Неорганические материалы, 2021, T. 57, № 12, стр. 1330-1336
Ультрамягкая рентгеновская эмиссионная и инфракрасная спектроскопии в исследовании функциональных наноразмерных пленок на InP
И. Я. Миттова 1, К. А. Барков 1, В. А. Терехов 1, Б. В. Сладкопевцев 1, *, А. А. Самсонов 1, Е. В. Томина 1, 2, А. Н. Лукин 1
1 Воронежский государственный университет
394018 Воронеж, Университетская пл., 1, Россия
2 Воронежский государственный лесотехнический университет им. Г.Ф. Морозова
394087 Воронеж, ул. Тимирязева, 8, Россия
* E-mail: dp-kmins@yandex.ru
Поступила в редакцию 18.05.2021
После доработки 13.08.2021
Принята к публикации 16.08.2021
Аннотация
Термическое оксидирование InP при совместном воздействии магнетронно нанесенного на его поверхность слоя хемостимулятора MnO2 и вводимого через газовую фазу модификатора Mn3(PO4)2 приводит к формированию наноразмерных диэлектрических пленок. По данным лазерной и спектральной эллипсометрии, предложенный подход к модифицированию поверхности InP позволяет, значительно (до 150–200%) ускорять рост пленки по сравнению с собственным оксидированием полупроводника. Эффективное модифицирующее действие Mn3(PO4)2 установлено методом УМРЭС, подтверждающим формирование тетраэдрической координации фосфора кислородом практически по всей глубине синтезированных пленок. Установлена корреляция между результатами УМРЭС и ИКС, применение метода ИКС выявило наличие в пленках фосфатов и полифосфатов индия и марганца: In(PO3)3, InPO4, Mn3(PO4)2.
ВВЕДЕНИЕ
Бинарные полупроводники группы AIIIBV являются материалами, которые находят широкое применение в современной опто- и микроэлектронике. Отдельный интерес представляют полупроводниковые фосфиды, в частности InP, ввиду ряда преимуществ, позволяющих использовать его в качестве базового материала для создания лазерных диодов, солнечных элементов, фотодетекторов и высокоскоростных полевых транзисторов, микроволновых источников и усилителей, работающих на высоких мощностях и частотах с низким уровнем шума [1–7].
Различные варианты термообработки полупроводников и гетероструктур на их основе для получения тонких пленок и модифицирования их свойств до сих пор не потеряли свою актуальность. Так, быстрая термообработка (отжиг) применяется для улучшения характеристик диодов Шоттки [8]. Процессом формирования диэлектрических и полупроводниковых пленок на AIIIBV можно управлять, вводя в оксидируемую систему обоснованно выбранные вещества – хемостимуляторы [9, 10]. Основные задачи, решаемые в рамках указанного подхода, – увеличение скорости роста пленок, улучшение их качества и свойств (в первую очередь электрофизических), снижение температуры и длительности процесса. Существует несколько способов введения хемостимулятора в зону реакции: 1) непосредственное нанесение на поверхность (например, вакуумно-термическое или магнетронное нанесение в виде тонких (30–70 нм) слоев) [11]; 2) через газовую фазу в процессе термооксидирования [12].
Помимо хемостимуляторов эффективно применение модификаторов внутренней границы раздела и самих пленок. Они предотвращают испарение летучего компонента, снижают плотность поверхностных состояний на внутренней границе раздела гетероструктуры, влияют на структуру и рельеф поверхности на наноразмерном уровне [13, 14]. С этой точки зрения интересным является использование в процессе термооксидирования сложных соединений, катионная составляющая которых включает хемостимулятор, а анионная может выступать в роли модификатора, в качестве группировки включаясь в состав пленки [15, 16].
Использование MnO2, нанесенного на поверхность AIIIBV в виде наноразмерных слоев, показало его эффективность в процессах термооксидирования указанных полупроводников [17, 18]. Наличие нескольких устойчивых степеней окисления для марганца может обеспечить окислительно-восстановительные превращения MnO2 в ходе процесса термооксидирования как по каталитическому, так и по транзитному механизмам [9]. Для фосфида индия предварительное магнетронное нанесение слоев MnO2 приводит к химическому связыванию индия и блокировке его диффузии в пленки в процессе термооксидирования, что позволяет в конечном итоге избежать омической проводимости и улучшить электрофизические свойства [18].
Предполагается, что использование в качестве модификатора фосфата марганца Mn3(PO4)2 должно способствовать обогащению формируемой в процессе термооксидирования пленки фрагментами фосфатов со связью кислород–фосфор. Введение фосфатного модификатора обеспечит удовлетворительные свойства пленки за счет заметной компенсации потерь фосфора, характерных для собственного оксидирования InP [19]. Включение готовых фрагментов фосфатов со связью кислород–фосфор из модификатора в пленку может положительно влиять и на сопряжение пленки с подложкой, что предполагает улучшение адгезии пленок к полупроводниковой подложке и повышение надeжности работы устройств на основе указанных гетероструктур.
Цель данной работы – исследование методами ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии и инфракрасной спектроскопии состава пленок, сформированных в процессе термооксидирования гетероструктур MnO2/InP при дополнительном воздействии вводимого через газовую фазу модификатора Mn3(PO4)2.
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
В работе использовали полированные пластины InP (марка ФИЭ-1А, легирующая примесь – олово, ориентация (100), концентрация основных носителей заряда при 300 K не менее 5 × 1016 см–3), предварительно обработанные в травителе состава: H2SO4 (“х. ч.” ГОСТ-4204-77, 93.80%-ная) : : Н2О2 (“ос. ч.” ТУ 6-02-570-750, 56%-ная) : Н2О = = 2 : 1 : 1 [20] в течение 10 мин. После этого пластины многократно промывали в бидистиллированной воде и высушивали на воздухе.
Гетероструктуры MnO2/InP синтезировали методом магнетронного распыления мишени из оксида марганца (чистота 99.8%) диаметром 50 мм (2 inch) на установке Angstrom engineering CoVap II по методике [18]. Согласно данным рентгенофазового анализа [18], нанесенные слои представляли собой MnO2 с небольшим содержанием Mn2O3. Толщины нанесенных слоев и формируемых в процессе термооксидирования пленок определяли методом лазерной эллипсометрии (ЛЭ, эллипсометр ЛЭФ-754, HeNe-лазер с длиной волны излучения 632.8 нм, точность ±1 нм) и спектральной эллипсометрии (СЭ, “Эллипс-1891”). Ранее была показана возможность применения методов ЛЭ и СЭ для исследуемых объектов сложного состава [21]. По данным ЛЭ и СЭ толщина магнетронно нанесенного слоя MnO2 составила ~25 нм.
Навеску предварительно синтезированного модификатора Mn3(PO4)2 (m = 0.3 г) помещали в цилиндрический кварцевый контейнер (до отметки на этом контейнере), крышкой которого служила оксидируемая гетероструктура MnO2/InP. Расстояние от поверхности модификатора до рабочей стороны пластины было постоянным и составляло 10 мм.
Контейнер устанавливали в кварцевый реактор печи резистивного нагрева (МТП–2М–50–500), в который подавался поток кислорода с объемной скоростью 30 л/ч. Образцы подвергали термооксидированию при температурах 450, 475, 500, 530 и 550°С по методике [12].
Ультрамягкие рентгеновские эмиссионные PL2.3-спектры были получены на рентгеновском спектрометре-монохроматоре РСМ-500 [22] в высоком вакууме (~1 × 10–6 мм рт. ст.). Метод ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии (УМРЭС) дает информацию о плотности электронных состояний в валентной зоне, поэтому рентгеновские эмиссионные спектры очень чувствительны к локальному окружению атомов, длинам и углам химической связи. Кроме того, метод УМРЭС позволяет проводить неразрушающий послойный анализ фазового состава в поверхностных слоях образца толщиной от 10 до 120 нм путем изменения величины ускоряющего напряжения на аноде разборной рентгеновской трубки в пределах 1–6 кВ. Величина ускоряющего напряжения определяет глубину генерации ультрамягкого рентгеновского излучения и, соответственно, глубину анализируемого слоя, которая в данном случае составляла 60 нм (при U = 3 кВ) и 120 нм (при U = 6 кВ) [23]. Таким образом, метод УМРЭС является одним из эффективных методов исследования процессов хемостимулированного оксидирования AIIIBV, поскольку позволяет проследить степень координации фосфора кислородом по глубине пленки и сделать вывод о влиянии хемостимуляторов (модификаторов) на формирование фосфатного каркаса.
