1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Известия РАН. Серия физическая
  4. T. 87, № 6, 2023

Известия РАН. Серия физическая, 2023, T. 87, № 6, стр. 861-866

Энергетическое положение уровней размерного квантования в структурах с множественными HgCdTe квантовыми ямами

Н. Н. Михайлов 1, *, В. Г. Ремесник 1, В. Я. Алешкин 2, С. А. Дворецкий 1, И. Н. Ужаков 1, В. А. Швец 1, 3

1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук”
Новосибирск, Россия

2 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт физики микроструктур Российской академии наук”
Нижний Новгород, Россия

3 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Новосибирский национальный исследовательский государственный университет”
Новосибирск, Россия

* E-mail: mikhailov@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию 05.12.2022
После доработки 23.12.2022
Принята к публикации 27.02.2023

Аннотация

Изучена энергетическая структура уровней размерного квантования в гетероструктуре с множественными квантовыми ямами Hg0.3Cd0.7Te/HgTe, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке (013)GaAs. Получены экспериментальные и расчетные значения энергетического положения трех уровней размерного квантования.

Список литературы

  1. Lei W., Antoszewski J., Faraone L. // Appl. Phys. Rev. 2015. V. 2. Art. No. 041303.

  2. Bhan R.K., Dhar V. // Opto-Electron. Rev. 2019. V. 27. No. 2. P. 174.

  3. Rogalski A. // Rep. Prog. Phys. 2005. V. 68. No. 10. P. 2267.

  4. Capper P., Garland J. Mercury cadmium telluride. Growth, properties and applications. Chichester: John Wiley & Sons Ltd, 2011. P. 556.

  5. Erdem Arkun F., Edwall D.D., Ellsworth J. et al. // J. Electron. Mater. 2017. V. 46. No. 9. P. 5374.

  6. Reddy M., Peterson J.M., Vang T. et al. // J. Electron. Mater. 2011. V. 40. No. 8. P. 1706.

  7. Ziegler J., Wenisch J., Breiter R. et al. // J. Electron. Mater. 2014. V. 43. No. 8. P. 2935.

  8. Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. и др. // Автометрия. Т. 56. № 5. С. 12; Varavin V.S., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N. et al. // Optoelectron. Instrum. Data Process. 2020. V. 56. No. 5. P. 456.

  9. Schulman J.N., McGill T.C. // Appl. Phys. Lett. 1979. V. 34. No. 10. P. 663.

  10. Aleshkin V.Y., Dubinov A.A., Morozov S.V. et al. // Opt. Mater. Express. 2018. V. 8. No. 5. P. 1349.

  11. Ryzhii M., Otsuji T., Ryzhii V. et al. // Opto-Electron. Rev. 2019. V. 27. No. 2. P. 219.

  12. Zhou Y.D., Becker C.R., Selamet Y. et al. // J. Electron. Mater. 2003. V. 32. No. 7. P. 608.

  13. Grein C.H., Jung H., Singh R. et al. // J. Electron. Mater. 2005. V. 34. No. 6. P. 905.

  14. Becker C.R., Latussek V., Pfeuffer-Jeschke A. et al. // Phys. Rev. B. V. 62. No. 15. Art. No. 10353.

  15. Михайлов Н.Н., Швец В.А., Дворецкий С.А. и др. // Автометрия. 2003. Т. 39. № 2. С. 71.

  16. Mikhailov N.N., Smirnov R.N., Dvoretsky S.A. et al. // Int. J. Nanotechnol. 2006. V. 3. No. 1. P. 120.

  17. Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. и др. // Опт. журн. 2000. Т. 67. № 1. С. 39; Sidorov Yu.G., Dvoretski S.A., Mikhailov N.N. et al. // J. Opt. Technol. 2000. V. 67. No. 1. P. 31.

  18. Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С. и др. // ФТП. 2001. Т. 35. № 9. С. 1092; Sidorov Yu.G., Dvoretskii S.A., Varavin V.S. et al. // Semiconductors. 2001. V. 35. No. 9. P. 1045.

  19. Спесивцев Е.В., Рыхлицкий С.В., Швец В.А. // Автометрия. 2011. Т. 47. № 5. С. 5; Spesivtsev E.V., Rykhlitskii S.V., Shvets V.A. // Optoelectron. Instrument. Proс. 2011. V. 47. No. 5. P. 419.

  20. Ржанов А.В., Свиташев К.К., Мардежов А.С., Швец В.А. // ДАН. 1987. Т. 297. № 3. С. 604.

  21. Dvoretsky S., Mikhailov N., Sidorov Yu. et al. // J. Electron. Mater. V. 39. No. 7. P. 918.

  22. Швец В.А., Михайлов Н.Н., Икусов Д.Г. и др. // Опт. и спектроск. 2019. Т. 127. № 8. С. 318; Shvets V.A., Mikhailov N.N., Ikusov D.G. et al. // Opt. Spectrosс. 2019. V. 127. No. 2. P. 340.

  23. Швец В.А. // Опт. и спектроск. 2009. Т. 107. № 5. С. 822; Shvets V.A. // Opt. Spectrosс. 2009. V. 107. P. 780.

  24. Швец В.А., Азаров И.А., Спесивцев Е.В. и др. // ПТЭ. 2016. № 6. С. 87; Shvets V.A., Azarov I.A., Spesivtsev E.V. et al. // Instrum. Exp. Tech. 2016. V. 59. No. 6. P. 857.

  25. Zholudev M., Teppe F., Orlita M. et al. // Phys. Rev. B. 2012. V. 86. Art. No. 205420.

  26. Pfeuffer-Jeschke A. PhD thesis. Germany: Universität Würzburg. Physikalisches Institut. 2000.

  27. Minkov G.M., Aleshkin V.Ya., Rut O.E. et al. // Phys. Rev. B. 2017. V. 96. Art. No. 035310.

  28. Novik E.G., Pfeuffer-Jeschke A., Jungwirth T. et al. // Phys. Rev. B. 2005. V. 72. Art. No. 035321.

  29. Takita K., Onabe K., Tanaka S. // Phys. Stat. Sol. B. 1979. V. 92. P. 297.

  30. Иконников А.В., Бовкун Л.С., Румянцев В.В. и др. // ФТП. 2017. Т. 51. № 12. С. 1588; Ikonnikov A.V., Bovkun L.S., Rumyantsev V.V. et al. // Semiconductors. 2017. V. 51. No. 12. P. 1531.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Известия РАН. Серия физическая

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал