1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Кристаллография
  4. T. 66, № 6, 2021

Кристаллография, 2021, T. 66, № 6, стр. 980-984

Исследование осевого распределения компонентов кристаллов твердого раствора Sr1 − xTbxF2 + x при его направленной кристаллизации из расплава

Н. И. Сорокин 1, *, Д. Н. Каримов 1, Н. А. Ивановская 1

1 Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН
Москва, Россия

* E-mail: nsorokin1@yandex.ru

Поступила в редакцию 30.06.2020
После доработки 30.06.2020
Принята к публикации 21.07.2020

Полный текст (PDF)

Аннотация

Кристаллы флюоритового твердого раствора ${\text{S}}{{{\text{r}}}_{{1 - x}}}{\text{T}}{{{\text{b}}}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ выращены методом Бриджмена из расплавов исходного состава x0 = 0.05, 0.12 и 0.15. Методами денситометрии и рентгенофазового анализа изучено распределение x(L) компонентов по длине кристаллов. В рамках модели Пфанна для случая конвективного механизма массопереноса в расплаве рассчитаны эффективные коэффициенты распределения примеси keff  в этих кристаллах. Уточнено положение состава температурного максимума на кривых плавкости твердого раствора ${\text{S}}{{{\text{r}}}_{{1 - x}}}{\text{T}}{{{\text{b}}}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$. Показана применимость разработанной методики для неразрушающего контроля состава кристаллов твердых растворов, имеющих инкогруэнтный характер плавления.

ВВЕДЕНИЕ

В настоящее время поиск новых функциональных фторидных материалов связан с переходом к многокомпонентным системам и синтезом кристаллов сложного химического состава. Варьируя состав многокомпонентных материалов, можно изменять их дефектную структуру и физические свойства. Однако усложнение состава кристаллов часто приводит к инконгруэнтному характеру их плавления, поэтому выращенные из многокомпонентных расплавов фторидные кристаллы, как правило, характеризуются неоднородным распределением компонентов, как осевым, так и радиальным [1–6]. Однородное распределение компонентов при выращивании многокомпонентных кристаллов наблюдается только в особых случаях – для составов, отвечающих температурным экстремумам на кривых плавкости [7–11].

Необходимым признаком появления максимумов на кривых плавкости является образование гетеровалентных твердых растворов (ТР) [12]. В большинстве бинарных систем MF2–RF3 (M – щелочноземельные элементы Ca, Sr, Ba, Сd, Pb; R – редкоземельные элементы La–Lu, Y, Sc) образуются широкие (вплоть до x ≈ 0.5) области гетеровалентных ТР ${{M}_{{1 - x}}}{{R}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ со структурой типа флюорита [10], которые можно получать в виде объемных кристаллов из расплава методами направленной кристаллизации в вакууме или с использованием фторирующей атмосферы.

С ростом содержания примесного компонента дефектная структура и физические свойства кристаллов ${{M}_{{1 - x}}}{{R}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ существенно изменяются. Например, ионная проводимость ТР ${{M}_{{1 - x}}}{{R}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ увеличивается с ростом x на 8 порядков [13, 14]. Кристаллы концентрированных ТР ${{M}_{{1 - x}}}{{R}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ (x > > 0.01) обладают ценным сочетанием физических и химических характеристик и являются уникальными модельными объектами (в методическом, теоретическом и практическом плане) для изучения гетеровалентного изоморфизма, условий образования ТР, взаимодействия структурных дефектов и их влияния на термическую стабильность и структурно-чувствительные физические свойства, связанные с сильным разупорядочением анионной (фторной) подрешетки [13, 14]. В практическом плане кристаллы ${{M}_{{1 - x}}}{{R}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ являются перспективными материалами для ионики твердого тела (твердые электролиты, сенсоры, химические источники тока), конструкционной оптики и фотоники (пассивные и активные оптические элементы, сцинтилляторы, лазерные среды) [14–18].

Для исследований используют образцы, полученные из различных частей выращенных из расплава кристаллов ${{M}_{{1 - x}}}{{R}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$, состав которых может значительно отличаться от состава исходной шихты. Физические свойства (например, ионная проводимость, твердость, теплопроводность) ТР ${{M}_{{1 - x}}}{{R}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ в сильной степени определяются их химическим составом. С учетом сложностей прямого контроля химического состава фторидных материалов особенно важными являются исследование реального, зависящего от ростовых условий, распределения компонентов в кристаллических заготовках ${{M}_{{1 - x}}}{{R}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ и сопоставление его с теоретическим распределением.