Исследование образцов методом инфракрасной спектроскопии (ИКС) проводили на ИК-Фурье-спектрометре Vertex 70 в интервале частот 400–4000 см–1.
РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ
Из данных ЛЭ и СЭ (табл. 1) следует, что наноразмерные слои MnO2 на поверхности InP способствуют интенсификации роста пленок по сравнению с собственным оксидированием InP. Введение через газовую фазу Mn3(PO4)2 в процессе термооксидирования гетероструктур MnO2/InP значительно увеличивает толщину пленок (табл. 1), что наиболее ярко проявляется при температурах оксидирования 450 и 475°С.
Таблица 1.
Толщины пленок для образцов, оксидированных при различных температурах в течение 60 мин
Температура оксидирования, °С | Толщина пленки, нм | ||
---|---|---|---|
InP (эталон) | MnO2/InP | MnO2/InP + Mn3(PO4)2(г) | |
450 | 28 | 47 | 70 |
475 | 33 | 55 | 76 |
500 | 37 | 67 | 84 |
530 | 41 | 76 | 98 |
550 | 43 | 86 | 111 |
Расчет эффективности воздействия хемостимулятора и модификатора по сравнению с собственным оксидированием полупроводника осуществляли по формуле
Таблица 2.
Относительное ускорение роста пленок при термическом оксидировании гетероструктур MnO2/InP + ${\text{M}}{{{\text{n}}}_{{\text{3}}}}({\text{P}}{{{\text{O}}}_{{\text{4}}}})_{{\text{2}}}^{{{\text{(г)}}}}$ в различных режимах в сравнении с эталоном InP и MnO2/InP
Образец | t, °С | Относительное ускорение, % | |||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
10 мин | 20 мин | 30 мин | 40 мин | 50 мин | 60 мин | ||
MnO2/InP + ${\text{M}}{{{\text{n}}}_{{\text{3}}}}{\text{(P}}{{{\text{O}}}_{{\text{4}}}}{\text{)}}_{{\text{2}}}^{{{\text{(г)}}}}$ в сравнении с InP | 450 | 240 | 220 | 190 | 170 | 160 | 50 |
475 | 230 | 180 | 160 | 150 | 130 | 130 | |
500 | 210 | 190 | 160 | 140 | 130 | 130 | |
530 | 170 | 150 | 160 | 140 | 140 | 140 | |
550 | 180 | 170 | 150 | 140 | 140 | 160 | |
MnO2/InP + ${\text{M}}{{{\text{n}}}_{{\text{3}}}}{\text{(P}}{{{\text{O}}}_{{\text{4}}}}{\text{)}}_{{\text{2}}}^{{{\text{(г)}}}}$ в сравнении с MnO2/InP | 450 | 40 | 50 | 60 | 50 | 50 | 40 |
475 | 37 | 42 | 41 | 40 | 39 | 38 | |
500 | 50 | 60 | 50 | 40 | 20 | 20 | |
530 | 22 | 22 | 31 | 30 | 29 | 29 | |
550 | 27 | 32 | 32 | 31 | 25 | 29 |
По данным СЭ недоокисленный In в пленках не обнаружен, что подтверждает блокирование обратного транзита кислорода от индия к фосфору, который имеет место в случае собственного оксидирования фосфида индия [9].
В то же время, анализ рентгеновских эмиссионных PL2.3-спектров образца MnO2/InP + + ${\text{M}}{{{\text{n}}}_{{\text{3}}}}({\text{P}}{{{\text{O}}}_{{\text{4}}}})_{{\text{2}}}^{{{\text{(г)}}}},$ оксидированного при 500°С (рис. 1), обнаруживает наличие (на глубине 60 нм) двух максимумов интенсивности: при E ~ 119 и 126 эВ, характерных для спектров фосфатов [24–26], как это видно из спектра AlPO4 [25]. Максимум при E ~ 126 эВ обусловлен связью P3s + O2p, а максимум при E ~ 119 эВ отражает энергетическое распределение валентных электронов фосфора с координацией [PO4]3– [25, 26]. Кроме того, в области энергий ~104–110 эВ наблюдается слабо интенсивный максимум, обусловленный связью P3s + O2s в пределах фосфор-кислородных октаэдров [25, 26]. Таким образом, по данным УМРЭС, на глубине 60 нм фосфор в данном образце преимущественно содержится в виде фосфатов. Однако высокие значения интенсивности в области энергий ~118 эВ, где располагается максимум спектра InP [24–27], позволяет предположить присутствие в пленке небольшого количества фазы InP. На глубине 120 нм значительно снижается интенсивность максимума при 126 эВ, что связано с уменьшением числа связей фосфор–кислород (рис. 1). При этом главным становится максимум при Е = 118 эВ, обусловленный увеличением вклада в спектр сигнала от монокристаллической подложки фосфида индия, поскольку толщина пленки для данного режима оксидирования составляет ~84 нм.
Рис. 1.
Рентгеновские эмиссионные PL2.3-спектры в оксидированном при 500°C образце MnO2/InP + + ${\text{M}}{{{\text{n}}}_{{\text{3}}}}({\text{P}}{{{\text{O}}}_{{\text{4}}}})_{{\text{2}}}^{{{\text{(г)}}}},$ полученные при глубине анализа 60 и 120 нм, и эталонные PL2.3-спектры в монокристаллическом InP и в соединении AlPO4 [25].

Увеличение температуры оксидирования до 530°С приводит к еще более заметному изменению формы PL2.3-спектров (рис. 2). При глубине анализа 60 нм рентгеновский эмиссионный PL2.3-спектр пленки MnO2/InP + ${\text{M}}{{{\text{n}}}_{{\text{3}}}}({\text{P}}{{{\text{O}}}_{{\text{4}}}})_{{\text{2}}}^{{{\text{(г)}}}}$ по положению и соотношению максимумов интенсивности аналогичен спектру фосфида индия, прошедшего анодное оксидирование при напряжении 80 В [26]. При этом увеличение интенсивности максимума, обусловленного связью P3s + O2p (при E ~ ~ 126 эВ), свидетельствует об увеличении степени координации фосфора кислородом, близкой к [PO4]3–. Действительно, по данным [26], пленки, сформированные анодным оксидированием InP, представляют собой в основном смесь InРO4 и In(РO3)3 с некоторым содержанием In2O3, а по мнению [28], внутренняя область анодного оксида, примыкающая к границе раздела, есть ни что иное, как однофазные нестехиометрические фосфаты In(PОx)y с x и y, близкими к 3.Таким образом, увеличение температуры оксидирования с 500 до 530°C приводит к значительной интенсификации процесса фосфатообразования.
Рис. 2.
Рентгеновские эмиссионные PL2.3-спектры в оксидированном при 530°C образце MnO2/InP + + ${\text{M}}{{{\text{n}}}_{{\text{3}}}}({\text{P}}{{{\text{O}}}_{{\text{4}}}})_{{\text{2}}}^{{{\text{(г)}}}},$ полученные при глубине анализа 60 и 120 нм, и эталонные PL2.3-спектры в монокристаллическом InP и в InP после анодного окисления при напряжении 80 В [26].

При увеличении глубины анализа до 120 нм в спектре также наблюдается рост интенсивности при E ~ 118 эВ от монокристаллической подложки InP. Однако высокая интенсивность максимума при E ~ 126 эВ свидетельствуют о том, что и на глубине 120 нм пленки, сформированной при температуре оксидирования 530°C, присутствуют в большом количестве соединения со связями фосфор–кислород, что коррелирует с данными ЛЭ для данного образца.
Присутствие в синтезированных пленках целого набора фосфатов подтверждается и методом ИКС. Из рис. 3 и табл. 3 следует, что сформированные пленки содержат In(PO3)3, InPO4, MnO2, Mn3(PO4)2.
Рис. 3.
ИК-спектры поглощения пленок, сформированных в процессе термооксидирования гетероструктуры MnO2/InP + ${\text{M}}{{{\text{n}}}_{{\text{3}}}}({\text{P}}{{{\text{O}}}_{{\text{4}}}})_{{\text{2}}}^{{{\text{(г)}}}}$ в режиме 500°С, 60 мин.

Таблица 3.
Результаты интерпретации ИК-спектров [29] пленок, сформированных в процессе термооксидирования гетероструктуры MnO2/InP + ${\text{M}}{{{\text{n}}}_{{\text{3}}}}({\text{P}}{{{\text{O}}}_{{\text{4}}}})_{{\text{2}}}^{{{\text{(г)}}}}$ при 450, 500 и 550°С в течение 60 мин
t, °C | ν, см–1 | Отнесение |
---|---|---|
450 | 472, 541, 664 | InPO4 |
420, 500 | [${\text{PO}}_{4}^{{3 - }}$] | |
422, 465, 536 | In(PO3)3 | |
505 | MnO2 | |
456, 500, 542 | Mn3(PO4)2 | |
500 | 952, 980, 1060, 1160 | InPO4 |
707, 750 | In(PO3)3 | |
456, 636, 950 | Mn3(PO4)2 | |
816, 948 | MnO2 | |
550 | 472, 560, 664 | InPO4 |
420, 500, 667 | [${\text{PO}}_{4}^{{3 - }}$] | |
422, 465 | In(PO3)3 | |
456, 500, 636 | Mn3(PO4)2 |
Отметим, что с увеличением температуры качественный состав сформированных пленок изменяется, а именно: при 450 и 500°С в пленках присутствуют различные оксиды марганца, а при 550°С имеет место полный расход хемостимулятора с образованием целого ряда фосфатов марганца. Это свидетельствует об активизации процессов фосфатообразования с ростом температуры. Модификатор Mn3(PO4)2 из газовой фазы поставляет готовые фосфат-анионы в пленку и способствует формированию фосфатного каркаса, тогда как при термооксидировании гетероструктур MnO2/InP в отсутствие модификатора, по данным РФА, в сформированных пленках фиксируются преимущественно оксиды марганца и индия [18].
Таким образом, данные ИКС для гетероструктур MnO2/InP + ${\text{M}}{{{\text{n}}}_{{\text{3}}}}({\text{P}}{{{\text{O}}}_{{\text{4}}}})_{{\text{2}}}^{{{\text{(г)}}}}$ коррелируют с данными УМРЭС и подтверждают наличие фосфатов и полифосфатов индия и марганца в сформированных пленках. Поскольку InPO4 химически стабилен и обладает достаточно хорошими диэлектрическими свойствами (ширина запрещенной зоны 4.5 эВ), а полифосфат состава In(PO3)3, являясь изолятором (ширина запрещенной зоны 5.5 эВ), способен образовывать объемные стекла за счет широкого интервала углов группы Р–О–Р, обеспечивающего хорошее согласование решеток фосфата и фосфида индия (как на интерфейсе Si/SiО2) [28], можно ожидать улучшенных электрофизических характеристик пленок. Действительно, если под действием нанесенного на поверхность InP хемостимулятора MnO2, в отсутствие дополнительно вводимого модификатора, были синтезированы только полупроводниковые пленки с удельным сопротивлением, не превышающим 108 Ом см [18], введение через газовую фазу модификатора Mn3(PO4)2 позволило получить нанометровые диэлектрические пленки, удельное сопротивление которых не ниже 1010 Ом см.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Методами ЛЭ и СЭ установлено, что модифицирование поверхности InP магнетронно нанесенными наноразмерными слоями хемостимулятора MnO2 и последующее введение в реакционную зону модификатора Mn3(PO4)2 через газовую фазу способствуют значительному ускорению роста толщины пленок по сравнению как с собственным оксидированием InP (150–200%), так и с термооксидированием гетероструктур MnO2/InP (20–60%).
Методом УМРЭС установлено формирование тетраэдрической координации фосфора кислородом практически по всей глубине пленок с некоторым снижением атомного соотношения Р : О во внутренних областях, что не наблюдалось при термооксидировании MnO2/InP и связано с эффективным модифицирующим действием фосфата марганца. Данные УМРЭС хорошо согласуются с результатами ИКС о присутствии в пленках фосфатов и полифосфатов индия и марганца: In(PO3)3, InPO4, Mn3(PO4)2. Наличие большого разнообразия фосфатов обеспечивает диэлектрические свойства пленок.
Список литературы
Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs / Ed. Oktyabrsky S., Ye P.D. N.Y.: Springer, 2010. 445 p. https://doi.org/10.1007/978-1-4419-1547-4
Alferov Z.I., Andreev V.M., Rumyantsev V.D. III-V Solar Cells and Concentrator Arrays // High-Efficient Low-Cost Photovoltaics. Berlin, Heidelberg: Springer, 2009. P. 101–141. https://doi.org/10.1007/978-3-030-22864-4_8
Wasley N.A. Nano-Photonics in III-V Semiconductors for Integrated Quantum Optical Circuits. Switzerland: Springer, 2014. 129 p. https://doi.org/10.1007/978-3-319-01514-9
Rudan M. Physics of Semiconductor Devices. Switzerland: Springer, 2014. 643 p. https://doi.org/10.1007/978-1-4939-1151-6
Chen J., Lv J., Wang Q. Electronic Properties of Al/MoO3/p-InP Enhanced Schottky Barrier Contacts // Thin Solid Films. 2016. V. 616. P. 145–150. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2016.08.019
Balaram N., Reddy V.R., Reddy P.R.S., Janardhanam V., Choi C.-J. Microstructural, Chemical States and Electrical Properties of Au/CuO/n-InP Heterojunction with a Cupric Oxide Interlayer // Vacuum. 2018. V. 152. P. 15–24. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2018.02.041
Çetin H., Ayyildiz E. The Electrical Properties of Metal-Oxide-Semiconductor Devices Fabricated on the Chemically Etched n-InP Substrate // Appl. Surf. Sci. 2007. V. 253. № 14. P. 5961–5966. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2006.12.110
Padma R., Shanthi Latha K., Reddy V.R., Choi C.-J. Rapid Thermal Annealing Effects on the Electrical and Structural Properties of Ru/V/n-InP Schottky Barrier Diode // Superlattices Microstruct. 2015. V. 83. P. 48–60. https://doi.org/10.1016/j.spmi.2015.03.015
Миттова И.Я. Влияние физико-химической природы хемостимулятора, способа и метода его введения в систему на механизм термооксидирования GaAs и InP // Неорган. материалы. 2014. Т. 50. № 9. С. 948–955. https://doi.org/10.7868/S0002337X14090097
Миттова И.Я., Томина Е.В., Лапенко А.А., Хорохордина А.О. Твердофазные процессы при термическом окислении GaAs с поверхностью, модифицированной ванадием // Неорган. материалы. 2004. Т. 40. № 5. С. 519–523.
Миттова И.Я., Томина Е.В., Самсонов А.А., Лукин А.Н., Симонов С.П. Термическое окисление поверхности InP, модифицированной смесями NiO + PbO разного состава // Неорган. материалы. 2005. Т. 41. № 4. С. 391–399.
Sladkopevtcev B.V., Tretyakov N.N., Dontsov A.I., Tomina E.V., Mittova I.Ya. Effect of Oxide Composition (V2O5 + Al2O3) via Gas Phase on the Thermal Oxidation of InP // Nanosystems: Phys., Chem., Math. 2013. V. 4. № 2. P. 260–268.
