193. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2015.03.003

  13. Vasiliev A.N., Heczko O., Volkova O.S. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2010. V. 43. № 5. Article No. 055004. https://doi.org/10.1088/0022-3727/43/5/055004

  14. Dilmieva E.T., Koshkidko Y.S., Kamantsev A.P. et al. // IEEE Trans. 2017. V. MAG-53. № 11. Article No. 2503705. https://doi.org/10.1109/TMAG.2017.2702577

  15. Каманцев А.П., Коледов В.В., Маширов А.В. и др.// Изв. РАН. Сер. Физическая. 2014. Т. 78. № 9. С.1180. https://doi.org/10.7868/S0367676514090105

  16. Caron L., Miao X.F., P Klaasse J.C. et al. //. Appl. Phys. Lett. 2013. V. 103. № 11. P. 112404. https://doi.org/10.1063/1.4821197

  17. Tekgul A., Cakır O., Acet M. et al. // J. Appl. Phys. 2015. V. 118. № 15. P. 153903. https://doi.org/10.1063/1.4934253

  18. Tohei T., Wada H. // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. № 3. P. 1800. https://doi.org/10.1063/1.1587265

  19. Cakır O., Acet M. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. № 20. P. 202404. https://doi.org/10.1063/1.4717181

  20. Dias E.T., Das A., Hoser A. et al. // J. Appl. Phys. 2018. V. 124. № 15. P. 153902. https://doi.org/10.1063/1.5050655

  21. Zhang H., Gimaev R., Kovalev B. et al. // Physics B: Cond. Matt. 2019. V. 558. P. 65. https://doi.org/10.1016/j.physb.2019.01.035

  22. Park J., Jeong S., Park I. // Cryogenics. 2015. V. 71. P. 82. https://doi.org/10.1016/j.cryogenics.2015.06.006

  23. Liu J., Gottschall T., Skokov K. P. et al. // Nature Mater. 2012. V. 11. P. 620. https://doi.org/10.1038/nmat3334

  24. Pecharsky V.K., Gschneidner K.A., Mudryk Ya., Paudyal D. // J. Magn. Magn. Mater. 2009. V. 321. P. 3541. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2008.03.013

  25. Guo D., Moreno-Ramirez L.M., Romero-Muniz C. et al. // Science China Mater. 2021. V. 64. № 11. P. 2846. https://doi.org/10.1007/s40843-021-1711-5

  26. Ren Q.Y., Hutchison W.D., Wand J.L. et al. // J. Alloys Compounds. 2017. V. 693. P. 32. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2016.09.169

  27. Lander G.H., Brown P.J., Forsyth J.B. // Proc. Phys. Soc. 1967. V. 91. № 2. P. 332. https://doi.org/10.1088/0370-1328/91/2/310

  28. Menshikov A.Z., Vokhmyanin A.P., Dorofeev Yu.A. // Phys. Status Solidi. B. 1990. V. 158. P. 319. https://doi.org/10.1002/pssb.2221580132

  29. Судакова Н.П., Кузнецов С.И., Михельсон А.В. и др. // Докл. АН СССР. 1976. Т. 228. № 3. С. 582.

  30. Luccas R.F., Sánchez-Santolino G., Correa-Orellana A. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2019. V. 489. Article No. 165451. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2019.165451

  31. Songlin D., Dagula W., Tegus O. et al. // J. Alloys Compounds. 2002. V. 334. № 1–2. P. 242. https://doi.org/10.1016/S0925-8388(01)01776-5

  32. Gottschilch M., Gourdon O., Persson J. et al. // J. Mater. Chem. 2012. V. 22. P. 15275. https://doi.org/10.1039/C2JM00154C

  33. Brown P.J., Forsyth J.B., Nunez V., Tasset F. // J. Phys.: Cond. Matt. 1992. V. 4. P. 10025. https://doi.org/10.1088/0953-8984/4/49/029

  34. Brown P.J., Forsyth J.B. // J. Phys.: Cond. Matt. 1995. V. 7. P. 7619. https://doi.org/10.1088/0953-8984/7/39/004

  35. Silva M.R., Brown P.J., Forsyth J.B. // J. Phys.: Cond. Matt. 2002. V. 14. P. 8707. https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/37/307

  36. Koshkid’ko Yu.S., Ćwik J., Ivanova T.I. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2017. V. 433. P. 234. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2017.03.027

  37. Кузнецов А.С., Маширов А.В., Алиев А.М. и др. // ФММ. 2022. Т. 123. № 4. С. 425. https://doi.org/10.31857/S0015323022040076

  38. Leciejewicz J., Penc B., Szytula A. et al. // Acta Physica Polonica A. 2008. V. 113. № 4. P. 1193. https://doi.org/10.12693/APhysPolA.113.1193

  39. de Almeida D.M., Bormio-Nunes C., Nunes C.A. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2009. V. 321. P. 2578. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2009.03.067

  40. Al-Kanani H.J., Booth J.G. // J. Magn. Magn. Mater. 1995. V. 140. P. 1539. https://doi.org/10.1016/0304-8853(94)01157-5

  41. Das S.C., Pramanick S., Chatterjee S. // J. Magn. Magn. Mater. 2021. V. 529. Article No. 167909. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2021.167909

  42. Das S.C., Mandal K., Dutta P. et al. // Phys. Rev. B. 2019. V. 100. № 2. P. 024409. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.100.024409

  43. Zheng X.Q., Xu Z.Y., Zhang B. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2017. V. 421. P. 448. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2016.08.048

  44. Rajivgandhi R., Arout Chelvane J., Nigam A.K. et al. // J. Alloys. Compounds. 2020. V. 815. Article No. 152659. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.152659

  45. Kamantsev A.P., Koshkid’ko Yu.S, Taskaev S.V. et al. // J. Supercond. Novel Magn. 2022. V. 35. № 8. P. 2181. https://doi.org/10.1007/s10948-022-06336-z

  46. Андреенко А.С., Белов К.П., Никитин С.А., Тишин А.М. // Успехи физ. наук. 1989. Т. 158. № 4. С. 553.

  47. Biniskos N., Schmalzl K., Raymond S. et al. // Phys. Rev. Lett. 2018. V. 120. № 25. P. 257205. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.120.257205

  48. Pecharsky V.K., Gschneidner K.A. // J. Appl. Phys. 1999. V. 86. № 1. P. 565. https://doi.org/10.1063/1.370767

  49. Tegus O., Bruck E., Zhang L. et al. // Physics B: Cond. Matt. 2022. V. 319. P. 174. https://doi.org/10.1016/S0921-4526(02)01119-5

Дополнительные материалы отсутствуют.