Большинство работ по изучению распределения редкоземельного компонента проводилось на слаболегированных (x < 0.01) кристаллах ${{M}_{{1 - x}}}{{R}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ [1, 19–21]. Работ по экспериментальному исследованию распределения редкоземельного компонента в сильно нестехиометрических кристаллах ${{M}_{{1 - x}}}{{R}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ (x > 0.01) немного. Такие исследования проводились для монокристаллов ТР ${\text{C}}{{{\text{a}}}_{{1 - x}}}{\text{G}}{{{\text{d}}}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ (x = 0.01–0.1) [22], ${\text{C}}{{{\text{a}}}_{{1 - x}}}{\text{H}}{{{\text{o}}}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ (x = 0.1) [23] и ${\text{S}}{{{\text{r}}}_{{1 - x}}}{\text{G}}{{{\text{d}}}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ (x = 0.05–0.15) [20, 24] с использованием трудоемких, технически сложных, требующих специального оборудования методов локального рентгеноспектрального микроанализа [23, 24], рентгенофлюоресцентного анализа [22], масс-спектрометрии высокого разрешения [25], радиоактивных индикаторов [20].

В настоящее время основным методом уточнения химического состава ТР ${{M}_{{1 - x}}}{{R}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ является рентгенофазовый анализ (РФА), позволяющий определять параметры кристаллической решетки ТР а и его состав x по известной аналитической зависимости вида а = f(x). Так, в [26] сравнением параметров решетки различных частей кристаллов флюоритовой фазы Pb1−xCdxF2 был уточнен ее конгруэнтно плавящийся состав. Однако для многих флюоритовых фаз ${{M}_{{1 - x}}}{{R}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ наблюдается слабая зависимость параметров решетки от состава (например, для ТР ${\text{S}}{{{\text{r}}}_{{1 - x}}}{\text{N}}{{{\text{d}}}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ эта зависимость вообще отсутствует, а(x) = const [27]), поэтому рентгенографический метод неприменим. Кроме того, он является разрушающим.

Альтернативным, технически несложным методом неразрушающего контроля состава является денситометрия. В [28] сравнением плотностей различных частей кристаллов, выращенных из расплава методом Бриджмена, были уточнены конгруэнтные составы для кристаллов ${{R}_{{1--y}}}{\text{S}}{{{\text{r}}}_{y}}{{{\text{F}}}_{{3--y}}}$ (R = La, Ce, Pr, Nd) со структурой тисонита.

Практика выращивания кристаллов ТР ${{M}_{{1 - x}}}{{R}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ требует изучения особенностей и закономерностей реального макрораспределения компонентов в процессе их направленной кристаллизации. В настоящей работе объектом исследований выбраны кристаллы ${\text{S}}{{{\text{r}}}_{{1 - x}}}{\text{T}}{{{\text{b}}}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$, которые являются среднетемпературными супер-ионными проводниками и перспективными магнитооптическими материалами [29, 30].

Цель работы заключается в исследовании распределения компонентов по длине кристаллов гетеровалентных ТР ${\text{S}}{{{\text{r}}}_{{1 - x}}}{\text{T}}{{{\text{b}}}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$, полученных направленной кристаллизацией расплава разного исходного состава, с использованием методов денситометрии и РФА.

ЭКСПЕРИМЕНТ

Выращивание кристаллов. Фазовая диаграмма системы SrF2–TbF3 была изучена в [31]. Область гомогенности флюоритового ТР ${\text{S}}{{{\text{r}}}_{{1 - x}}}{\text{T}}{{{\text{b}}}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ простирается до x = 0.43 ± 0.02 (рис. 1). Конгруэнтный состав раствора, соответствующий температурному максимуму на кривой плавкости, определяется при xmax = 0.13 ± 0.02 по данным дифференциально-термического анализа (ДТА). Для ростового эксперимента выбраны три исходных состава шихты с содержанием TbF3x0 = 0.05, 0.12 и 0.15, которые удовлетворяют условиям x0 < < xmax, x0 ≈ xmax и x0 > xmax соответственно.

Рис. 1.