Rathi M.K., Tsvid G., Khandekar A.A., Shin J.C., Botez D., Kuech T.F. Passivation of Interfacial States for GaAs-and InGaAs/InP-Based Regrown Nanostructures // J. Electron. Mater. 2009. № 20038. P. 2023–2032. https://doi.org/10.1007/s11664-009-0887-z
Bessolov V.N., Lebedev M.V., Konenkova E.V. Sulfidization of GaAs in Alcoholic Solutions: a Method Having an Impact on Efficiency and Stability of Passivation // Mater. Sci. Eng., B. 1997. V. 44. № 1–3. P. 376–379. https://doi.org/10.1016/S0921-5107(96)01816-8
Миттова И.Я., Сладкопевцев Б.В., Самсонов А.А., Томина Е.В., Андреенко С.Ю., Костенко П.В. Синтез и свойства наноразмерных пленок, сформированных термооксидированием MnO2/InP под воздействием Mn3(PO4)2 // Неорган. материалы. 2019. Т. 55. № 9. С. 969–974. https://doi.org/10.1134/S0002337X19090070
Миттова И.Я., Сладкопевцев Б.В., Илясова Н.А., Томина Е.В., Донцов А.И., Тарасова О.С. Воздействие некоторых сложных хемостимуляторов и модификаторов на термооксидирование InP // Конденсированные среды и межфазные границы. 2020. Т. 22. № 2. С. 245–256. https://doi.org/10.17308/kcmf.2020.22/2851
Миттова И.Я., Сладкопевцев Б.В., Томина Е.В., Самсонов А.А., Третьяков Н.Н., Пономаренко С.В. Синтез диэлектрических пленок термооксидированием MnO2/GaAs // Неорган. материалы. 2018. Т. 54. № 11. С. 1149–1156. https://doi.org/10.1134/S0002337X18110106
Третьяков Н.Н., Миттова И.Я., Сладкопевцев Б.В., Самсонов А.А., Андреенко С.Ю. Влияние магнетронно напыленного слоя MnO2 на кинетику термооксидирования InP, состав и морфологию синтезированных пленок // Неорган. материалы. 2017. Т. 53. № 1. С. 41–48. https://doi.org/10.7868/S0002337X17010171
Yamaguchi M., Ando K. Thermal Oxidation of InP and Properties of Oxide Films // J. Appl. Phys. 1980. V. 51. № 9. P. 5007–5012. https://doi.org/10.1063/1.328380
Сангвал К. Травление кристаллов: Теория, эксперимент, применение: Пер. с англ. Быстрицкого А.В.; Под ред. Марковой Т.И. М.: Мир, 1990. 496 с.
Миттова И.Я., Швец В.А., Томина Е.В., Сладкопевцев Б.В., Третьяков Н.Н., Лапенко А.А. Экспресс-контроль толщины и спектрально-эллипсометрическое исследование пленок, полученных термооксидированием InP и структур VxOy/InP // Неорган. материалы. 2013. Т. 49. № 2. С. 173–179. https://doi.org/10.7868/S0002337X13020140
Зимкина Т.М., Фомичев В.А. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия. Л.: Изд-во Ленинградского у-та, 1971. 127 с.
Domashevskaya E.P., Peshkov Y.A., Terekhov V.A., Yurakov Y.A., Barkov K.A. Phase Composition of the Buried Silicon Interlayers in the Amorphous Multilayer Nanostructures [(Co45Fe45Zr10)/a-Si:H]41 and [(Co45Fe45Zr10)35(Al2O3)65/a-Si:H]41 // Surf. Interface Anal. 2018. V. 50. № 12–13. P. 1265–1270. https://doi.org/10.1002/sia.6515
Самсонов А.А., Миттова И.Я., Валюхов Д.П., Томина Е.В., Лукин А.Н. Термооксидирование InP наноразмерными слоями V2O5 + PbO разного состава // Неорган. материалы. 2011. Т. 47. № 2. С. 138–145.
Wiech G. X-Ray Emission Bands and Energy Structure of Pure Phosphorous, III-V-Phosphides and Phosphates // Z. Phys. 1968. V. 216. P. 472–487.
Андреев В.М., Аллахвердиев А.М., Ивентьева О.О., Кашкаров В.М., Румянцев В.Д., Терехов В.А. Фотолюминесцентные свойства и электронное строение поверхности анодно окисленного n-InP // Физика и техника полупроводников. 1985. Т. 19. № 1. С. 110–113.
Домашевская Э.П., Кашкаров В.М., Середин П.В., Терехов В.А., Турищев С.Ю., Арсентьев И.Н., Улин В.П. Исследования пористого InP методами рентгеновской дифракции, ИК-спектроскопии, УМРЭС, XANES и ФЛ // Изв. РАН. Сер. физ. 2008. Т. 72. № 4. С. 470–473.
Besland M.P., Robach Y., Joseph J. In-Situ Studies of the Anodic Oxidation of Indium Phosphide // J. Electrochem. Soc. 1993. V. 140. P. 104–108.
Атлас ИК-спектров фосфатов / Под ред. Мельниковой Р.Я. М.: Наука, 1985. 235 с.
Дополнительные материалы отсутствуют.
Инструменты
Неорганические материалы