Кристаллография, 2021, T. 66, № 6, стр. 975-979

Выращивание соединений KR3F10 (R = Tb–Er) методом вертикальной направленной кристаллизации. II. Уточнение характера плавления, выращивание и некоторые физические свойства кристаллов KDy3F10

Д. Н. Каримов 1, И. И. Бучинская 1*, П. А. Попов 2, А. В. Кошелев 1, Н. В. Самсонова 1

1 Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН
Москва, Россия

2 Брянский государственный университет им. И.Г. Петровского
Брянск, Россия

* E-mail: buchinskayaii@gmail.com

Поступила в редакцию 25.02.2021
После доработки 25.02.2021
Принята к публикации 20.04.2021

Полный текст (PDF)

Аннотация

Кристаллы KDy3F10 выращены из расплава методом Бриджмена. Подтвержден инконгруэнтный характер плавления этого соединения. Экспериментально определен оптимальный состав расплава для выращивания кристаллов KDy3F10 – 27.0 ± 0.5 мол. % KF. KDy3F10, так же как и KTb3F10, является фазой переменного состава и характеризуется наличием небольшой области гомогенности, параметр кубической (пр. гр. $Fm\bar {3}m$) решетки которой ограничен значениями от 11.6276(2) до 11.6118(2) Å. Впервые изучена температурная зависимость теплопроводности кристаллов KDy3F10 и DyF3 и исследованы их некоторые оптические характеристики.

ВВЕДЕНИЕ

В первой части работы были рассмотрены особенности получения кубических кристаллов KTb3F10 (КТF) [1]. Кроме Tb-содержащих кристаллов интерес представляют материалы, содержащие другие редкоземельные ионы (такие, как Er3+, Ho3+, Dy3+). Они перспективны в качестве сред для лазеров среднего ИК-диапазона, которые находят широкое практическое применение в медицинских технологиях, биологии, для различных лидарных систем [2]. Кристаллы семейства KR3F10 содержат большое количество ионов R3+ в изотропной матрице и могут использоваться как активные и пассивные элементы в оптике и фотонике [3, 4]. Кристаллы KDy3F10 (KDF) благодаря высокой величине магнитного момента ионов Dy3+ являются перспективным материалом для магнитооптики и исследования магнетизма [4, 5].

Имеются немногочисленные данные о синтезе KDF в виде дисперсных наночастиц сольвотермальным методом [6], мелких кристаллов в процессе гидротермального синтеза [7, 8], информация о получении этого соединения в виде крупных кристаллов весьма ограничена. В работах, посвященных исследованию магнитных свойств этих кристаллов, лишь вскользь приведена информация о получении исследуемого объекта [4, 5]. В [5] кристаллы KDF были выращены из расплава в герметичном Ni-контейнере методом Бриджмена, параметр кубической решетки полученного кристалла а = 11.634 Å, что согласуется со структурными данными, приведенными в [9] (пр. гр. $Fm\bar {3}m$, а = 11.616 Å, Z = 8).

Настоящая работа посвящена изучению процесса выращивания кристаллов KDy3F10 из расплава и предварительной оценке некоторых их физических свойств.

ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ

Характер плавления KDF. Диаграмма состояния системы KF–DyF3 изучена в [9, 10]. Как и для системы KF–TbF3, приведенные данные противоречивы. На рис. 1 показана диаграмма состояния этой системы по [9], KDF образует перитектику с DyF3, область гомогенности не указана. По данным [10] KDF имеет конгруэнтный характер плавления, присутствует полиморфизм DyF3. Это, так же как в случае с KТF, является результатом кислородного загрязнения. Основная технологическая проблема при работе с KF связана с его пирогидролизом, как указывалось в [1]. Обобщенная диаграмма состояния системы KF–DyF3, где подтверждено наличие пяти соединений, скорректированы температуры ликвидуса и полиморфных переходов, но показан конгруэнтный характер плавления KDF, представлена в [11].

Рис. 1.

Фазовая диаграмма системы KF–DyF3 по данным [9].

Для выращивания качественных кристаллов, в первую очередь, важно понимание их характера плавления, поэтому была проведена проверка опубликованных данных о характере плавления KDF путем прямой кристаллизации из расплава разных соотношений компонентов с последующим изучением состава полученных образцов.