Участок фазовой диаграммы системы SrF2–TbF3 в области существования флюоритового твердого раствора ${\text{S}}{{{\text{r}}}_{{1 - x}}}{\text{T}}{{{\text{b}}}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ (по данным [31]).

Кристаллы ${\text{S}}{{{\text{r}}}_{{1 - x}}}{\text{T}}{{{\text{b}}}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ выращены методом Бриджмена в графитовом тигле. В качестве исходных компонентов использовали коммерческие порошки SrF2 и TbF3 (99.99%, LANHIT). Расплав компонентов фторировали и гомогенизировали в течение 1 ч при 1500°С. Фторирующую атмосферу создавали продуктами пиролиза политетрафторэтилена. Направленную кристаллизацию осуществляли со скоростью 3 × 10–4 см/с (скорость опускания тигля). Температурный градиент в зоне роста составлял ∼70 град/см. Потери на испарение не превышали 1 мас. %. Были получены кристаллические були ${\text{S}}{{{\text{r}}}_{{1 - x}}}{\text{T}}{{{\text{b}}}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ диаметром 6 мм и длиной ∼30 мм, которые разрезали для дальнейших экспериментов перпендикулярно оси роста на диски толщиной ∼2 мм.

Измерение плотности ρ(x) образцов выполняли гидростатическим методом в дистиллированной воде при комнатной температуре. Погрешность измерения плотности составила Δρ = ±10–2 г/см3.

РФА проводили на порошковом рентгеновском дифрактометре Rigaku MiniFlex 600 (излучение CuKα) в диапазоне углов дифракции 2θ = 10°–120°. Параметры элементарных ячеек определяли методом полнопрофильного анализа Ритвельда в рамках пр. гр. Fm$\bar {3}$m с использованием программного обеспечения X’Pert HighScore Plus (PANanalytical, Нидерланды).

ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ

Точность метода ДТА часто бывает недостаточной для точного определения состава максимума на кривых плавкости флюоритовых ТР ${{M}_{{1 - x}}}{{R}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$. Это осложняется и наблюдаемым пологим (тангенциальным) характером максимумов на кривых плавкости флюоритовых ТР ${{M}_{{1 - x}}}{{R}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ [28]. В [26, 28, 32] для определения конгруэнтно плавящегося состава изо- и гетеровалентных ТР в таких случаях предложено использовать метод направленной кристаллизации расплава.

На рис. 2 приведены концентрационные зависимости ρ(x0) и a(x0) для верхней и нижней частей выращенных кристаллических буль ${\text{S}}{{{\text{r}}}_{{1 - x}}}{\text{T}}{{{\text{b}}}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$. Из рисунка видно, что конгруэнтный состав для флюоритового ТР в системе SrF2–TbF3 (точка пересечения кривых) находится при xmax = 0.132 ± ± 0.005 и хорошо согласуется со значением, полученным для него из данных ДТА этой системы (рис. 1).

Рис. 2.

Зависимости плотности и параметра решетки для нижней (1, 3) и верхней (2, 4) частей кристаллов ${\text{S}}{{{\text{r}}}_{{1 - x}}}{\text{T}}{{{\text{b}}}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ от исходного состава расплава x0.

Осевое распределение компонентов в кристаллах ${\text{S}}{{{\text{r}}}_{{1 - x}}}{\text{T}}{{{\text{b}}}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ определяли двумя способами. В первом состав ТР x в каждом срезе кристалла определяли по аналитической концентрационной зависимости плотности [33]:

(1)
$\rho (x) = 4.28 + 3.539x$
с погрешностью определения состава Δx = 0.003. Во втором способе использовали аналитическую зависимость параметра решетки ТР от состава [34]:
(2)
$a(x) = 5.800--0.1669x.$
Погрешность определения Δx = 0.006.

На рис. 3 показано распределение компонентов x(L) по длине кристаллов ${\text{S}}{{{\text{r}}}_{{1 - x}}}{\text{T}}{{{\text{b}}}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$, выращенных из расплавов с исходным содержанием x0 = 0.05, 0.12 и 0.15. Данные для x(L), полученные из измерений плотности и параметра решетки, хорошо совпадают. Зависимость x(L) имеет убывающий при x0 = 0.05, слабо убывающий при x0 = = 0.12 и возрастающий характер при x0 = 0.15.

