Российские нанотехнологии

Содержание

Том 16, Номер 6, 2021

 

КОЛОНКА ГЛАВНОГО РЕДАКТОРА
Главный редактор, член-корреспондент РАН
Профессор М.В. Ковальчук
Приглашенный редактор выпуска:
кандидат физ.-мат. наук В.А. Демин

733-733
ОБЗОРЫ
ФОТОМЕМРИСТОРНЫЕ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ 2D-КРИСТАЛЛОВ ДЛЯ БИОСОВМЕСТИМЫХ ИНФОРМАЦИОННО-СЕНСОРНЫХ СИСТЕМ
Г. Н. Панин, О. О. Капитанова
734-750
ЗАПОМИНАЮЩИЕ СВОЙСТВА МЕМРИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ОКСИДА И НИТРИДА КРЕМНИЯ
В. А. Гриценко, А. А. Гисматулин, О. М. Орлов
751-760
НАНОЭЛЕКТРОНИКА И НЕЙРОМОРФНЫЕ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ
ВРЕМЕННОЕ КОДИРОВАНИЕ БИНАРНЫХ ОБРАЗОВ ДЛЯ ОБУЧЕНИЯ ИМПУЛЬСНЫХ НЕЙРОМОРФНЫХ СИСТЕМ НА ОСНОВЕ НАНОКОМПОЗИТНЫХ МЕМРИСТОРОВ
К. Э. Никируй, А. В. Емельянов, А. В. Ситников, В. В. Рыльков, В. А. Демин
761-766
БЕСФОРМОВОЧНОЕ НЕФИЛАМЕНТАРНОЕ РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ В СТРУКТУРАХ W/WO3 – x/HfO2/Pd
А. А. Королева, М. Г. Козодаев, Ю. Ю. Лебединский, А. М. Маркеев
767-775
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МЕМРИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ОКСИДА КРЕМНИЯ НА ПОДЛОЖКАХ “КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ”
М. Н. Коряжкина, Д. О. Филатов, С. В. Тихов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. В. Круглов, Р. Н. Крюков, С. Ю. Зубков, В. А. Воронцов, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, С. Ким
776-786
МОДЕЛИРОВАНИЕ ЦЕНТРАЛЬНОГО ГЕНЕРАТОРА УПОРЯДОЧЕННОЙ АКТИВНОСТИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МЕМРИСТИВНЫХ УСТРОЙСТВ
А. А. Сулейманова, М. О. Таланов, Д. Н. Масаев, Н. В. Прудников, О. В. Борщев, М. С. Полинская, М. С. Скоротецкий, С. А. Пономаренко, А. В. Емельянов, В. А. Демин, Л. А. Фейгин, В. В. Ерохин
787-792
ИЗГОТОВЛЕНИЕ И ТЕСТИРОВАНИЕ АППАРАТНОЙ ИМПУЛЬСНОЙ НЕЙРОСЕТИ С МЕМРИСТОРНЫМИ СИНАПСАМИ ДЛЯ БИОМОРФНОГО НЕЙРОПРОЦЕССОРА
А. Н. Бобылев, А. Н. Бусыгин, А. А. Губин, А. Д. Писарев, С. Ю. Удовиченко
793-798
МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ АНАЛОГОВОЙ САМООБУЧАЮЩЕЙСЯ НЕЙРОННОЙ СЕТИ НА ОСНОВЕ МЕМРИСТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ С УЧЕТОМ СТОХАСТИЧЕСКОЙ ДИНАМИКИ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
А. Ю. Морозов, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников
799-809
СПЛАВЫ СЕРЕБРА И МЕДИ ДЛЯ ВЕРХНИХ ЭЛЕКТРОДОВ МЕМРИСТИВНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПОЛИ-п-КСИЛИЛЕНА
Б. С. Швецов, А. В. Емельянов, А. А. Миннеханов, В. В. Рыльков, В. А. Демин
810-815
МЕТОДОЛОГИЯ ПРОГРАММНО-АППАРАТНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ НЕЙРОМОРФНЫХ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМ НА БАЗЕ МЕМРИСТИВНЫХ УСТРОЙСТВ
С. А. Щаников
816-824
ГЕТЕРОСЛОЕВЫЕ МЕМРИСТИВНЫЕ КОМПОЗИЦИИ ДЛЯ МНОГОУРОВНЕВОЙ МЕМРИСТОРНОЙ ЛОГИКИ. РОЛЬ “РЕЗЕРВУАРА” КИСЛОРОДНЫХ ВАКАНСИЙ
Н. В. Андреева, А. А. Романов, Д. С. Мазинг, Д. А. Чигирев, Е. Н. Севостьянов, М. И. Герасимова, В. В. Трушлякова, В. В. Лучинин
825-832
ВХОДНОЕ УСТРОЙСТВО БИОМОРФНОГО НЕЙРОПРОЦЕССОРА НА ОСНОВЕ МЕМРИСТОРНО-ДИОДНОГО КРОССБАРА ДЛЯ ИМПУЛЬСНОГО КОДИРОВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ
А. Н. Бусыгин, А. Х. Ибрагим, А. Д. Писарев, С. Ю. Удовиченко
833-838
НЕЙРОМОРФНЫЕ СВОЙСТВА БЕСФОРМОВОЧНЫХ НЕФИЛАМЕНТАРНЫХ СТРУКТУР TiN/Ta2O5/Ta с АСИММЕТРИЧНОЙ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ
Д. С. Кузьмичев, А. М. Маркеев
839-845
СВЕРХПРОВОДНИКОВЫЕ НЕЙРОННЫЕ СЕТИ: ОТ ИДЕИ К ОСНОВАМ И ДАЛЕЕ К ПРАКТИКЕ
А. Е. Щеголев, Н. В. Кленов, И. И. Соловьев, А. Л. Гудков, М. В. Терешонок
846-856
НАНОСТРУКТУРЫ, НАНОТРУБКИ
МЕМРИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ В ЛЕГИРОВАННЫХ АЗОТОМ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБКАХ
М. В. Ильина, О. И. Ильин, О. И. Осотова, С. А. Хубежов, О. А. Агеев
857-864
УСТРОЙСТВА И ИЗДЕЛИЯ НА ОСНОВЕ НАНОМАТЕРИАЛОВ И НАНОТЕХНОЛОГИЙ
МЕМРИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ В СТРУКТУРАХ Та/ТаОх/Та, ПОЛУЧЕННЫХ ЛАЗЕРНЫМ СИНТЕЗОМ
Л. С. Паршина, Д. С. Гусев, О. Д. Храмова, А. С. Поляков, Н. Н. Елисеев, О. А. Новодворский
865-872
ОСОБЕННОСТИ СОЗДАНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ СЛОЕВ TiO2–Al2O3 ДЛЯ СВЕРХПЛОТНЫХ ЗАПОМИНАЮЩИХ СРЕД С СИСТЕМОЙ АДРЕСАЦИИ НА ОСНОВЕ ПЕРЕКРЕСТНЫХ ШИН
А. Н. Белов, Ю. А. Демидов, Д. В. Локтев, Г. Н. Пестов, А. В. Солнышкин
873-876

Информация о выпуске

  • Всего статей
    18
  • Страницы
    733-876

Российские нанотехнологии