Кристаллизацию проводили по методике, подробно описанной в [1]. По аналогии с экспериментами по кристаллизации KТF для выращивания KDF взяты составы шихты с 25 и 27 мол. % KF и получены кристаллические були диаметром 12 мм и длиной до 50 мм. В качестве исходных реактивов использовали порошок DyF3 (99.99 мас. %, LANHIT) и гидрофторид KHF2, полученный взаимодействием карбоната K2CO3 (99.995 мас. %, Sigma-Aldrich) с концентрированным раствором HF. Потери на испарение расплава составляли не более 0.5 мас. %. Для сравнения свойств были выращены ромбические кристаллы DyF3 по методике, приведенной в [12].

Рентгенофазовый анализ образцов проводили на порошковом рентгеновском дифрактометре MiniFlex 600 (Rigaku, Япония) на излучении CuKα в диапазоне углов 2θ = 10°–120°. Идентификацию фаз осуществляли с помощью электронной базы данных ICDD PDF-2 (2014). Для расчета параметров элементарных ячеек наблюдаемых фаз использовали пакет программ Jana2006, позволяющий проводить полнопрофильный анализ порошковых дифрактограмм методом Le Bail для известного типа структур.

Из расплава стехиометрического состава (KF/DyF3 = 25/75) получается буля с распределением фаз, характерным для варианта с инконгруэнтным характером кристаллизации (рис. 2), точно так же, как в случае выращивания кристаллов KТF. На начальном этапе формируется двухфазная область, представляющая собой смесь KDy3F10 и DyF3 (рис. 3, дифрактограмма 2), которая затем переходит в визуально прозрачный однородный кристалл. Исследование прозрачных участков выращенных буль (рис. 3, дифрактограмма 3) показало, что они являются однофазными (пр. гр. $Fm\bar {3}m$) и соответствуют соединению KDy3F10 (PDF № 039-0729).

Рис. 2.

Внешний вид були (диаметр 12 мм), полученной направленной кристаллизацией расплава стехиометрического состава KDy3F10 (25 мол. % KF по шихте).

Рис. 3.

Дифрактограммы кристалла DyF3 (1) и образцов, вырезанных из нижней (2), средней (3) и верхней (4) частей були, полученной направленной кристаллизацией из шихты состава 25 мол. % KF. Показаны положения рефлексов Брэгга для соединений DyF3 (пр. гр. Pnma, PDF № 084-0179) и KDF (пр. гр. $Fm\bar {3}m$, PDF № 039-0729).

Результаты направленной кристаллизации подтверждают первичное образование из расплава DyF3, т.е. перитектический характер плавления-кристаллизации KDF по схеме: L + DyF3 → → KDy3F10, что соответствует данным [9].

В верхней непрозрачной части були KDy3F10 (рис. 3, дифрактограмма 4) обнаруживается присутствие тетрагональной KDyF4 и моноклинной KDy2F7 (PDF № 039-0730) фаз [9, 13]. Дифрактограмма номинально чистых кристаллов DyF3, кристаллизующихся в ромбической сингонии (пр. гр. Pnma, a = 6.4406(2), b = 6.8880(1), c = = 4.3671(1) Å), приведена на рис. 3 (дифрактограмма 1) для сравнения.

При использовании шихты, содержащей 27 мол. % KF, был выращен однородный прозрачный кристалл, не имеющий в нижней части двухфазной области. Таким образом, для выращивания KDF направленной кристаллизацией может быть использован доперитектический состав шихты KF/DyF3 = 27/73 (мол. %).

Кристаллы KDF, так же как KTF [1], являются нестехиометрической фазой, параметр решетки которой изменяется от значения а = 11.6276(2) в начале до 11.6118(2) Å в конце слитка (рис. 4). Заметное уменьшение параметра решетки в процессе кристаллизации указывает на обогащение состава этого твердого раствора фторидом калия.

Рис. 4.

Дифрактограммы образцов KDF, вырезанных из нижней (1) и верхней (2) частей прозрачного участка були, полученной направленной кристаллизацией из шихты состава 27 мол. % KF. Показаны положения рефлексов Брэгга для KDF (пр. гр. $Fm\bar {3}m$, а = 11.6276(2) Å). На вставке показан участок дифрактограммы для образцов 1 и 2 в окрестности брэгговских рефлексов 226 и 444.

ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

Плотность кристаллов KDF, определенная методом гидростатического взвешивания в дистиллированной воде при комнатной температуре, составила 6.021(5) г/см3. Рентгеновская плотность этих кристаллов выше и составляет 6.054 и 6.066 г/см3 для нижней и верхней частей кристалла соответственно. Причиной пониженного экспериментального значения плотности может быть наличие дефектов.

Образцы кристаллов KDF для исследования физических характеристик вырезали из центральных участков и полировали (вставка на рис. 5).

Рис. 5.

Спектр пропускания кристалла KDF (толщина образца h = 5 мм).

Показатель преломления nD (длина волны λ = = 0.589 мкм), измеренный рефрактометрическим методом (иммерсионная жидкость α-бромнафталин) при комнатной температуре при помощи рефрактометра ИРФ-454, составил nD = 1.514(1). Эта величина близка к показателям преломления других нестехиометрических фторидов ${{M}_{{1--x}}}{{R}_{x}}{{{\text{F}}}_{{2 + x}}}$ (M – щелочноземельные, R – редкоземельные катионы) [14]. С использованием метода аддитивности молекулярных рефракций [15] и данных для KF [16] получено расчетное значение показателя преломления KDF n = 1.508, которое удовлетворительно согласуется с экспериментальным. Это демонстрирует применимость методики [15] для оценки показателя преломления кристаллических материалов сложного химического состава.

Спектры пропускания исследуемых кристаллов регистрировали при комнатной температуре с помощью спектрофотометра Cary 5000 (Agilent Technologies) в диапазоне длин волн λ = 0.19–3.30 мкм.

Спектр пропускания кристалла KDF представлен на рис. 5. Наблюдаемые полосы характерны для кристаллов, содержащих ионы Dy3+, которые определяются электро-дипольными переходами внутри 4f8-конфигурации этого иона [17]. Кристаллы KDF имеют окна прозрачности в диапазонах 1.5–1.6 и 1.9–2.5 мкм. В видимом диапазоне спектра присутствуют дополнительные полосы, связанные с неконтролируемым содержанием ионов Ho3+.

Теплофизические измерения. Теплопроводность кристалла k(T) измеряли методом абсолютного стационарного осевого теплового потока в интервале температур T = 50–300 К. Подробно процедура измерения описана в [18]. Образец представлял собой неориентированный параллелепипед размером 6 × 6 × 20 мм3. Погрешность определения абсолютного значения k не превышала ±5%.

Результаты измерения теплопроводности KDy3F10 в сравнении с k(T) DyF3, KY3F10 [19] и KTb3F10 [20] представлены на рис. 6.

Рис. 6.

Температурные зависимости теплопроводности кристаллов KY3F10, DyF3, KDF и KTF.

По абсолютной величине теплопроводности кристалл KDF превосходит KTF, но уступает иттриевому изоструктурному аналогу KY3F10. Значение коэффициента теплопроводности KDF составляет k = 2.1 Вт/(мК) при Т = 300 K. Температурная зависимость k(T) слабая, что позволяет методом экстраполяции достаточно уверенно оценивать теплопроводность при повышенных температурах. Вид полученного графика k(T) можно считать промежуточным между характерным для монокристаллов с совершенной структурой (например, KY3F10) и типичным для стекол. При понижении температуры от Т ≈ 170 K наблюдается явное стремление k(T) в точку (0, 0). Вместе с понижением зависимости k(T) это свидетельствует о кристаллическом состоянии материала. А малость величины теплопроводности и слабость ее температурной зависимости однозначно указывает на интенсивное фононное рассеяние, причем в широкой температурной области. Причиной рассеяния могут быть структурные дефекты, однако явных признаков их наличия не обнаружено. Гомогенность исследованного образца также не дает оснований для предположений о фонон-дефектном рассеянии. Рассеяние тепловых фононов может быть обусловлено сильной магнитоактивностью ионов Dy3+. В пользу этого предположения свидетельствуют и похожие результаты исследования температурной зависимости теплопроводности кристалла DyF3.

Предварительные эксперименты по кристаллизации образцов в системе KF–HoF3 также свидетельствуют об инконгруэнтном характере плавления кристаллов KHo3F10. Поэтому переход от перитектики к эвтектике для KR3F10 в ряду систем KF–RF3 соединения происходит не ранее, чем в системе KF–ErF3.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Подтвержден перитектический характер плавления кристаллов KDF. Экспериментально определены условия для его выращивания методом Бриджмена. Оптимальным составом расплава для выращивания этих кристаллов можно считать величину 27.0 ± 0.5 мол. % KF. У соединения обнаружено наличие существенной области гомогенности, что требует детального структурного исследования природы его нестехиометрии.

Авторы выражают благодарность Н.А. Ивановской, Т.Б. Косовой и Б.В. Набатову за помощь в получении экспериментальных данных.

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 19-02-00877) в части отработки методики выращивания кристаллических образцов и Министерства науки и высшего образования Российской Федерации в рамках выполнения работ по Государственному заданию Федерального научно-исследовательского центра “Кристаллография и фотоника” РАН в части характеризации свойств кристаллов с использованием оборудования ЦКП ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН.

Список литературы

  1. Каримов Д.Н., Бучинская И.И. // Кристаллография. 2021. Т. 66. № 3. С. 497. https://doi.org/10.31857/S0023476121030085

  2. Majewski M.R., Woodward R.I., Jackson S.D. // Laser Photonics Rev. 2020. V. 14. P. 1900195. https://doi.org/10.1002/lpor.201900195

  3. Vojna D., Slezák O., Lucianetti A., Mocek T. // Appl. Sci. 2019. V. 9. № 15. P. 3160. https://doi.org/10.3390/app9153160

  4. Винокуров А.В., Малкин Б.З., Столов А.Л. // ФТТ. 1996. Т. 38. № 3. С. 751.

  5. Chamberlain S.L., Luo G., Corruccini L.R. // Phys. Rev. B. 2003. V. 67. P. 134414. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.67.134414

  6. Li C., Yang D., Cheng Z. et al. // Cryst. Eng. Commun. 2012. V. 14. P. 670. https://doi.org/10.1039/c1ce06087b

  7. Fangtian Y., Shihua H., Qiufeng S. // J. Rare Earth. 2010. V. 28. № 5. P. 676. https://doi.org/10.1016/S1002-0721(09)60177-0

  8. Хайдуков Н.М., Филатова Т.Г., Икрами М.Б., Федоров П.П. // Неорган. материалы. 1993. Т. 29. № 7. С. 992.

  9. De Kozak A., Almai M. // Rev. Chim. Miner. 1978. V. 15. P. 139.

  10. Ардашникова Е.И., Борзенкова М.П., Новоселова А.В. // Журн. неорган. химии 1980. Т. 25. № 6. С. 1501.

  11. Федоров П.П. // Журн. неорган. химии. 1999. Т. 44. № 11. С. 1791.

  12. Valiev U.V., Karimov D.N., Burdick G.W. et al. // J. Appl. Phys. 2017. 121. P. 243105. https://doi.org/10.1063/1.4989839

  13. Хайдуков Н.М., Федоров П.П., Абрамов Н.А. // Неорган. материалы. 1991. Т. 27. № 12. С. 992.

  14. Глушкова Т.М., Каримов Д.Н., Кривандина Е.А. и др. // Кристаллография. 2009. Т. 54. № 4. С. 642.

  15. Константинова А.Ф., Кривандина Е.А., Каримов Д.Н., Соболев Б.П. // Кристаллография. 2010. Т. 55. № 6. С. 1050.

  16. Бацанов С.С. Структурная рефрактометрия. М.: Высш. шк., 1976. 304 с.

  17. Vasyliev V., Villora E.G., Nakamura M. et al. // Opt. Express. 2012. V. 20. № 13. P. 14460. https://doi.org/10.1364/OE.20.014460

  18. Popov P.A., Sidorov A.A., Kul’chenkov E.A. et al. // Ionics. 2017. V. 23. № 1. P. 233. https://doi.org/10.1007/s11581-016-1802-2

  19. Попов П.А., Федоров П.П., Семашко В.В. и др. // Докл. РАН. 2009. Т. 426. № 1. С. 32.

  20. Karimov D.N., Buchinskaya I.I., Arkharova N.A. et al. // Crystals. 2021. V. 11. P. 285. https://doi.org/10.3390/cryst11030285

Дополнительные материалы отсутствуют.