Рис. 3.

Распределение компонентов по длине кристаллов ${\text{S}}{{{\text{r}}}_{{1 - x}}}{\text{T}}{{{\text{b}}}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ для состава исходного расплава: x0 = 0.05 (1), 0.12 (2), 0.15 (3). ο – расчет из зависимости ρ(x), Δ – расчет из зависимости a(x), линии − математическая обработка по формуле (3).

Экспериментальные распределения x(L) обрабатывали в рамках модели Пфанна для случая полного выравнивания концентрации примеси в расплаве и отсутствия выравнивания в твердой фазе [35]. Распределение примесного компонента в кристалле имеет вид

(3)
$x{\text{(}}g{\text{) = }}{{k}_{{eff}}}{{x}_{{\text{0}}}}{{{\text{(1}} - g{\text{)}}}^{{{{k}_{{eff}}} - 1}}},$
где keff – эффективный коэффициент распределения примеси (предполагается keff(g) = const), x0 – исходная концентрация примеси в расплаве, g – объемная часть закристаллизовавшегося расплава. Факторами, влияющими на эффективный коэффициент распределения примеси keff, являются скорость кристаллизации, степень перемешивания расплава, неустойчивость фронта кристаллизации.

В табл. 1 приведены значения коэффициента распределения примеси, рассчитанные в соответствии с уравнением (3) при направленной кристаллизации расплава. Здесь же приведены данные по коэффициенту распределения примеси k0 при бесконечном разбавлении для ТР ${\text{S}}{{{\text{r}}}_{{1 - x}}}{\text{T}}{{{\text{b}}}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$, полученные методом направленной кристаллизации расплава [5] и традиционным методом криоскопии [3], а также оценочные значения эффективных коэффициентов keff для ${\text{S}}{{{\text{r}}}_{{1 - x}}}{\text{T}}{{{\text{b}}}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ (при x0 = 0.05, 0.12 и 0.15), рассчитанные с помощью модифицированного метода криоскопии [4] и данных фазовой диаграммы системы SrF2–TbF3. Концентрационные зависимости эффективного keff (направленная кристаллизация расплава) и равновесного keq (расчет из фазовой диаграммы) коэффициентов распределения TbF3 показаны на рис. 4. Можно видеть, что значения коэффициентов keff и keq для кристаллов ${\text{S}}{{{\text{r}}}_{{1 - x}}}{\text{T}}{{{\text{b}}}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ при 0.05 ≤ ≤ x0 ≤ 0.15 хорошо согласуются между собой, что указывает на близость условий кристаллизации к равновесным.

Таблица 1.  

Коэффициенты распределения примеси в кристаллах ${\text{S}}{{{\text{r}}}_{{1 - x}}}{\text{T}}{{{\text{b}}}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ при направленной кристаллизации из расплава

Исходный состав расплава Коэффициент распределения
keff, направленная кристаллизация keq, метод криоскопии
x0 → 0 1.36 ± 0.16* [5] 1.46 ± 0.11 [3]
x0 = 0.05 1.22 ± 0.03 1.2 [4]
x0 = 0.12 1.00 ± 0.03 1 [4]
x0 = 0.15 0.93 ± 0.03 0.9 [4]

Примечание. Метод радионуклидов, концентрация x0 = = 0.005, скорость кристаллизации 2.5–25 мм/ч.

Рис. 4.

Концентрационные зависимости эффективного keff и равновесного keq коэффициентов распределения TbF3 в кристаллах ${\text{S}}{{{\text{r}}}_{{1 - x}}}{\text{T}}{{{\text{b}}}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$: 1 – keq (x0 → 0 [3], 0.05 ≤ x0 ≤ 0.15 [4]), 2 – keff (0.05 ≤ x0 ≤ 0.15, наши данные), 3 – keff (x0 → 0 [5]), линия – аппроксимация точек для keq.

Следует учесть, что скорость установления равновесия в расплаве намного больше, чем в кристалле. Расплав с исходным составом примесного компонента x0 находится в равновесии с твердой фазой на фронте кристаллизации. При keff > 1 растворимое вещество повышает температуру кристаллизации ТР, а при keff < 1 наоборот. Для x0 = 0.05 коэффициент распределения примеси равен keff = 1.22, т.е. происходит инконгруэнтный рост, приводящий к обеднению примесным компонентом растущего кристалла. Для x0 = 0.12 коэффициент keff ≈ 1, происходит конгруэнтная кристаллизация ТР, изменений состава по длине практически не наблюдается. При x0 = 0.15 коэффициент распределения keff = 0.93 – происходит инконгруэнтный рост и обогащение примесным компонентом растущего кристалла (рис. 3).

Состав по длине выращенных кристаллов (от верхней до нижней части) изменяется на величину Δx = 0.035, 0.01 и 0.02 для x0 = 0.05, 0.12 и 0.15 соответственно. Чем больше значение keff будет отклоняться от 1 для твердых растворов ${{M}_{{1 - x}}}{{R}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ с инконгруэнтным плавлением (keff ≠ ≠ 1), тем более значительные изменения содержания примесного компонента будут наблюдаться по длине кристаллов. В технике выращивания ТР ${{M}_{{1 - x}}}{{R}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ именно условия направленной кристаллизации (скорость выращивания, температурный градиент в зоне роста кристаллов и др.) определяют параметры процесса сегрегации компонентов и их осевое распределение и, наоборот, по виду кривых распределения компонентов можно судить о характеристических параметрах ростового процесса.

Найдя модифицированным методом криоскопии [2–4, 36] из данных фазовых диаграмм систем MF2–RF3 значения коэффициентов keq для ТР ${{M}_{{1 - x}}}{{R}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ и предполагая keff = keq, можно оценить по уравнению Пфанна (3) положение участков кристаллов по длине, в которых химический состав твердой фазы практически совпадает с составом исходного расплава (x = x0) или имеет необходимый заданный химический состав.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Экспериментально получено распределение компонентов по длине кристаллов ${\text{S}}{{{\text{r}}}_{{1 - x}}}{\text{T}}{{{\text{b}}}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ с исходным составом расплава x0 = 0.05, 0.12 и 0.15 в результате их направленной кристаллизации, установлены участки монокристаллов, в которых состав твердой фазы практически совпадает с составом исходного расплава. Уточнено положение состава температурного максимума на кривой плавкости твердого раствора ${\text{S}}{{{\text{r}}}_{{1 - x}}}{\text{T}}{{{\text{b}}}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$.

Показано, что денситометрические измерения применимы в качестве экспресс-метода для получения распределения компонентов в монокристаллах ТР фторидов щелочно- и редкоземельных элементов. Этот метод не требует разрушения монокристаллических образцов, позволяет сократить время анализа и удобен при исследовании большого количества образцов. Он позволяет проводить отбор частей кристаллического слитка с заданной концентрацией компонентов для проведения фундаментальных исследований гетеровалентного характера изоморфных замещений, дефектной структуры и свойств флюоритовых фаз ${{M}_{{1 - x}}}{{R}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$.

Авторы выражают благодарность Т.М. Туркиной за помощь в проведении экспериментов.

Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ в рамках выполнения работ по Государственному заданию ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН.

Список литературы

  1. Ангервакс А.Е., Щеулин А.С., Рыскин А.И. и др. // Неорган. материалы. 2014. Т. 50. № 7. С. 789.

  2. Иванов С.П., Бучинская И.И., Федоров П.П. // Неорган. материалы. 2000. Т. 36. № 4. С. 484.

  3. Федоров П.П., Туркина Т.М., Лямина О.И. и др. // Высокочистые вещества. 1990. Т. 4. № 6. С. 67.

  4. Соболев Б.П., Жмурова З.И., Карелин В.В. и др. // Рост кристаллов. М.: Наука, 1986. Т. 16. С. 58.

  5. Карелин В.В., Казакевич М.З., Редкин А.Ф. и др. // Кристаллография. 1975. Т. 20. Вып. 4. С. 758.

  6. Bollmann W. // Cryst. Res. Technol. 1982. V. 17. № 11. P. K107.

  7. Каримов Д.Н., Бучинская И.И., Сорокин Н.И. и др. // Кристаллография. 2019. Т. 64. № 5. С. 818.

  8. Каримов Д.Н., Бучинская И.И., Сорокин Н.И. и др. // Неорган. материалы. 2019. Т. 55. № 5. С. 534.

  9. Каримов Д.Н., Бучинская И.И., Иванова А.Г. и др. // Кристаллография. 2018. Т. 63. № 6. С. 972.

  10. Sobolev B.P. The Rare Earth Trifluorides. Institute of Crystallography, Moscow and Institut d’Estudis Catalans, Barcelona, Spain, 2000–2001. 980 p.

  11. Федоров П.П., Бучинская И.И. // Успехи химии. 2012. Т. 81. № 1. С. 1.

  12. Федоров П.П., Соболев Б.П. // Журн. неорган. химии. 1979. Т. 24. № 4. С. 1038.

  13. Соболев Б.П., Голубев А.М., Эрреро П. // Кристаллография. 2003. Т. 48. № 1. С. 148.

  14. Sobolev B.P., Sorokin N.I., Bolotina N.B. // Photonic and Electronic Properties of Fluoride Materials / Eds. Tressaud A., Poeppelmeier K. Amsterdam: Elsevier, 2016. P. 465.

  15. Fedorov P.P., Kuznetsov S.V., Osiko V.V. // ibid. P. 7.

  16. Reddy M.A., Fichtner M. // ibid. P. 449.

  17. Сорокин Н.И., Соболев Б.П. // Кристаллография. 2007. Т. 52. № 5. С. 870.

  18. Multicomponent Crystals based on Heavy Metals Fluorides for Radiation Detectors / Ed. Sobolev B.P. Institut d’Estudis Catalans, Barcelona, Spain, 1994. 261 p.

  19. Карелин В.В. “Физико-химические основы получения монокристаллических материалов в твердых растворах фторидов щелочноземельных и редкоземельных элеметов” Дис. … д-ра. хим. наук. М.: МГУ, 1985.

  20. Delbove F., Lallemand-Chatain S. // C. R. Acad. Sci. C. 1970. V. 270. № 11. P. 964.

  21. Nassau K. // J. Appl. Phys. 1961. V. 32. P. 1820.

  22. Туркина Т.М. “Морфологическая устойчивость фронта кристаллизации твердых растворов ${{M}_{{1 - x}}}{{R}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ (где M = Ca, Sr, Ba, R – РЗЭ)” Дис. … канд. физ.-мат. наук. М.: ИК АН СССР, 1990.

  23. Мелешина В.А., Смирнова В.А. // Кристаллография. 2003. Т. 48. № 6. С. 1146.

  24. Сейранян К.Б. “Исследование диаграмм состояния систем SrF2-(Y,Ln)F3 и получение монокристаллов на их основе” Дис. … канд. хим. наук. Ереван, Госуниверситет, 1975.

  25. Chuchina V., Gubal A., Lyalkin Y. et al. // Rapid Commun. Mass. Spectrom. 2020. V. 34. № 11. P. e8786.

  26. Сорокин Н.И., Бучинская И.И., Соболев Б.П. // Журн. неорган. химии. 1992. Т. 37. № 12. С. 2653.

  27. Федоров П.П., Соболев Б.П. // Кристаллография. 1992. Т. 37. № 5. С. 1210.

  28. Кривандина Е.А., Жмурова З.И., Глушкова Т.М. и др. // Кристаллография. 2003. Т. 48. № 5. С. 940.

  29. Sorokin N.I., Breiter M.W. // Solid State Ionics. 1999. V. 116. P. 157.

  30. Баранов Г.Н., Бурков В.И., Быстрова А.А., Кривандина Е.А. Межвед. сб. науч. тр. “Оптические и электронные средства обработки информации”. М.: МФТИ, 1991. С. 73.

  31. Sobolev B.P., Seiranian K.B. // J. Solid State Chem. 1981. V. 39. № 3. P. 337.

  32. Кривандина Е.А., Жмурова З.И., Лямина О.И. и др. // Кристаллография. 1996. Т. 41. № 5. С. 958.

  33. Сорокин Н.И., Кривандина Е.А., Жмурова З.И. // Кристаллография. 2013. Т. 58. № 6. С. 952.

  34. Sobolev B.P., Seiranian K.B., Garashina L.S., Fedo-rov P.P. // J. Solid State Chem. 1979. V. 28. P. 51.

  35. Pfann W.G. Zone Melting. New York: Wiley, 1958. 236 p.

  36. Федоров П.П., Кузнецов С.В., Конюшкин В.А. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2012. Т. 14. № 4. С. 480.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Кристаллография

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал