Журнал физической химии, 2019, T. 93, № 4, стр. 611-614
Вольтамперометрическое определение причин концентрационного тушения люминесценции Zn2 – 2уMg2уSiO4 : Mn
Н. А. Зайцева a, b, *, М. Ю. Янченко a, Л. Ю. Булдакова a, Т. А. Онуфриева a, Т. И. Красненко a
a Российская академия наук, Уральское отделение, Институт химии твердого тела
Екатеринбург, Россия
b Уральский государственный горный университет
Екатеринбург, Россия
* E-mail: natalzay@yandex.ru
Поступила в редакцию 19.07.2018
Аннотация
Рассмотрено влияние допирования люминофора Zn2 – 2xMn2xSiO4 (х ≤ 0.2) магнием на зарядовое состояние марганца и причины тушения люминесценции. Установлено, что введение ионов магния и увеличение их доли в катионной подрешетке кристаллофосфора стабилизирует марганец в двухзарядном состоянии. Показано, что концентрационное тушение люминесценции в этом случае вызвано только кластеризацией двухзарядных ионов марганца.
Одним из самых популярных кристаллофосфоров, обеспечивающих зеленое свечение в цветовой гамме современных дисплеев, остается Zn2SiO4 : Mn, обладающий насыщенным цветом излучения, термической и химической стабильностью. Известно, что структура матрицы Zn2SiO4 образована чередующимися тетраэдрами [SiO4]4– и [ZnO4]6–, связанными по вершинам общими атомами кислорода. Марганец может замещать ионы цинка, образуя твердый раствор состава Zn2 – 2хMn2хSiO4, люминесценция которого обусловлена электронным переходом 4T1–6A1 в ионах Mn2+. В ряде работ показано, что интенсивность люминесценции растет при замещении цинка марганцем до х = 0.13 [1–4] и падает при дальнейшем увеличении х. На основании исследования монокристаллов Zn2–2хMn2хSiO4 при х ≤ ≤ 0.03 авторы [5] установили наличие обменных пар Mn2+–Mn2+ и выдвинули предположение, что причиной концентрационного тушения является кластеризация ионов-активаторов. Однако, детальное комплексное исследование кристаллохимических, магнитных, вольтамперометрических свойств представительного набора составов из всей протяженной области твердого раствора Zn2–2хMn2хSiO4 позволило нам установить, что причиной концентрационного тушения люминесценции при х > 0.13 является окисление части ионов-активаторов до состояния Mn3+ [6, 7]. Такое изменение степени окисления ионов-заместителей обусловлено возможностью уменьшения деформационных напряжений структуры ортосиликата цинка, вызванных разницей в размерах ионов (r(Zn2+) = 0.74 Å, r(Mn2+) = 0.80 Å [8]). Показано [7], что при увеличении концентрации марганца параметры элементарной ячейки твердого раствора растут. Мы предположили, что предварительное замещение части ионов цинка в структуре Zn2SiO4 ионами меньшего радиуса, например магния (r(Mg2+) = 0.71 Å [8]), уменьшит исходные параметры элементарной ячейки и тем самым позволит ввести в структуру большее количество Mn2+. При этом интенсивность свечения данного кристаллофосфора должна увеличиться за счет увеличения концентрации оптически-активных ионов марганца. Проведенное нами кристаллохимическое исследование протяженности твердого раствора при содопировании ортосиликата цинка магнием и марганцем показало возможность получения однофазных составов Zn2 – 2х – 2уMn2хMg2уSiO4 при концентрации ионов магния до 30 ат. % и марганца до 20 ат. % [9]. Однако, вопреки ожиданиям, интенсивность свечения полученных люминофоров оказалась меньше, чем для образцов без магния с теми же концентрациями марганца. Так как причиной оптической дезактивации ионов Mn2+ может быть либо их окисление, либо объединение в обменные кластеры, целью настоящей работы является вольтамперометрическое определение зарядового состояния ионов марганца и их возможной кластеризации в Zn2 – 2хMn2х – 2уMg2уSiO4, а также установление механизма концентрационного тушения люминесценции.
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
Образцы Zn2 – 2x – 2уMn2xMg2уSiO4 синтезировали на воздухе твердофазно, в два этапа. На первом этапе синтеза из оксидов ZnO, SiO2 и MgO ступенчатым отжигом при температурах до 1400°С получали силикаты со структурой виллемита Zn2 – 2уMg2уSiO4 (y = 0.12, 0.04). На втором этапе к магнийзамещенным силикатам добавляли взятые в необходимых соотношениях SiO2 и Mn2O3 (квалификация всех оксидов не ниже “ч. д. а.”) и отжигали повторно с промежуточными перетираниями при 1200–1250°С до получения однофазных образцов. Такая методика синтеза позволила избежать образования в качестве промежуточных фаз шпинелей ZnMn2O4 и MgMn2O4. В результате были получены две серии твердых растворов Zn2 – 2x – 2уMn2xMg2уSiO4, где х = 0.13, 0.15 и 0.20, у = 0.04 и 0.12.
Фазовый состав контролировали рентгенографически (Shimadzu, CuKα-излучение, в интервале углов 2θ от 10° до 60° с шагом сканирования 0.02°), используя базу порошковых стандартов PDF2, ICDD USA, release 2009. Расчет параметров элементарной ячейки Zn2 – 2x – 2уMn2xMg2уSiO4 (тригональная сингония, пр. гр. R-3) был выполнен методом полнопрофильного анализа Ритвельда с использованием программы Fullprof.
Вольтамперометрические исследования проводили на полярографе ПУ-1. В качестве индикаторного электрода применяли угольно-пастовый электроактивный электрод (УПЭЭ), площадь видимой поверхности которого составляла 0.125 см2. Активная часть электрода состояла из смеси изучаемого вещества, спектрально чистого графита и связующего – вазелинового масла, взятых в соотношении 1 : 8 : 3 по массе соответственно. Электродами сравнения и вспомогательным служили насыщенные хлоридсеребряные электроды ЭВЛ-1М3. В качестве фонового электролита использовали раствор, содержащий 0.25 моль/л сульфата натрия и 0.5 моль/л аммиака. Для изучения восстановительных превращений в образцах задавали катодную развертку потенциала от нуля до –1800 мВ и регистрировали токи восстановления. Скорость изменения потенциалов составила 30 мВ/с.
ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ
Выбор концентраций ионов-допантов был обусловлен следующими соображениями. Граничные концентрации ионов марганца в Zn2 – 2xMn2xSiO4 определены с одной стороны максимальной интенсивностью люминесценции (х = 0.13), с другой – предельной величиной изоморфной емкости твердого раствора (х = 0.20) [7]. Введение различных концентраций содопанта меньшего радиуса Mg2+ позволит установить качественные закономерности в изменении кристаллохимических параметров и вольтамперометрических характеристик.
В табл. 1 приведены кристаллохимические параметры однофазных образцов Zn2 ‒ 2x ‒ 2уMn2xMg2уSiO4.
Таблица 1.
№ | Состав | х | y | a, Å | c, Å | V, Å3 |
---|---|---|---|---|---|---|
1 | Zn2SiO4 | 0 | 0 | 13.930(1) | 9.303(7) | 1563.49 |
2 | Zn1.74Mn0.26SiO4 | 0.13 | 0 | 13.978(2) | 9.349(9) | 1582.12 |
3 | Zn1.66Mn0.26Mg0.08SiO4 | 0.13 | 0.04 | 13.971(7) | 9.350(5) | 1580.75 |
4 | Zn1.50Mn0.26Mg0.24SiO4 | 0.13 | 0.12 | 13.967(3) | 9.349(9) | 1579.65 |
5 | Zn1.70Mn0.30SiO4 | 0.15 | 0 | 13.985(9) | 9.356(9) | 1585.06 |
6 | Zn1.62Mn0.30Mg0.08SiO4 | 0.15 | 0.04 | 13.977(9) | 9.356(7) | 1583.20 |
7 | Zn1.46Mn0.30Mg0.24SiO4 | 0.15 | 0.12 | 13.973(8) | 9.356(5) | 1582.23 |
8 | Zn1.60Mn0.40SiO4 | 0.20 | 0 | 13.996(6) | 9.371(4) | 1589.92 |
9 | Zn1.52Mn0.40Mg0.08SiO4 | 0.20 | 0.04 | 13.994(8) | 9.372(9) | 1589.78 |
10 | Zn1.36Mn0.40Mg0.24SiO4 | 0.20 | 0.12 | 13.994(1) | 9.375(8) | 1590.10 |
Замещение ионов цинка в Zn2SiO4 (образец 1) марганцем ведет к существенному увеличению параметров элементарной ячейки (образцы 2, 5, 8), что связано с увеличением размеров металл-кислородных тетраэдров. При долях марганца x = = 0.13 (образцы 2, 3, 4) и х = 0.15 (образцы 5, 6, 7) увеличение концентрации ионов магния ведет к закономерному уменьшению параметров а и V при практически неизменном параметре с. Для образцов с х = 0.20 (образцы 8, 9, 10) замещение ионов цинка на магний почти не сказывается на значениях параметров элементарной ячейки. Эта аномалия может иметь следующее объяснение. Ранее нами было показано [7], что при концентрации ионов марганца х = 0.20 часть ионов Mn2+ переходит в окисленное состояние Mn3+ с появлением вакансий в позициях цинка (образец 8). Введение в этот образец магния должно было бы уменьшить значения кристаллохимических параметров образцов 9 и 10, однако их неизменность позволяет предположить, что ионы магния стабилизируют марганец в двухзарядном состоянии, а вызванный этим рост размеров металл-кислородных полиэдров компенсируется их уменьшением за счет вводимого магния.
Изложенные выше обсуждения изменения кристаллохимических параметров дают основания предположить, что ионы марганца во всех изучаемых образцах находятся в двухзарядном состоянии. В этом случае рост концентрации ионов Mn2+ в содопированных образцах должен вызывать рост интенсивности люминесценции, что противоречит результатам [9]. В связи с этим продолжением нашего исследования явилось прямое определение зарядовых состояний ионов марганца методом вольтамперометрии с УПЭЭ.
На рис. 1 приведены катодные поляризационные кривые образцов Zn1.36Mn0.4Mg0.24SiO4, Zn1.52Mn0.4Mg0.08SiO4, Zn1.46Mn0.3Mg0.24SiO4, Zn1.62Mn0.3Mg0.08SiO4 и оксидов-эталонов Mn2O3 и ZnO. С ростом приложенного потенциала ионы цинка и марганца в составе УПЭЭ восстанавливаются, что отражается на поляризационных кривых в виде максимумов [10]. При увеличении потенциала на вольтамперограмме Mn2O3 зафиксированы максимумы при Е1 = –1030 мВ и Е2 = = ‒1560 мВ, соответствующие процессам ступенчатого восстановления Mn3+ → Mn2+ и Mn2+ → → Mn0. Восстановление ZnO (Zn2+ → Zn0) происходит при потенциале Е = –1450 мВ. Пиков восстановления Mg2+ в данных условиях не наблюдается, так как восстановление ионов магния происходит при потенциалах, более отрицательных, чем – 1800 мВ.
Вольтамперограммы твердых растворов Zn2 – 2x – 2уMn2xMg2уSiO4 существенно отличаются от таковых для Zn1.6Mn0.4SiO4 [7]. Однозначным свидетельством присутствия ионов Mn3+ в безмагниевом силикате Zn1.6Mn0.4SiO4 является наличие максимума на его поляризационной кривой при –1020 мВ. Этот максимум, соответствующий превращению Mn3+ → Mn2+, на зависимостях для Zn2 – 2x – 2уMn2xMg2уSiO4 (кривые 1–4) отсутствует. Это означает, что допирование магнием действительно стабилизирует марганец в структуре ортосиликата цинка в зарядовом состоянии Mn2+. На представленных поляризационных кривых 1–4 в области потенциалов от –1400 до ‒1580 мВ наблюдается пик сложной формы, который является результатом наложения максимумов, отвечающих процессам восстановления ионов Zn2+ и ионов Mn2+. Кроме того, в интервале потенциалов от –1650 до –1750 мВ регистрируется дополнительный пик, отсутствующий на кривых восстановления эталона Mn2O3 и ранее исследованного Zn1.6Mn0.4SiO4. Можно предположить, что появление максимума в этой области потенциалов восстановления обусловлено тем, что не все ионы Mn2+ были восстановлены при ‒1400 до –1580 мВ. Восстановление остальных ионов Mn2+ требует больше энергии, поскольку они могут находиться в более связанном, кластеризованном состоянии [11], обусловленном взаимодействием Mn2+–Mn2+. Аналогичный эффект кластеризации описан нами в [12] на примере взаимодействия ионов ванадия в структуре ортосиликата цинка. Следовательно, именно кластеризация ионов марганца является причиной концентрационного тушения люминесценции в Zn2 – 2x – 2уMn2xMg2уSiO4.
Таким образом, в результате проведенного комплексного кристаллохимического и электрохимического исследования установлено, что частичное замещение ионов цинка магнием в люминофоре Zn2SiO4 : Mn предотвращает окисление активатора люминесценции Mn2+. Концентрационное тушение люминесценции в Zn2 – 2x –2уMn2xMg2уSiO4 вызвано только кластеризацией двухзарядных ионов марганца.
Работа выполнена при поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 18–38–00568мол_а.
Список литературы
Onufrieva T.A., Krasnenko T.I., Zaitseva N.A. et al. // Mater. Res. Bull. 2018. V. 97. P. 182.
Babu Ch., Rao B.V., Ravi M., Babu S. // J. Molecular Structure. 2017. V. 1127. P. 6.
Ramakrishna P.V., Murthy D.B.R.K., Sastry D.L., Samatha K. // Spectrochimica Acta Part A: Molecular and Biomolecular Spectroscopy. 2014. V. 129. P. 274.
Sreekanth Chakradhar R.P., Nagabhushana B.M., Chandrappa G.T. et al. // J. Chem. Phys. 2004. V. 121. P. 10250.
Robbins D.J., Mendez E.E., Giess E.A., Chang I.F. // J. Electrochem. Soc. 1984. V. 131(1). P. 141.
Zaitseva N.A., Onufrieva T.A., Barykina J.A. et al. // Mater. Chem. and Physics. 2018. V. 209. P. 107.
Onufrieva T.A., Buldakova L.Yu., Yanchenko M.Yu. et al. // Russian J. of Phys. Chem. A. 2018. V. 92. № 7. P. 1413.
Shannon R.D. // Acta Cryst. A. 1976. V. 32. № 5. P. 751.
Онуфриева Т.А., Бакланова И.В., Ротермель М.В. и др. // Электронный журнал “Фазовые переходы, межфазные границы и наноматериалы”. http://pti-nt.ru/ru/ 2018. № 1. С. 26. http://pti-nt.ru/ru/issue/publication/434-kristallohimicheskie-i-lyuminescentnye-svoiystva-zn2-2x-2ymg2xmn2ysio4-so-strukturoiy-villemita
Брайнина Х.З., Нейман Е.Я., Слепушкин В.В. Инверсионные электроаналитические методы. М.: Химия, 1988. 239 с.
Бонд А.М. Полярографические методы в аналитической химии. М.: Химия, 1983. 328 с.
Krasnenko T.I., Yanchenko M.Yu., Zaitseva N.A. et al. // Russian J. of Phys. Chem. A. 2017. V. 91. № 9. P. 1824.
Дополнительные материалы отсутствуют.
Инструменты
Журнал физической химии